獲6億訂單，8吋SiC率先量產?襯底綜合成本低30-40%

行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績？

趙麗麗：2023年科友半導體取得的成績包括：

SiC訂單大幅增長

截止到2023年12月底，科友實現銷售定單逾6億元人民幣，實現“當年投產即當年量產”。

SiC出口取得突破性進展

我們與客戶簽署了向歐洲的出口設備和材料億元訂單，目前該出口合同已經進入履約階段，標志著科友半導體已率先在8英寸SiC襯底方面實現出貨和突圍，為加快我國碳化硅襯底產能投資向效益的轉變、國產碳化率襯底搶占行業先機、角力歐洲實現作為。

自產8英寸碳化硅襯底順利下線

2023年，科友半導體突破了大尺寸碳化硅單晶生長及襯底加工等關鍵技術，成為行業內屈指可數的獨立掌握8英寸碳化硅晶體生長及襯底加工能力的企業，襯底質量和成本優勢顯著，率先實現了8英寸襯底規模化量產。

憑借一連串喜人成績與成果，科友半導體已成為中國碳化硅行業的標桿品牌。

行家說三代半：取得這些成績的背后，貴公司做了哪些關鍵工作？

趙麗麗：剛過去不久的2023年，是科友半導體的元年，也是發力年，我們正式面向行業亮出多張碳化硅底牌：

6-8英寸碳化硅產能建設

我們已經形成以6-8英寸碳化硅襯底為核心，以定制籽晶、料錠、晶棒、鍍膜膠等為輔的碳化硅材料系列產品。

在2023年3月，科友半導體在哈爾濱打造的產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區正式投產，鋪設年產能5萬片碳化硅襯底加工產線并順利通線，穩步擴充電阻長晶爐臺數，建成8英寸碳化硅襯底中試線，并成功實現我國首批8英寸SiC襯底量產和出貨簽約。

掌握全產業鏈裝備和耗材研發和規模制造能力

我們還建成了以6-8英寸感應和電阻長晶爐為核心產品線，以原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜等設備為基礎線的裝備系列，裝備產能達到400臺每年。

掌握“國內領先、國際先進”的大尺寸碳化硅低成本產業化技術

我們突破了大尺寸碳化硅晶體易開裂、缺陷控制難、良率低、成本高等共性技術難題，實現了熱場設計、原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜及壓接晶體生長、晶體退火等關鍵環節的先進工藝開發，實現了高良率、大尺寸、高品質、高厚度晶體生長。6英寸碳化硅長晶良率達到70%，8英寸碳化硅長晶良率達到50%，襯底綜合成本較業內低30-40%以上。

中國電子學會組織的成果鑒定會認為，科友碳化硅裝備及工藝成果“創新性強，擁有自主知識產權，經濟效益顯著，關鍵技術指標國內領先、國際先進”。

產線完成車規認證

2023年我們還完成了IATF16949、ISO14001/45001/9001等體系認證。

開展裝備與材料并行的雙主營業務

通過供應關鍵耗材的方式，實現材料系列產品（包括籽晶、料錠、石墨坩堝等）穩定銷售，同時也與設備客戶合作，銷售其生產的材料產品，進一步滿足市場需求。

總的來說，科友半導體能在碳化硅各類賽道脫影而出的秘訣在于——格局總能比行業領先一步，甚至是一代。

SiC行業下半場是8吋時代?

科友提前布局、持續推進

行家說三代半：您如何看待8英寸SiC襯底的發展？

趙麗麗：2023年業內有多家企業陸續推出8英寸碳化硅襯底，成為市場熱點，呈現出加速替代6英寸襯底的勢頭。我們認為，碳化硅行業的下半場就是8英寸的時代，誰的8英寸襯底先出貨，誰就能更好地把握住時代機遇。

在此形勢下，面對這個爆發性增長的市場機遇和產業差距，國產廠商誰可以真正實現8寸SiC襯底的量產并通過市場驗證，才能真正掌握時代拐點的正確方向，這是科友半導體已提前布局并持續推進的戰略藍圖。

行家說三代半：貴公司圍繞8英寸SiC還做了哪些核心技術布局？

趙麗麗：科友半導體的8英寸SiC核心技術布局體現在多個方面，包括：

（1）作為電阻爐量產大尺寸碳化硅的倡導者，前瞻性開展電阻加熱式長晶爐設備及工藝開發，面向大尺寸低成本碳化硅襯底制備的發展方向，在8英寸電阻加熱碳化硅長晶爐方面超前布局，報道了國內第一顆基于電阻爐的8英寸碳化硅晶體，晶體質量居業內第一梯隊。

（2）加快推進8英寸襯底產業化進程，在國內率先建成8英寸碳化硅晶體中試線和碳化硅襯底中試線，實現小規模量產。

（3）在業內率先提出碳化硅材料一站式解決方案，打造全產業鏈裝備和材料研發制造能力，在熱場設計、原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜及壓接工藝晶體生長方面持續研發，形成獨具特色的科友系列裝備產品和材料產品。

立足關鍵技術，增加35萬片產能?

