飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經擴大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產品線 。
2012-08-10 09:58:12
913 更高系統效率和功率密度，是現今數據和電信電源系統設計的首要目標。為達此一目的，半導體開發商研發出采用柵極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載
2014-03-25 11:07:153711 
DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會變得更加復雜。
2022-08-22 14:15:071229 `描述此高功率升壓直流/直流轉換器采用具有低柵極電荷外部 MOSFET 的控制器，針對來自 24V 電源的高達 250W 的負載提供 48V 輸出。特性帶有集成低側柵極驅動器的 TPS40210
2015-05-11 14:16:01
DC-DC升壓芯片,輸入電壓0.65v/1.5v/1.8v/2v/2.5v/2.7v/3v/3.3v/3.6v/5v/12v/24v航譽微HUB628是一款超小封裝高效率、直流升壓穩壓電路。輸入電壓
2020-12-27 11:25:18
（Fairchild典型的開關控制器），電感的一端是連接到DC輸出電壓。另一端通過開關頻率切換連接到輸入電壓或GND。在狀態1過程中，電感會通過（高邊“high-side”）MOSFET連接到輸入電壓。在狀態
2015-05-17 18:25:47
本帖最后由 zhupinchao899 于 2020-4-3 09:26 編輯
YJ2220是一款體積小，效率高的升壓型DC-DC調整器，輸出電壓可通過兩個外部電阻來設定，固定開關頻率1.4MHZ,帶載調整能力強。
2020-04-01 20:46:18
描述DC-DC升壓轉換器DC to DC轉換器在電子發燒友中頗受歡迎，并在業界廣泛使用。非隔離式直流到直流轉換器主要分為三種類型：降壓型、升壓型和降壓-升壓型。在本文/視頻中，我使用了著名
2022-07-26 07:56:08
我使用DC-DC直流升壓模塊，將DC4V供電升壓為DC12V，為用電設備供電。
當單獨提供DC4V，為升壓模塊供電時（不接用電設備），電壓4V，平均電流1mA，24小時平均功耗約為22.9mAH
2023-09-14 15:40:24
我們都知道電感的電流突變，會產生高的電壓，DC/DC輸出端口的電感呢？會不會產生高的電壓？會的話那豈不是會燒壞后面的芯片？不會的話，為什么呢？
2018-12-25 08:32:51
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
2.92A后，MOSFET的傳導損耗更大。不過，圖4中的直流傳導損耗比較不適用于大部分應用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac
2018-08-27 20:50:45
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
應用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
會測量測試電流在二極管上恢復的Eon損耗。 在硬開關導通的情況下，柵極驅動電壓和阻抗以及整流二極管的恢復特性決定了Eon開關損耗。對于像傳統CCM升壓PFC電路來說，升壓二極管恢復特性在Eon
2020-06-28 15:16:35
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。可能有
2019-05-02 09:41:04
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
用于產生高直流輸出電壓，降壓/升壓轉換器則用于產生小于、大于或等于輸入電壓的輸出電壓。本文將重點介紹如何成功應用降壓/升壓DC-DC轉換器。降壓和升壓轉換器已在2011年6月和9月的《模擬對話》中單獨介紹
2018-11-01 11:34:48
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
具有較低導通電阻和非常高的關斷電阻，驅動電路中的功耗大大降低。為在柵極轉換期間控制邊沿速率，Q1 的漏極和Q2的柵極之間外加一個小電阻。使用MOSFET的另一個優點是其易于在裸片上制作，而制作電阻則相對
2021-07-09 07:00:00
負電壓柵極驅動器中的負電壓處理是指承受輸入和輸出端負電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開關轉換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅動器的負電壓承受能力對于穩健可靠的解決方案至關重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
構成的CMOS 升壓DC/DC 控制器。通過使用外接低通態電阻N 溝道功率MOS，即可適用于需要高效率、高輸出電流的應用電路上。通過PWM / PFM 切換控制電路，在負載較輕時，將工作狀態切換為占空
2020-11-09 16:57:23
。在隔離型1/16thbrickDC-DC轉換器應用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位面積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導損耗，從而
2012-04-28 10:21:32
和卓越的電壓調節。 據了解，Linear的LT3840集成的降壓-升壓型穩壓器可產生7.5V MOSFET柵極驅動，以保持在2.5V至60V輸入電壓范圍內提供高效率柵極驅動，抵御高壓瞬態并在汽車冷車
2018-09-27 15:19:03
的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應用中，對MOSFET進行柵控的是可以提供令人滿意的RDS(on)的電壓。額外的柵極電壓會因?C x Vgs x Vgs x f產生功耗，其中柵極
2018-03-03 13:58:23
`羅姆低門驅動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅動類型。 這種廣泛的驅動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
異步DC-DC轉換器中箝位二極管的正向壓降通常會產生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅動器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能，通過配置一
2019-09-25 13:58:43
升壓拓撲結構在功率電子領域非常重要，但是電感值的選擇并不總是像通常假設的那樣簡單。在dc - dc升壓轉換器中，所選電感值會影響輸入電流紋波、輸出電容大小和瞬態響應。選擇正確的電感值有助于優化轉換器
2019-12-11 18:02:31
