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電子發燒友網>軍用/航空電子>美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應用提供無與倫比的高功率性能

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應用提供無與倫比的高功率性能

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目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27

意法半導體推出功能豐富的電氣隔離柵極驅動器,碳化硅或硅功率晶體管提供更好控制和保護

位功能,可用于各種開關拓撲控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳,設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25

標準硅MOSFET功率晶體管的結構/二次擊穿/損耗

1000 V類型,一些日本制造商提供1700V,但缺點是芯片尺寸隨電壓增加。除了大型芯片的成本外,它們的電容也變得過高。  2、二次擊穿  另一個問題是存在與輸出并聯的寄生NPN雙極晶體管。制造商吹捧
2023-02-20 16:40:52

概述晶體管

的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管功率晶體管,一般功率晶體管功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?

換向故障損壞。總之,與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29

氮化鎵晶體管GaN的概述和優勢

的X-GaN柵極驅動器。X-GaN驅動器IC針對高達2 MHz的開關頻率進行了優化,并提供了解鎖晶體管全部性能的簡便方法。除了優化的柵極控制端子外,還提供了額外的集成功能 - 例如用于(可選)產生負
2023-02-27 15:53:50

消費類電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管

)使用,ASR用于監視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。    在2.7至2.9GHz頻段上,2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12dB功率增益和53%漏極效率功能,經過單一器件
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和頻率應用的舍入 GaN晶體管

和頻率電子應用中實現更高的效率而制造的。ST’s vipergan50電壓轉換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一種基于 GaN 晶體管功率轉換器,
2022-06-15 11:43:25

電流旁路對GaN晶體管并聯配置的影響

`  引言  在功率變換器應用中,寬帶隙(WBG)技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15

直接驅動GaN晶體管的優點

受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。電壓(600V)氮化鎵(GaN電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

第三代半導體材料盛行,GaNSiC如何撬動新型功率器件

遷移率低的問題,且能很好地與MOS器件工藝兼容。研究出的SiCBCMOS器件遷移率達到約720cm2/(V·s);SiC雙極晶體管(BJT)在大功率應用時優勢明顯;經研究得到了擊穿電壓1.677kV。開
2017-06-16 10:37:22

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

,典型能效55%,P1dB輸出功率700瓦,增益16dB,并具備低熱阻特性。  新晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統應用提供一系列射頻功率晶體管,額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26

非線性模型如何幫助進行GaN PA設計?

未轉換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散(除非晶體管的效率100%)。· 因此,GaN 晶體管變得非常熱,熱管理成為重要的設計考慮因素。幸運的是,碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07

CGHV40180F氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CHK8101-SYC 是一款無與倫比電子遷移率晶體管

United Monolithic Semiconductors 的 CHK8101-SYC 是一款無與倫比電子遷移率晶體管 (HEMT),工作頻率 DC 至 6 GHz。它提供超過 15 W
2022-09-07 14:37:30

美高森美提供S波段RF功率晶體管系列新品

美高森美公司近日推出基于碳化硅襯底氮化鎵技術的射頻 RF 晶體管系列,新型的S波段500W RF器件2729GN-500,主要應用在大功率空中交通的機場管制及雷達監視等應用。
2012-11-30 10:10:10690

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前,射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵(GaN晶體管,所有產品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:371842

功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能指南

這篇文章的目的是提供一個指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:1123

高效率750W射頻功率晶體管可實現更緊湊的功率放大器設計

荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%,為同類最佳,其堅固耐用型設計也使其成為了工業和專業射頻能源應用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:06965

Ampleon推出750W射頻功率晶體管 可減少定輸出功率所用能量

埃賦隆半導體(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%,為同類最佳,其堅固耐用型設計也使其成為了工業和專業射頻能源應用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:172639

UMS毫米波內部匹配GAN功率晶體管

雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap?GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14395

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