在PCB的EMC設(shè)計(jì)考慮中，首先涉及的便是層的設(shè)置； 單板的層數(shù)由電源、地的層數(shù)和信號(hào)層數(shù)組成；在產(chǎn)品的EMC設(shè)計(jì)中，除了元器件的選擇和電路設(shè)計(jì)之外，良好的PCB設(shè)計(jì)也是一個(gè)非常重要的因素。
2018-04-15 06:43:00
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在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-03-14 06:20:14
。如果是相同設(shè)計(jì)，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-03-25 06:20:09
ROHM擅長(zhǎng)的低VF特性，還提高了抗浪涌電流性能IFSM，并改善了漏電流IR特性，采用SiC功率元器件的客戶有望進(jìn)一步增加。（未完待續(xù)）
2018-12-03 15:12:02
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實(shí)際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對(duì)節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。SiC功率元器件關(guān)于SiC功率元器件，將分以下4部分進(jìn)行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
突發(fā)的巨大能量，以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。最常見(jiàn)的就是電子產(chǎn)品使用過(guò)程中會(huì)遇到的電壓瞬變和浪涌，從而導(dǎo)致電子產(chǎn)品的損壞，損壞的原因是電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體器件(包括二極管、晶體管、可控硅和集成電路等)被燒毀或擊穿。本文闡述下關(guān)于抑制浪涌的那些解決辦法~
2020-10-22 18:37:10
浪涌電流的抑制——NTC浪涌電流的抑制方法有很多，一般中小功率電源中采用電阻限流的辦法抑制開(kāi)機(jī)浪涌電流。我們分析一下如何使用NTC熱敏電阻進(jìn)行浪涌電流的抑制。NTC熱敏電阻，即負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，其
2014-03-20 09:37:32
10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。3．壓敏電阻的作用
2019-06-28 04:20:26
本人用的是Altium Designer 09，今天用著設(shè)計(jì)一個(gè)電路的時(shí)候載入到PCB電路設(shè)計(jì)的時(shí)候元器件沒(méi)有連接在一起，求大神指導(dǎo)一下，是不是我軟件哪里設(shè)置不對(duì)呢？
2015-04-29 16:38:04
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-04-12 05:03:38
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
所擁有的特性和特征的應(yīng)用事例。均分別包含基礎(chǔ)內(nèi)容。如果是幾十瓦的電源，有內(nèi)置功率元器件，可減少個(gè)別地選擇MOSFET或工作確認(rèn)。然而，在大功率電路中，切實(shí)地純熟掌握分立元器件極為重要。后文將詳細(xì)
2018-11-28 14:34:33
。所以，我們就需要分析一下防浪涌設(shè)計(jì)的一些問(wèn)題和解決方案。二、主要問(wèn)題：電路設(shè)計(jì)中主要存在以下兩個(gè)問(wèn)題：1、電路走線不合理： 隨著Layout工程師水平的提高和對(duì)防浪涌的重視，走線不合理的情況越來(lái)越少
2019-05-23 11:17:33
確實(shí)無(wú)法在21世紀(jì)單芯片化。羅姆積極致力于走在22世紀(jì)前端的一體化封裝電源的開(kāi)發(fā)，敬請(qǐng)期待未來(lái)羅姆具有前瞻性的的產(chǎn)品陣容。 而在羅姆提出的四大發(fā)展戰(zhàn)略中，其中之一便是“強(qiáng)化以SiC為核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開(kāi)展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開(kāi)展，實(shí)施，結(jié)果過(guò)程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
在幾百萬(wàn)分之一秒時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的劇烈脈沖，但是對(duì)外部電路會(huì)造成很大干擾尤其是電子線路，甚至?xí)查g燒壞。在多個(gè)繼電器同時(shí)使用時(shí)，浪涌會(huì)加劇，會(huì)相互干擾。3. 繼電器浪涌抑制功能作用繼電器在電氣回路中運(yùn)行時(shí)
2016-12-03 21:09:19
常用的防浪涌電路有三種方案：一、利用傳統(tǒng)的防雷元器件組合成防浪涌電路，例如TVS管（瞬態(tài)抑制二極管），氣體放電管，PTC（熱敏電阻）等。這些防雷元器件的價(jià)格都很低。二、光耦合電路。(光隔離器件，價(jià)格
2019-04-08 07:30:00