，MOSFET的傳導損耗更大。不過，圖4中的直流傳導損耗比較不適用于大部分應用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400
2019-03-06 06:30:00
`AP8106 高效低功耗 PFM DC-DC 同步升壓芯片概述AP8106 系列產品是一種低功耗、效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 同步升壓 DC-DC 變換器。AP8106 系列產品僅需要
2021-07-06 11:24:11
`AP8105 低功耗 PFM DC-DC 升壓芯片概述AP8105 系列產品是一種效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 升壓 DC-DC 變換器。AP8105 系列產品僅需要四個外圍元器件，就可
2021-07-06 11:29:18
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
器件相比，具有更低的導通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來源：ROHM Semiconductor）標準硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時，RDS(on) 導通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
用的 MOSFET 的關斷，通常建議使用負柵極驅動電壓（對于 C3M006065D 為-3 V ~ -4 V），以防止因高 dv/dt 引起的串擾而導致快速開關器件的誤導通。但是，在 LLC 電路中，所有
2023-02-27 14:02:43
概述OC6811 是一款具有超低待機功耗、高效率的同步升壓DC-DC，待機電流僅1.8uA。OC6811 采用固定導通時間的PFM 控制方式，在輕載時自動降低開關頻率保持高的轉換效率。OC6811
2020-04-01 10:03:38
就不用柵極電阻控制端直接連向柵極。想問下大家。 1.什么時候可以不加柵極電阻，什么時候需要加上柵極電阻。感覺是和GS間結電容有關或和MOSFET的功率大小有關但具體分析不清楚。2.聽說在不加柵極電阻
2013-02-08 15:28:29
耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業界頂級水平，在ROHM的目前產品陣容中，也是耐壓最高的DC/DC轉換器IC。ROHM在推出該
2019-04-08 08:48:17
轉換器產品陣容中也是最高耐壓的機型。高耐壓的DC/DC轉換器在以電信相關和工業設備為首的應用中、最近在使用電池組的應用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現狀是可供應具有60V以上耐壓的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
產品陣容中也是最高耐壓的機型。高耐壓的DC/DC轉換器在以電信相關和工業設備為首的應用中、最近在使用電池組的應用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現狀是可供應具有60V以上耐壓的DC/DC轉換器
2018-12-04 10:10:43
電壓、輸出電壓都是直流電壓，而且輸入電壓比輸出電壓低，基本拓撲結構如圖對于剛剛開始接觸和學習電路設計的新人來說，扎實的了解和掌握DC-DC變換器的運行情況，是非常有必要的。在平時的工作中，升壓式
2020-11-22 01:00:00
電壓、輸出電壓都是直流電壓，而且輸入電壓比輸出電壓低，基本拓撲結構如圖對于剛剛開始接觸和學習電路設計的新人來說，扎實的了解和掌握DC-DC變換器的運行情況，是非常有必要的。在平時的工作中，升壓式
2021-01-02 09:00:00
· ((3.3mΩ || 0.9mΩ) + 0.7mΩ) = 0.56W在圖 1 所示的 12V 應用中，LTC4234 的 MOSFET 處理的是高漏極至源極電壓情況，此時 SOA 是一個主要的關注點。在正常
2018-10-23 14:26:00
在功率MOSFET的數據表的開關特性中，列出了柵極電荷的參數，包括以下幾個參數，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
異步DC-DC轉換器中箝位二極管的正向壓降通常會產生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅動器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能，通過配置一
2019-03-30 09:36:59
。 啟動時，LTC3786 在 4.5V 至 38V 的輸入電壓范圍內工作，啟動后直至 2.5V 都保持工作，并可調節高達 60V 的輸出電壓。強大的 1.2Ω 內置 N 溝道 MOSFET柵極驅動器能快速
2021-04-19 07:05:41
LT3762 是一款同步升壓型LED控制器，旨在減少高功率升壓型LED驅動器系統中常見的效率損耗源。該器件的同步運行可最大限度地減少異步DC-DC轉換器中箝位二極管的正向壓降通常會產生的損耗。這一
2019-08-02 08:14:26
低Qgd/Qgs(th)比率和高閾值電壓的MOSFET也可降低dv/dt電感誤導通的可能性。欲了解更多信息，請查閱四開關降壓-升壓轉換器柵極驅動器設計注意事項。
2019-07-16 06:44:27
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
，能夠在 MOSFET 關斷狀態下為柵極提供負電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅動器，可輕松用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET以及標準
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
瞬態操作。圖1所示為硬開關關斷瞬態下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉換器中的MOSFET的典型關斷瞬態波形 當驅動器發出關斷信號后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
`AP8106 高效低功耗 PFM DC-DC 同步升壓芯片概述AP8106 系列產品是一種低功耗、效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 同步升壓 DC-DC 變換器。AP8106 系列產品僅需要
2021-07-08 11:22:03
DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內，必須在低柵極電荷
2019-11-30 18:41:39
通；P溝道MOSFET通過施加給定的負的柵-源極電壓導通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉換器中的應用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側開關，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
