• 　　用于5G基礎設施的恩智浦多芯片模塊中的GaN性能可將效率提高8個百分點
• 　　縮小基站射頻單元尺寸，減輕重量；加快5G系統的設計和部署
• 　　恩智浦整合了多項技術，以實現最優性能

　　荷蘭埃因霍溫——2021年7月5日——恩智浦半導體（ NXP Semiconductors N.V.，納斯達克代碼：NXPI）宣布，將氮化鎵（GaN）技術集成至其多芯片模塊平臺中，這是5G能效領域的一個重要行業里程碑。恩智浦位于亞利桑那州的GaN晶圓廠是美國最先進的專業生產射頻功率放大器的晶圓廠，基于公司對該晶圓廠的大量投資，恩智浦率先推出5G大規模MIMO射頻解決方案。該解決方案結合了GaN的高效率與多芯片模塊的緊湊性。

　　減少能耗是電信基礎設施的一個主要目標，其中每一點效率都至關重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高到 52%，比公司上一代模塊高出8個百分點。恩智浦通過在單個器件中采用專利組合LDMOS和GaN技術，進一步提高了性能，可提供400 MHz的瞬時帶寬，僅用一個功率放大器即可完成寬帶射頻設計。

　　恩智浦小尺寸5G多芯片模組現在可實現上述能效和寬帶性能。新的產品組合將助力射頻開發人員減少基站射頻單元的尺寸和重量，幫助移動網絡運營商降低在蜂窩塔和屋頂部署5G的成本。在單個封裝中，模組集成了多級發射鏈、50歐姆輸入/輸出匹配網絡和Doherty設計，并且恩智浦現在使用其最新的SiGe技術添加了偏置控制。這一新的集成步驟使得無需再使用單獨的模擬控制IC，即可對功率放大器性能提供更嚴密的監控和優化。

　　恩智浦執行副總裁兼無線電功率業務部總經理Paul Hart 表示：“恩智浦開發了專用于5G基礎設施的獨特技術工具箱，包括專有的LDMOS、GaN和SiGe以及先進封裝和射頻設計IP。這讓我們能夠利用每個元件的優勢并針對每個用例以最優方式將這些優勢結合在一起。”

　　與上一代模塊一樣，新的器件均引腳兼容。射頻工程師可以在多個頻段和功率級擴展單個功率放大器設計，縮短設計周期時間，從而在全球加速推出5G。

　　供貨時間

　　恩智浦新型5G多芯片模塊將在第三季度供應樣品，并在今年晚些時候開始量產。恩智浦將推出基于這些產品的RapidRF系列射頻模擬前端（參考）設計，有助于加快5G系統的設計。

　　恩智浦的5G接入邊緣技術產品組合

　　從天線到處理器，恩智浦提供了強大的技術產品組合以加快5G部署，為基礎設施、工業和汽車應用提供一流的性能和安全性。其中包括恩智浦的Airfast射頻功率解決方案系列，以及Layerscape系列多核處理器，適用于無線數據鏈路、固定無線接入和小型基站設備。