RCD吸收電路的影響和設計方法（定性分析）
這回主要介紹RCD電路的影響。先分析過程：
2009-11-21 11:10:49
11629 本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響，并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
【不懂就問】上圖的RCD是吸收電路吸收MOS在關斷時，引起（變壓器原邊側繞組）的突波下圖的RCD是鉗位電路，讓MOS在關斷時，把漏極電位鉗位防止過高損壞MOS現在電路是多用RCD當作鉗位電路了嗎？如果還有更詳細見解，歡迎說明
2018-07-26 13:26:26
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別：內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關損耗運用要點柵極驅動 其1柵極驅動 其2應用要點緩沖電容器 專用柵極驅動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
激式轉換器的特征反激式轉換器的工作和緩沖所謂不連續模式和連續模式 設計步驟 電源規格的決定 設計使用IC的選擇 絕緣型反激式轉換器電路設計變壓器設計（數值計算）變壓器設計（構造設計）－其1變壓器
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
，即非本征缺陷時才有效。與Si MOSFET相比，現階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風險與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現故障。無缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
了熱管理，減小了印刷電路板的外形尺寸，有利于提高系統的穩定性。圖1 SiC MOSFET和Si MOSFET性能對比在使用SiC MOSFET進行系統設計時，工程師們通常要考慮如何以最優方式驅動（最大
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管（JFET）的形式出現。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當時雙極結晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
器件。雪崩堅固耐用評估SiC MOSFET的另一個重要參數是雪崩耐用性，通過非鉗位感應開關（UIS）測試進行評估。雪崩能量顯示MOSFET能夠承受驅動感性負載時有時會產生的瞬態。Littelfuse
2019-07-30 15:15:17
采用IGBT這種雙極型器件結構（導通電阻變低，則開關速度變慢），就可以實現低導通電阻、高耐壓、快速開關等各優點兼備的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
有的文獻說mosfet并聯緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說法
2017-02-22 18:19:40
` 誰來闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
失效模式等。項目計劃①根據文檔，快速認識評估板的電路結構和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業內3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調試，優化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
`今天主要對評估板進行了Buck拓撲的實現，通過評估板半橋的結構，搭建Buck降壓電路。Buck電路的拓撲結構如下。Buck電路拓撲電路的主要拓撲解釋如下。在電路的輸入端HVdc輸入高電平，SiC
2020-06-07 19:19:09
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
SiC模塊，對比相同充放電功率情況下SiC與MOSFET或者IGBT的溫升。預計成果：在性能滿足要求，價格可接受范圍內，后續適用到產品中
2020-04-24 18:09:35
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統穩定性
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的SiC MOSFET，使設計更簡單采用表貼型封裝（TO263-7L），可自動安裝在電路板上與分立結構相比，可大大減少元器件數量（將12個元器件和1個散熱器縮減為1個器件）與Si
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
本文將介紹全SiC模塊的應用要點—緩沖電容器。在高速開關大電流的電路中，需要添加緩沖電容器。什么是緩沖電容器緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關節點的電容器。寄生電感會使開關
2018-11-27 16:39:33
請教大家一個問題：最近在做一個200kVA的變頻電源項目，輸入380V。前級是不可控整流，后級用1000A的IGBT組成三相逆變橋，IGBT的緩沖電路選用RCD放電阻止型緩沖電路，但是不知道緩沖電路中的電容和快恢復二極管的耐壓選擇多大，求指點。
2015-01-21 10:50:55
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
反激變壓器中的漏感能量需要使用特殊的鉗位和/或緩沖電路，以幫助保護電源開關和二極管免受電壓擊穿故障的影響。 RCD 鉗位是保護初級電路的常用方法。 一、RCD吸收電路RCD 鉗位通過創建連接到輸入
2021-09-25 07:00:00
情況是對電容的充放電電流。這些電容可能是：電路分布電容、變壓器繞組等效分布電容、設計不恰當的吸收電容、設計不恰當的諧振電容、器件的等效模型中的電容成分等等。緩沖的基本方法：在沖擊電流尖峰的路徑上串入某種
2019-11-02 07:00:00
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
IGBT的高開關損耗，實際開關頻率受到限制。此外，具有更高功率密度的更輕的OBC的目標受到磁性元件和諧振電路的重量和尺寸以及附加的反并聯SiC二極管的負面影響。由于SiC MOSFET的體二極管具有良好
2023-02-27 09:44:36
如何采用D型和E型金剛石型MOSFET開發邏輯電路？
2021-06-15 07:20:40
電路并使用專門設計的柵極驅動器可以說是非常好的方法。到目前為止，我們已經以“全SiC模塊的的應用要點”為題，探討了柵極驅動、緩沖電路的效果，本次又對專用柵極驅動器進行了介紹。基于這些補充型部件/電路
