1.世界集成電路的發(fā)展歷史
　　　1947年：貝爾實驗室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術發(fā)展中第一個里程碑；
　　1950年：結型晶體管誕生；
　　1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝；
　　1951年：場效應晶體管發(fā)明；
　　1956年：C S Fuller發(fā)明了擴散工藝；
　　1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學的歷史；
　　1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝；
　　1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管；
　　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝；
　　1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；
　　1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）；
　　1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導體設備制造公司；
　　1971年：Intel推出1kb動態(tài)隨機存儲器（DRAM），標志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)；
　　1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發(fā)明；
　　1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802；
　　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
　　1978年：64kb動態(tài)隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時代的來臨；
　　1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC；
　　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
　　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
　　1985年：80386微處理器問世，20MHz；
　　1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段；
　　1989年：1Mb DRAM進入市場；
　　1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝；
　　1992年：64M位隨機存儲器問世；
　　1993年：66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μｍ工藝；
　　1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工藝；
　　1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝；
　　1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μｍ工藝，后采用0.18μm工藝；
　　2000年: 1Gb RAM投放市場；
　　2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μｍ工藝；
　　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工藝。
　　2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。
　　2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。
　　2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
　　2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。
　　2.我國集成電路的發(fā)展歷史
　　我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：
　　1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
　　1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化；
　　1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發(fā)基地的建設，為信息產(chǎn)業(yè)服務，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。