開關MOS管與線性MOS管的區別，1.是不是開關MOS管的只有“開”與“關”2種狀態？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導通的比率?3.開關的MOS管是使用數字信號控制。而線性的MOS管使用模擬信號控制？
2023-03-15 11:51:44
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
晶體管。P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流;另一方面，采用PNP晶體管的電路中，為了防止PNP晶體管進入飽和狀態而降低輸出能力， 輸入和輸出之間的電壓降不可以
2019-03-11 11:19:44
可用作 K=16/1 的升壓轉換器。固定比率轉換器的工作原理與變壓器極為相似，但它執行的不是 AC-AC 轉換，而是 DC-DC 轉換，輸出電壓為固定比例的 DC 輸入電壓。與變壓器一樣，這種轉換器
2022-10-25 08:00:00
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經直接焊接
2022-09-20 08:00:00
通過金屬物短路，從而避免寄生三極管的意外導通。當柵極沒有加驅動電壓時，功率MOSFET通過反向偏置的P-體區和N-^^的epi層形成的PN結承受高的漏極電壓。在高壓器件中絕大部分電壓由低摻雜的epi層來
2023-02-20 17:21:32
描述 此高功率升壓直流/直流轉換器采用具有低柵極電荷外部 MOSFET 的控制器，針對來自 24V 電源的高達 250W 的負載提供 48V 輸出。特性帶有集成低側柵極驅動器的 TPS40210
2022-09-27 07:52:40
。雖然有許多方式來繪制MOSFET管，但最常見的符號如圖2。注意有且只有三端連接：源極、漏極和柵極；柵極控制從源極到漏極的電流。較小的MOSFET可以在標準的MOS IC裸芯上直接制造，因此它可以是單芯片
2016-01-27 17:22:21
非常重要的。下一篇文章將對準諧振方式進行介紹。關鍵要點:?在使用電源IC的設計中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC。?SiC-MOSFET和Si-MOSFET的柵極驅動電壓VGS不同。?設計中使用了SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC：BD7682FJ-LB。
2018-11-27 16:54:24
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉換器IC的業界頂級水平，在ROHM的目前產品陣容中，也是耐壓最高
2018-12-03 14:44:01
低Qgd/Qgs(th)比率和高閾值電壓的MOSFET也可降低dv/dt電感誤導通的可能性。欲了解更多信息，請查閱四開關降壓-升壓轉換器柵極驅動器設計注意事項。
2018-10-30 09:05:44
的接地點提供高電壓隔離。但是，高頻切換導致次級端電壓轉換的邊沿較短。由于隔離邊界之間的寄生電容，這些快速瞬變而從一側耦合到另一側，這可能導致數據損壞。其表現可能是在柵極驅動信號中引入抖動，或者將信號完全
2018-10-25 10:22:56
所示。PMOS具有較低導通電阻和非常高的關斷電阻，驅動電路中的功耗大大降低。為在柵極轉換期間控制邊沿速率，Q1的漏極和Q2的柵極之間外加一個小電阻。使用MOSFET的另一個優點是其易于在裸片上制作，而
2018-11-01 11:35:35
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
。MOSFET不是邏輯電平，并且引腳DRVUV和DRVSET與INTVCC相連，以提供10V柵極驅動。引腳VPRG1連接到INTVCC，以在第一個通道上選擇5V輸出電壓。圖2顯示了轉換器的效率。DC
2019-10-25 09:59:35
新年伊始，設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統實現更高的效率。高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
為了減小輸出電容和電感的尺寸以節省印刷電路板（PCB）空間，越來越多的高輸入電壓DC/DC轉換器在更高的開關頻率下工作。然而，隨著輸出電壓降至5V和更低，設計更快的開關高輸入電壓降壓DC/DC轉換器
2019-07-16 23:54:06
（+ 3.3V）在SP6642單堿性電池，高效率升壓型DC / DC轉換器中的典型應用。 SP6642 / 6643器件是一款高效，低功耗升壓型DC-DC轉換器，適用于+ 1V輸入，適用于單個堿性電池應用，如尋呼機，遙控器和其他低功耗便攜式終端產品
2019-07-29 06:26:54
本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應用中的優勢。
2011-03-30 16:44:242015 
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經專門設計以最大限度地減小傳導損耗和開關節點振鈴，并提升DC-DC轉換器的整體效率
2011-05-18 09:09:07704 快捷半導體擴大PowerTrench? MOSFET系列產品陣容
提供更高的功率密度與提升開關電源的效率
中電壓MOSFET元件采用高性能矽片減低優化系數，提高同步整流應用的可靠性
2012-08-17 08:52:52860 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上發布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。
2016-03-22 11:44:063151 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器具有強大的柵極驅動
2021-03-19 07:15:03
2 帶MOSFET柵極驅動器的LTC3803LTC4441演示電路升壓轉換器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 使用安森美半導體 40 V 和 80 V 汽車電源模塊的可靠開關性能建議（使用屏蔽柵極 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:23399 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:16589 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02815 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571
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