大小電容和串聯(lián)電感。對(duì)于商用設(shè)備，一般通過(guò)含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品吸收突發(fā)的尖峰能量，保護(hù)連接設(shè)備免受浪涌損害。 在電路設(shè)計(jì)中，一般遵循“多級(jí)防護(hù)、逐級(jí)削減”的原則，組合使用多種保護(hù)元器件方案，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)
2023-03-30 14:42:53
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
關(guān)斷時(shí)（切斷電流）產(chǎn)生較大的浪涌，當(dāng)浪涌超過(guò)元器件的額定值時(shí)，甚至可能會(huì)致使產(chǎn)品損壞。要有效降低布線電感值，需要靠近電路圖的紅色橢圓圈出來(lái)的線路中的元件引腳連接電容器。緩沖用電容器示例緩沖用電容器不僅電氣
2018-11-27 16:39:33
浪涌電壓會(huì)嚴(yán)重危害電子系統(tǒng)的安全工作。在電子線路中通常采用浪涌保護(hù)抑制器件來(lái)對(duì)電路進(jìn)行保護(hù)，介紹幾種浪涌抑制保護(hù)器件：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態(tài)抑制二極管TVS。這幾種浪涌
2020-11-20 16:54:46
，這一限流電阻的限流作用已完成，僅起到消耗功率、發(fā)熱的負(fù)作用，因此，在功率較大的開(kāi)關(guān)電源中，采用上電后經(jīng)一定延時(shí)后用一機(jī)械觸點(diǎn)或電子觸點(diǎn)將限流電阻短路，如圖5所示。這種限制上電浪涌電流方式性能好，但電路
2018-10-08 15:45:13
，迅速導(dǎo)通，從而把巨大的浪涌電壓能力旁路掉，保障電路的電壓在正常范圍之內(nèi)。目前，電路中比較常用的浪涌保護(hù)元器件有：TVS瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻MOV、陶瓷氣體放電管GDT。不同的浪涌保護(hù)元器件，其工作
2019-08-27 14:33:23
壓敏電阻、氣體放電管、TVS瞬態(tài)抑制二極管是電路保護(hù)中常用的浪涌抑制元件，本文主要介紹著幾種元件的工作原理及特性。壓敏電阻工作原理：壓敏電阻的電壓與電流呈特殊的非線性關(guān)系。當(dāng)壓敏電阻兩端鎖甲的電壓
2018-01-30 15:23:10
部分及其評(píng)估而進(jìn)行調(diào)整，是以非常高的速度進(jìn)行高電壓和大電流切換的關(guān)鍵。尤其在電路設(shè)計(jì)的初步評(píng)估階段，使用評(píng)估板等工具可使開(kāi)發(fā)工作順利進(jìn)行。關(guān)鍵要點(diǎn):?使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊，可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面，Eon增加，Eoff減少。按總損耗（Eon + Eoff）來(lái)比較，當(dāng)前損耗減少。
2018-11-27 16:36:43
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類(lèi)型，有可僅以1個(gè)模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個(gè)模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
開(kāi)關(guān)電源中浪涌電壓吸收元器件
開(kāi)關(guān) 電源 通常具有較寬的輸入電壓，對(duì)輸入電壓的容差范圍較大，同時(shí)根據(jù)浪涌尖峰電壓峰值高，持續(xù)時(shí)間短的特點(diǎn)，通常采用能量吸收型方案對(duì)浪涌尖峰電壓進(jìn)行濾除，即采用能量吸收
2023-12-18 15:24:53
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-03-12 03:43:18
晶振具有的等效電氣特性晶振電路設(shè)計(jì)方案，電路中各元器件的作用是什么？消除晶振不穩(wěn)定和起振問(wèn)題有什么具體的建議和措施嗎？
2021-04-13 06:19:09
半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄?shí)際設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
1、浪涌電壓的產(chǎn)生和抑制原理 在電子系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)線路上，經(jīng)常會(huì)受到外界瞬時(shí)過(guò)電壓干擾，這些干擾源主要包括：由于通斷感性負(fù)載或啟停大功率負(fù)載，線路故障等產(chǎn)生的操作過(guò)電壓；由于雷電等自然現(xiàn)象引起的雷電浪涌
2018-10-10 15:27:02
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-05-07 06:21:51
`瞬態(tài)抑制二極管是應(yīng)用非常普遍的一種過(guò)電壓保護(hù)元器件，我們對(duì)其選型做個(gè)小結(jié)如下：瞬態(tài)抑制二極管選型要點(diǎn)：1）TVS管的反向擊穿電壓要高于電路的正常工作電壓，并留有一定的裕量。2）根據(jù)不同的應(yīng)用接口
2017-08-23 17:02:01
在電子線路中通常采用浪涌抑制器件來(lái)對(duì)電路進(jìn)行保護(hù)，常見(jiàn)的幾種浪涌抑制器件有：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態(tài)抑制二極管TVS和半導(dǎo)體放電管TSS。浪拓電子作為專(zhuān)業(yè)的浪涌防護(hù)廠商，為