2018-11-27 16:36:43
尖峰；三是降低dV／dt或dI／dt。由于MOSFET管的電流下降速度很快，所以它的關斷損耗很小。雖然MOSFET管依然使用關斷緩沖電路，但它的作用不是減少關斷損耗，而是降低變壓器漏感尖峰電壓。本文主要
2018-11-21 16:22:57
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經直接焊接
2022-09-20 08:00:00
產品描述：SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器，適用于85～265V 全電壓范圍的非隔離降壓型LED照明應用。SIC
2021-09-24 11:56:01
SIC9554是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器，適用于85V～265V全電壓范圍的小功率非隔離降壓型LED照明應用。SIC9554內置了高精度的采樣、補償電路，使得電路能夠達到±3%以內的恒流
2022-08-04 14:21:46
概述：SIC953XD是一款超低系統成本的高精度LED恒流驅動芯片,適用于85V~265V全電壓范圍的小功率非隔離降壓型LED照明應用。SIC953XD內置了高精度的采樣、補償電路，使得電路能夠達到
2021-10-12 10:01:01
概述:SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A是一款高精度的非隔離降壓型LED控制器，適用于85～265V全電壓范圍的非隔離降壓型LED照明應用。SIC9552A/9553A
2021-08-27 11:29:01
、C3 、D3和電路圖輸入線路、MOSFET相接的電阻R4、電容器C3 、二極管D3，組成所謂的緩沖電路。反激方式中，由于變壓器鐵芯間有間距，會造成磁漏現象，產生漏電感。開關電流同樣會流過此漏電感并蓄積
2018-11-30 11:33:43
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
與Si-MOSFET的柵極驅動的不同之處。主要的不同點是SiC-MOSFET在驅動時的VGS稍高，內部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設計的范疇。但是，柵極驅動電壓
2018-11-27 16:54:24
，設計了基于SiC MOSFET的6.6 kW雙向OBC。在充電模式和放電模式下運行的轉換器的實驗結果顯示出高效率和高功率密度。 雙向OBC的規范和體系結構雙向OBC規范 6.6kW雙向車載充電器
2019-10-25 10:02:58
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
1. RCD 緩沖電路 Lm=L1+L2 Ls Cs Ds Rs 電源線的線電感緩沖電路電感緩沖電容緩沖二極管緩沖電阻 2. 關斷波形 Io
2011-01-03 16:45:45
167 反激式變換器中RCD箝位電路的設計
在反激式變換器中，箝位電路采用RCD 形式具有結構簡單，成本低廉等優點，本文詳細論述了該種電路
2009-01-12 13:17:582731 
全橋變換器的RCD緩沖電路
關斷緩沖電路的形式和換流波形
2009-05-13 08:25:364546 
RCD電路原理圖
反激開關過程和RCD電路的影響
2009-11-21 11:09:238853 JFET-MOSFET耳機功放電路
2010-01-30 14:47:303578 
充放電型IGBT緩沖吸收電路
為
2010-03-14 19:00:559005 
本文為大家介紹rcd吸收電路原理及設計。
2018-01-22 11:01:1369829 
當MOSFET關斷時，由于主變壓器的漏感器（Llk）和MOSFET的輸出電容器（COSS）之間發生共振，漏極引腳上出現高壓尖峰。漏極引腳上的過大電壓可能導致雪崩擊穿，并最終損壞MOSFET。因此，有必要增加一個附加電路來鉗制電壓。本文提出了反激變換器RCD緩沖電路的設計原則。
2020-06-09 08:00:008 本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經過實驗性雙脈沖測試（DPT）結果驗證。
2022-05-05 10:43:232008 
SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:102938 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 碳化硅 MOSFET 驅動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發揮其高頻特性，實現電力設備高功率密度。然而被應用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
緩沖電路來降低線路電感，這是非常重要的。 首先，為您介紹 SiC MOSFET 功率轉換電路中，發生在漏極和源極之間的浪涌。 ·? 漏極和源極之間產生的浪涌 ·?緩沖電路的種類和選擇 ·?C緩沖電路的設計 ·?RC緩沖電路的設計 ·?放電型RCD緩沖電路的設計
2023-06-21 08:35:02425 
首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。 ↓ ↓ 點擊下載 ↓ ↓ SiC功率元器件基礎 本文進入本系列文章的第二個主題：“緩沖電路的種類和選擇”。 漏極和源極之間產生的浪涌 緩沖電路的種類和選擇
2023-08-23 12:05:07889 
RC和RCD緩沖電路的工作方式、區別和優缺點？ RC和RCD緩沖電路是電子系統中常用的兩種電路，用于解決信號的延時和沖擊波的衰減問題。它們在工作方式、區別和優缺點方面有一些不同。 首先，我們來了
2023-11-20 17:05:411100 IGBT的RCD緩沖電路各元件參數選擇？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種用于控制高電壓和高電流的功率半導體器件。它由一對PNP
2023-11-20 17:05:44545 全控型電力電子器件的RCD關斷緩沖電路的主要不足是什么？ 全控型電力電子器件的RCD關斷緩沖電路是一種常見的保護電路，用于保護電力電子器件免受過電流和過壓的損害。然而，這種保護電路也存在一些主要
2023-11-21 15:17:55244 SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關速度和功率密度，廣泛應用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 RCD緩沖電路是一種常用的電子電路，主要用于保護電子設備或電路免受電壓沖擊或電流過載的損害。它由電阻(R)、電容(C)和二極管(D)等元件組成。本文將詳細分析每個元件的作用，以及RCD緩沖電路
2024-03-11 15:46:56212
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