晶體管直流穩壓源 |
一、穩壓電源的技術指標 |
直流穩壓電源的技術指示如下: (1)最大輸出直流電流Iomax:表明該穩壓電源的負荷能力,與整流管和調整管的最大允許電流IcM有關 (2)額定輸出穩壓直流電壓Uo:分別定壓式和調壓式兩種 (3)穩壓系數數S:表示在負載電流與環境溫度保持不變的情況下,由于輸入電壓Ui的變化而引起的輸出電壓的相對變化量與輸入電壓的相對變化量的比值,即: S=(△Uo/Uo)/(△Ui/Ui) S越小,電源的穩定性越好,通常S約為10-10。 (4)輸出阻抗Ro:表示當輸入電壓和環境溫度保持不變時,由于負載電流Io和變化而引起的輸出電壓的變化量與負載電流的變化量的比值,即 Ro=△Uo/△Io 可見,如果Ro越小,則說明輸出電壓的變化越小。 (5)紋波系數y:輸出電壓中交流分量占額定輸出直流電壓的百分比,即 r=[(U-)/Uo]×100% 顯然,r越小越好,通常穩定電源的紋波電壓只有幾毫伏,甚至小于1毫伏 |
二、整流與濾波電路 |
1、整流電路 常用的整流有半波、全波、橋式、對偶、倍壓式整流電路,它們都是利用二極管的單向導電性把交流電壓變為直流電壓,不同形式的整流電路對變壓器及二極管的要求也不同,其特點和要求列于表一中 |
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2、濾波電路 |
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注:r是輸出電壓的紋波系數數 r=輸出電壓交流分量有效值(伏)/輸出直流電壓(平均值)(伏) r越小,濾波性能越好。通常r為百分之幾至千分之幾。 采用電感濾波時,應考慮到在電源斷開時,電感線圈兩端會產生較大的感應電勢,所以選用整流二極管的電壓特級應留有一定余量,以防擊穿。 |
三、并聯式穩壓電源 |
若調整元件與負載并隨著,稱為并聯穩壓電源,如圖1所示,圖中穩壓管Dz作為調整無件,通常Dz運用在反向擊穿狀態,所以,Dz在中路中的接法要使Iz的方向與Dz方向相反,由于穩壓管Dz反向擊穿時,具有穩壓特性,即穩壓管中電Iz在Izmin-Izmax范圍內變化時,穩壓管的端電壓Uz幾乎并聯式穩壓電源結構簡單,輸出電流小,適用于固定穩壓的基準電源及用作晶體管穩壓電路中的輔助電源,圖2給出幾種參考電路。 |
圖一 |
圖二 | 圖三 |
圖三是晶體管并聯穩壓電源。以晶體管BG2與BG3作調整元件,它與負載相并聯,故屬并聯式穩壓電路,BG1為放大元件,若輸入電壓|Ui|增加時,|UR2|和|Ue1|也增加,而BG2、BG3集射之間的電阻減小,因此輸入電壓增量基本上降落在R1上,從而保證U2穩定。 |
- 組圖晶體(5856)
- 流穩壓源(5899)
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2023-02-06 16:21:59
數字晶體管的原理
直流電流增益率的關系式GI:數字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
數字晶體管的原理
下面的關系式。■數字晶體管直流電流增益率的關系式GI:數字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE
2019-04-09 21:49:36
概述晶體管
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個)、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經構成
2019-05-05 01:31:57
氮化鎵晶體管GaN的概述和優勢
,例如在線路浪涌的情況下,松下X-GaN器件的設計具有很大的漏極 - 源極擊穿極限。實際上,當前可用的符合600V操作的晶體管的靜態場依賴擊穿電壓在900V至1kV的范圍內(圖7)。作為副作用,它允許
2023-02-27 15:53:50
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?
和500KHz的半橋LLC諧振轉換器的拓撲結構。在較高頻率下,無源諧振電路(例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器)的尺寸明顯減小,從而提高了功率密度。此外,還需要考慮功率晶體管(Q1和Q2)的選擇,以權衡
2023-02-27 09:37:29
電子管與晶體管在結構和應用上的區別
電子產品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
電流旁路對GaN晶體管并聯配置的影響
的電荷差使柵極電壓VG變為負值,從而在硬開關應用中關斷晶體管。 圖1:E模式GaN HEMT等效電路(左)和建議的驅動方案(右)。 當并聯配置CoolGaN?晶體管時,可使用相同參數的RC驅動網絡
2021-01-19 16:48:15
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區別
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結隔離槽的集成電路才能制作這種結構的管子。由于這種結構管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
芯片里面100多億晶體管是如何實現的
柵極的原材料,下面的絕緣體就是二氧化硅。平臺的兩側通過加入雜質就是源極和漏極,它們的位置可以互換,兩者之間的距離就是溝道,就是這個距離決定了芯片的特性。 當然,芯片中的晶體管不僅僅只有Mos管這一
2020-07-07 11:36:10
請問圖中這個電路晶體管如何be如何負偏置嗎?
請問能幫忙分析這個電路晶體管如何be如何負偏置嗎?貌似VCC會對Vin造成直流干擾吧?在Vin和Lb間要加一個隔直電容吧?
2019-04-15 06:36:28
資深工程師談晶體管使用心得:用晶體管來實現功率負載的控制
集成電路來實現一些常見的功能,如擴流、恒流、穩壓等。本文也就正是基于這方面,和大家分享一下晶體管的使用心得,希望能對初學者有一定的幫助,老司機可以直接忽略在下的班門弄斧了。首先來看一個負載控制的實例
2016-06-03 18:29:59
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