2019-07-22 12:17:19
SiCMOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
電源技術(shù)中的熱敏電阻抑制浪涌電流設(shè)計(jì)
2021-06-08 06:14:57
在電子線路中通常采用浪涌保護(hù)抑制器件來(lái)對(duì)電路進(jìn)行保護(hù)，常見(jiàn)的幾種浪涌抑制保護(hù)器件有：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態(tài)抑制二極管TVS。浪拓電子作為專(zhuān)業(yè)的浪涌防護(hù)廠商，為大家總結(jié)了這幾
2019-07-01 13:38:08
甚至無(wú)法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對(duì)發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢(shì)，有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
前言在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在"將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力爭(zhēng)更低功耗"的指導(dǎo)
2019-07-08 06:09:02
電壓、電流供應(yīng)電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應(yīng)電力”的范圍中，半導(dǎo)體也發(fā)揚(yáng)著重要的作用，從“處置電力(功率)”的含義動(dòng)身，其中心半導(dǎo)體部件被稱(chēng)為功率元器件或功率半導(dǎo)體。 在功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
如何抑制LED燈具浪涌電流？
2021-03-16 14:50:00
靜電保護(hù)二極管、壓敏電阻；開(kāi)關(guān)型包括：陶瓷氣體放電管、半導(dǎo)體放電管。接下來(lái)，專(zhuān)業(yè)高品質(zhì)保護(hù)器件廠家東沃電子重點(diǎn)介紹電路保護(hù)中常用的過(guò)壓浪涌抑制保護(hù)元器件。TVS瞬態(tài)抑制二極管TVS（Transient
2019-11-07 15:35:14
`電路保護(hù)主要是保護(hù)電子電路中的元器件在受到過(guò)壓、過(guò)流、浪涌、電磁干擾等情況下不受損壞。通常保護(hù)器件有壓敏電阻MOV、氣體放電管GDT、半導(dǎo)體放電管TSS、瞬態(tài)抑制二極管TVS等。保護(hù)器件可以分為開(kāi)關(guān)型和箝位型兩大類(lèi)。附圖：`
2017-06-01 15:35:13
電子元器件的防浪涌應(yīng)用 電浪涌引起的電過(guò)應(yīng)力（EOS）損傷或燒毀是電子元器件在使用過(guò)程中最常見(jiàn)的失效模式之一。 電浪涌是一種隨機(jī)的短時(shí)間
2009-08-27 18:53:08
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電燈浪涌電流抑制器電路
2009-01-21 01:32:072884 
電燈浪涌電流抑制電路
2009-02-06 10:12:041030 
氣體放電管在浪涌抑制電路的應(yīng)用
摘要：闡述了浪涌電壓產(chǎn)生的機(jī)理，介紹了氣體放電管的工作原理、特性參數(shù)和
2009-07-09 10:38:263015 
固體放電管在浪涌抑制電路的應(yīng)用
固體放電管是基于晶閘管原理和結(jié)構(gòu)的一種兩端負(fù)阻器件。可以吸收突波,抑制過(guò)高電壓,達(dá)到保護(hù)易損組件的目的
2009-10-17 08:46:231611 隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場(chǎng)在不斷增長(zhǎng)。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動(dòng)向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件
2012-10-22 11:10:361024 功率驅(qū)動(dòng)器件與MCU_DSC的接口電路設(shè)計(jì)技巧
2017-01-14 12:15:5010 （B=1/f），如果是低通濾波器，由于其原理是允許低于截止頻率的信號(hào)通過(guò)，而高于截止頻率信號(hào)不能通過(guò)，所以對(duì)于浪涌脈沖的抑制作用有限，故而在電路設(shè)計(jì)中一般采用專(zhuān)門(mén)的浪涌保護(hù)器件。 浪涌保護(hù)器件都有一個(gè)共同特點(diǎn)，即，在正常
2017-09-24 10:38:258 本文帶來(lái)開(kāi)關(guān)電源浪涌抑制電路、三個(gè)防開(kāi)機(jī)浪涌電流電路和電燈浪涌電流抑制電路圖五個(gè)防浪涌電路圖分享。
2018-01-11 11:40:0660969 
雷擊浪涌抑制電路設(shè)計(jì)基本功
2018-02-02 11:45:0014514 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
本文首先介紹了浪涌抑制器是什么，然后解釋了浪涌抑制器的作用，最后從分四類(lèi)的角度對(duì)四種浪涌抑制器的工作原理進(jìn)行了解釋
2019-08-01 16:01:2117797 該應(yīng)用方案提供了一種用于驅(qū)動(dòng)各種sic mosfet功率模塊的通用基板的電路設(shè)計(jì)。
