下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19
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SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車(chē)逆變器、車(chē)載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
有使用過(guò)SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴(lài)于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2應(yīng)用要點(diǎn)緩沖電容器 專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過(guò)目前ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
擊穿耐受能力SiC-MOSFET的優(yōu)點(diǎn)是芯片尺寸可以比Si-MOSFET小，但另一方面，靜電擊穿（ESD）耐受能力卻較低。因此，處理時(shí)需要采取充分的防靜電措施。靜電對(duì)策舉例?利用離子發(fā)生器除去人體
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來(lái)比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問(wèn)：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
為了使水下航行器裝入密封艙后所有模塊正常運(yùn)行，設(shè)計(jì)了一個(gè)模擬平臺(tái)，涵蓋了模擬電路、數(shù)字電路、信號(hào)處理、無(wú)線射頻、電源、傳感器等方面，特別是小車(chē)軌跡使用上層的PID參數(shù)的智能化控制，具有遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸
2019-08-09 07:00:33
求教水下航行器應(yīng)該如何接地？負(fù)極接機(jī)殼？浮地？還是其他？請(qǐng)各位大神賜教
2014-12-11 15:55:59
航行器半實(shí)物仿真的主要優(yōu)點(diǎn)有哪些？水下航行器控制系統(tǒng)半實(shí)物仿真的特點(diǎn)是什么？水下航行器控制半實(shí)物仿真系統(tǒng)的組成部分
2021-04-14 06:01:25
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項(xiàng)目名稱(chēng)：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開(kāi)關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過(guò)下圖來(lái)看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過(guò)電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項(xiàng)目名稱(chēng)：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換
器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開(kāi)箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
MOSFET整流器和逆變器的工作頻率。另外，LC濾波器的截止頻率也可以提高，這意味著LC濾波器的容量將會(huì)降低，從而降低ACL和ACC濾波電路的損耗和重量。表1APS產(chǎn)品的規(guī)格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車(chē)快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開(kāi)封裝每顆有2個(gè)SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車(chē)附2個(gè)一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過(guò)，市場(chǎng)估算，循續(xù)漸進(jìn)采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅(qū)動(dòng)器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)基于SiC或IGBT的三相電機(jī)半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開(kāi)始，ROHM將為文圖瑞車(chē)隊(duì)提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了30
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
在通用PWM發(fā)電機(jī)中，我可以用任何型號(hào)替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
過(guò)。另?yè)?jù)報(bào)道，與基于IGBT的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以帶來(lái)更高的效率［3］。在驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢(shì)可以通過(guò) CSD
2023-02-21 16:36:47
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
，單極性反向?qū)娏魇菞l形花紋排列SBD實(shí)現(xiàn)電流的兩倍。2.7m??cm2條件下，RonA降低約20%。SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用逆變器時(shí)，這種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的改進(jìn)效果是至關(guān)重要的。目前正在繼續(xù)進(jìn)行
2023-04-11 15:29:18
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此，設(shè)計(jì)中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