解決碳化硅2大挑戰

行家說三代半：未來幾年，整個行業將面臨的挑戰有哪些？貴公司將如何面對并解決挑戰？

趙麗麗：我們認為碳化硅襯底行業主要將面臨2方面挑戰：

（1）8英寸襯底良率提升。

行業對8英寸碳化硅襯底的良率的要求越來越高，相比于6英寸襯底，8英寸襯底良率仍處于較低水平，8英寸襯底的規模應用要求足夠高的襯底良率和晶體生長工藝。

科友將持續開展晶體生長良率提升研究，發揮電阻爐優勢，在晶體厚度、良率、品質上持續改進，優化襯底加工工藝，提高核心競爭力。

（2）襯底價格持續降低。

行業對產品價格降低有著明確的需求，襯底成本的降低離不開關鍵耗材成本的降低，需要不斷提升原料利用率，以及耗材使用壽命，從而降低襯底成本。

科友將立足8英寸襯底低成本量產關鍵技術，依靠原料提純、碳化鉭蒸鍍、籽晶鍍膜以及壓接晶體生長等獨家工藝，不斷提升價格上的優勢，保持領先地位。

行家說三代半：2024年，貴司定下來了哪些規劃和目標？

趙麗麗：我們在2024年主要有5個方面的規劃：

（1）推進8英寸碳化硅襯底量產。

（2）推進8英寸碳化硅襯底下游驗證，與更多下游客戶簽訂襯底供應長單。

（3）加快二期擴產建設，擴充襯底產能達到年產35萬片。

（4）推動科友碳化硅系列裝備及材料在行業內的廣泛應用，深入打造碳化硅材料行業的一站式供應商，與設備客戶合作共贏擴充科友系襯底產能。

（5）加快市場推廣，實現訂單額快速提升。

襯底、設備、耗材多維度降本

追趕SiC國際一流企業?

行家說三代半：成本是把雙刃劍，行業規模化發展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低價所反噬， 您如何看待行業的低價和同質化競爭？

趙麗麗：成本持續下降是新產品規模應用的前提條件，是碳化硅半導體產業鏈加速滲透和快速增長的關鍵，有利于帶動整個行業的快速發展，擴大應用領域和市場空間，推動綠色經濟發展和雙碳目標實現。

低成本的趨勢雖然會對行業內企業會帶來一定沖擊和壓力，但是會倒逼行業上下游企業共同努力，有利于企業加強技術研發創新，不斷提高技術水平，從而推動形成新的技術、新的工藝、新的裝備，利于有競爭力的企業長遠發展。

更長遠上看，我國擁有超大規模單一市場優勢，在碳化硅半導體方面需求巨大，預計我國將成為碳化硅半導體的應用和制造中心，低成本使我國半導體企業，有望實現與國際一流水平企業，從追趕到并跑再到超越的目標。

科友在低成本碳化硅襯底制備方面掌握核心關鍵技術，襯底成本較行業低40%以上，具有明顯價格優勢，在8英寸碳化硅方面，電阻爐穩定性高、晶體一致性好、晶體應力小等優勢，與科友大尺寸碳化硅低成本產業化關鍵技術相結合，在大尺寸碳化硅襯底賽道上將獲得更為突出的成本優勢。

行家說三代半：針對目前的行業現狀，貴公司有哪些好的做法和建議？

趙麗麗：針對目前的行業現狀，我們認為應加強自主研發和技術創新，技術水平是影響產品成本的重要因素，科友突破了大尺寸碳化硅低成本產業化技術，掌握了大尺寸熱場設計技術，同時還研發了相配套的獨特的晶體生長熱場耗材，碳化鉭蒸鍍石墨件、預結晶提純料錠、鍍膜籽晶等。例如，科友感應設備石墨耗材壽命比業內多3倍，實現了坩堝等關鍵耗材的多次重復使用，相比于坩堝壽命為業內2次左右，而科友達到6-8次以上。

通過開展前瞻性研發，科友成為國內第一家同時擁有8英寸感應爐和8英寸電阻爐的企業，實現了耗材聯動使用，將感應設備使用后的耗材應用到電阻設備中，可再次重復使用20次以上，成本大幅降低，部分耗材成本是其他企業的1/15。在碳化鉭蒸鍍、石墨提純等多項技術的支撐下，科友基本實現了全部耗材國產化，相比于進口材料，成本下降一半以上。襯底綜合成本降低40%以上。

建議碳化硅企業在成本方面多做工作，加強技術研發，主動適應行業內產品價格不斷下降的發展趨勢，最大程度提高企業效益。需要指出，晶體生長熱場需要和晶體生長工藝相匹配，而晶體生長工藝的調節和優化需要長期的長晶經驗積累，也是主要的技術壁壘。這些特點也需要新入場的碳化硅企業重視。

審核編輯：黃飛