2019-09-11 10:31:5440 在電子線路中通常采用浪涌抑制器件來(lái)對(duì)電路進(jìn)行保護(hù)，常見(jiàn)的幾種浪涌抑制器件有：氣體放電管GDT、金屬氧化物壓敏電阻MOV、瞬態(tài)抑制二極管TVS和半導(dǎo)體放電管TSS。浪拓電子作為專(zhuān)業(yè)的浪涌防護(hù)廠商，為大家總結(jié)了這幾種常見(jiàn)浪涌抑制器件的優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比，方便大家選擇合適浪涌抑制保護(hù)器件：
2019-10-03 09:33:008846 
在電路設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)對(duì)電路元器件做相關(guān)的保護(hù)，這里所說(shuō)的是關(guān)于浪涌保護(hù)相關(guān)的電路部分，包括元器件選擇和電路設(shè)計(jì)部分。剛開(kāi)始接觸這一部分有不足大家可以批評(píng)指正。
2022-05-30 09:51:087996 
了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。
2022-06-15 16:00:341368 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 壓敏電阻、氣體放電管、TVS管（瞬間抑制二極管）三種器件都限壓型的浪涌保護(hù)器件，都被用來(lái)在電路中用作浪涌保護(hù)，那么他們有什么之間有什么差異呢？
2023-02-01 10:29:161729 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
)，基本上沒(méi)有問(wèn)題。然而，直通電流畢竟是降低系統(tǒng)整體效率的直接因素，肯定不是希望出現(xiàn)的狀態(tài)，因此就有必要增加用來(lái)來(lái)抑制浪涌電壓的電路，以更大程度地確保浪涌電壓不超過(guò)SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21141 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路
2023-04-13 12:20:02814 器，肖特基二極管，英文名為Schottky。我們首先來(lái)看看它們的概率。 TVS瞬態(tài)抑制二極管—— 它是一種二極管形式的過(guò)壓保護(hù)型電子元器件。其作用為限壓。當(dāng)瞬態(tài)抑制二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能沖擊時(shí)，它能迅速響應(yīng)，吸收浪涌電流，使
2023-05-05 10:50:171087 
防浪涌過(guò)壓保護(hù)器件之一——TVS瞬態(tài)電壓抑制器有很多種類(lèi)，如汽車(chē)電子浪涌抑制器ASS、藍(lán)寶寶浪涌抑制器BPSS、工業(yè)級(jí)TVS瞬態(tài)抑制二極管、ESD靜電保護(hù)器件等等。對(duì)于從事汽車(chē)電子行業(yè)的工程師來(lái)說(shuō)
2022-09-09 17:25:05528 
影響連接到同一電網(wǎng)的其他設(shè)備的運(yùn)行。浪涌會(huì)觸發(fā)或損壞元器件，如斷路器、保險(xiǎn)絲、電容或橋式整流器。為了保證電氣裝置的安全性和功率轉(zhuǎn)換器的可靠性，必要限制此浪涌電流。ST
2023-01-13 10:35:451101 
SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54139 SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè) ROHM Co., Ltd. （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
如何消除或抑制浪涌電流? 隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，如今在電路中經(jīng)常出現(xiàn)電流的快速變化所產(chǎn)生的浪涌現(xiàn)象，浪涌電流是會(huì)對(duì)電路造成極大傷害的，而且很難被檢測(cè)到。因此，我們需要采取一些措施來(lái)消除或抑制浪涌
2023-09-02 10:20:591379 抑制浪涌電流的措施有哪些？ 在電路工程中，由于電流的急劇變化，會(huì)引起一個(gè)短時(shí)間內(nèi)電壓突然增加的現(xiàn)象，這就是浪涌電流。這種電流會(huì)對(duì)電路設(shè)備和設(shè)施產(chǎn)生損害，因此需要采取措施來(lái)抑制浪涌電流。接下來(lái)，我們
2023-09-04 17:39:401722 抑制浪涌電流是什么意思？ 抑制浪涌電流是指在電路中采取一定的電路設(shè)計(jì)或安裝相應(yīng)的保護(hù)電路來(lái)防止電路中突然出現(xiàn)的浪涌電流損壞電器設(shè)備或電子元器件的現(xiàn)象。 浪涌電流是一種異常的電流，出現(xiàn)在電路中，其幅度
2023-09-04 17:39:42470 今天給大家分享的是： 如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中浪涌電壓？ 一、什么是浪涌電流？ 浪涌電流 是 電路打開(kāi)吸收的最大電流，出現(xiàn)在輸入波形的幾個(gè)周期內(nèi)。 浪涌電流的值遠(yuǎn)高于電路的穩(wěn)態(tài)電流，高電流可能會(huì)損壞設(shè)備
2024-01-09 08:36:061126 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107 
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