在真實(shí)海洋環(huán)境下進(jìn)行，實(shí)驗(yàn)時(shí)的海況成為了影響和制約實(shí)驗(yàn)可行性和結(jié)果正確性的關(guān)鍵因素，再加上海洋項(xiàng)目的成本比較高，就需要一個(gè)智能平臺(tái)來(lái)實(shí)驗(yàn)水下航行器的功能，更加接近的模擬實(shí)驗(yàn)的環(huán)境，通過(guò)各種傳感器的綜合運(yùn)用，這樣才能在真實(shí)的環(huán)境中得到更加有效的數(shù)據(jù)，從而更加合理的開(kāi)發(fā)和利用海洋資源，造福人民，保衛(wèi)祖國(guó)的海疆。
2019-08-16 06:54:00
功率MCU，分立器件和功率器件的領(lǐng)先公司。為了追求卓越和高品質(zhì)的產(chǎn)品，羅姆已經(jīng)垂直整合了其碳化硅供應(yīng)鏈。SiC MOSFET，SBD，模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合已在Bodo的Power雜志（2015年4
2019-10-25 10:01:08
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
提出了一種基于CAN總線的分布式水下航行器控制器的設(shè)計(jì)方法，主要描述了其硬件總體設(shè)計(jì)方案和實(shí)現(xiàn)辦法。控制器作為分布式控制系統(tǒng)的一個(gè)節(jié)點(diǎn)，與其他節(jié)點(diǎn)之間以CAN總線連接并形
2013-06-08 17:54:55
31 水下航行器非接觸式電能傳輸技術(shù)研究_王司令
2017-01-07 15:17:120 針對(duì)潛艇發(fā)射水下航行器攻擊水面目標(biāo)這一想定進(jìn)行視景仿真。利用Multigen Creator進(jìn)行三維實(shí)體建模和地形生成，基于Vega Prime實(shí)時(shí)視景仿真平臺(tái)開(kāi)發(fā)水下航行器攻擊可視化仿真應(yīng)用，展現(xiàn)
2017-11-16 10:53:1210 Seabed并不像那些典型的自動(dòng)水下航行器。很多水下航行器形狀像魚(yú)雷，可以像水柱一樣有效地穿透海水。
2018-08-05 11:18:063133 據(jù)獲悉，南方電網(wǎng)首個(gè)水下機(jī)器人項(xiàng)目于近日完成最終驗(yàn)收，這也是國(guó)內(nèi)首個(gè)能在水下隧洞遠(yuǎn)距離航行檢測(cè)的機(jī)器人。
2018-08-14 10:23:001361 盡管自主水下航行器(AUV)確實(shí)能使海洋數(shù)據(jù)的收集過(guò)程變得更加容易，但是發(fā)射東西仍然很麻煩。這就是科學(xué)家開(kāi)發(fā)一種新系統(tǒng)的原因，該系統(tǒng)使用無(wú)人水面艇來(lái)部署自主水下航行器。通常，自動(dòng)水下航行器是從一艘大型船只發(fā)射的。
2020-01-11 11:01:052516 美國(guó)國(guó)防部高級(jí)計(jì)劃研究局（DARPA）剛剛向三家公司授予了開(kāi)發(fā)合同，以支持新一代長(zhǎng)距離、遠(yuǎn)程水下航行器（UUV）的開(kāi)發(fā)。
2020-03-14 14:50:242120 阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽(yáng)能和電源。
2020-06-15 14:19:403728 針對(duì)水下傳感器網(wǎng)絡(luò)（UwSN）存在能耗高、傳輸率低和帶寬窄等問(wèn)題，提岀自主水下航行器（AUV輔助的水下地理杌會(huì)路由協(xié)議（ GOHRP）。初始階段， GOHRP基于普通節(jié)點(diǎn)的深度設(shè)計(jì)間距不等的分層網(wǎng)絡(luò)
2021-04-09 16:19:075 水下航行器通用的數(shù)據(jù)處理軟件設(shè)計(jì)方案
2021-06-30 15:29:055 基于CAN總線的水下航行器分布式控制系統(tǒng)
2021-07-01 16:53:379 AUV水下工作定位難 自主式水下航行器（AUV）是一種重要的用于水下勘測(cè)的機(jī)器人，同時(shí)也是用于檢測(cè)的精密儀器。 AUV在進(jìn)行水下任務(wù)時(shí)會(huì)遇到兩個(gè)難題： 一是在沒(méi)有具體的環(huán)境信息的條件下，水下
2021-07-16 16:02:23840 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車(chē)企紛紛加速SiC MOSFET在汽車(chē)上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
功率 MOSFET 中的SiC（碳化硅）與其對(duì)應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢(shì)，例如更高的導(dǎo)電性、更低的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。
2022-08-05 08:04:431305 
應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿(mǎn)足包括軌道車(chē)用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-11-06 21:14:51956 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43529 提高任何水下平臺(tái)能力的關(guān)鍵是推進(jìn)其供電技術(shù)研發(fā)。美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）是領(lǐng)導(dǎo)開(kāi)發(fā)無(wú)人水下航行器（UUV）新電源硬件的機(jī)構(gòu)之一。
2023-01-09 15:00:121223 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0479 首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 常見(jiàn)的搭載平臺(tái)經(jīng)歷了從水面艦船到載人潛器（HOV）到水下無(wú)人航行器（UUV）的歷程。HOV和UUV的研究分別起步于1890年和1960年左右。它們具有活動(dòng)范圍大、機(jī)動(dòng)性強(qiáng)和作業(yè)效率高等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)，隨著深遠(yuǎn)海海洋調(diào)查的需求，HOV和UUV扮演著越來(lái)越重要的角色。
2023-12-20 10:47:20617 
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
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