模塊的 5 大關(guān)鍵性指標(biāo)。 第一個(gè)指標(biāo)： WiFi 模塊的 發(fā)射功率 在不同無線協(xié)議下，發(fā)射功率均不相同。 SKYLAB 的 WIFI 模塊一般發(fā)射功率是在 18dBm 左右，大功率的 WIFI 模塊
2018-07-27 11:38:15
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PCB布局的關(guān)鍵：開關(guān)節(jié)點(diǎn)走線尺寸滿足電流？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（3）
2023-08-08 11:00:521005 意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
5G在核心網(wǎng)部分不會(huì)有太大的變動(dòng)，5G的關(guān)鍵技術(shù)集中在無線部分。雖然5G最終將采用何種技術(shù)，目前還沒有定論。不過，綜合各大高端論壇討論的焦點(diǎn)，我今天收集了8大關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)然，應(yīng)該遠(yuǎn)不止這些。
2019-07-10 06:10:51
摘要：本文闡述了MOSFET驅(qū)動(dòng)的基本要求以及在各種應(yīng)用中如何優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)關(guān)鍵詞： MOSFET 驅(qū)動(dòng)， MOSFET 并聯(lián) 1．引言隨著電源高效，高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到
2018-12-10 10:04:29
、關(guān)斷延遲時(shí)間：：Td(off）、下降時(shí)間：tf。下面是從以低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)為特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術(shù)規(guī)格中摘錄的內(nèi)容。這些參數(shù)的名稱和符號(hào)，各廠家間可能
2018-11-28 14:29:57
提高電源的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。此外，它還會(huì)提高電磁干擾的噪聲水平，從而使設(shè)計(jì)出的產(chǎn)品達(dá)不到理想的性能。若要最大限度降低電路板布局帶來的影響，設(shè)計(jì)人員必須確保通過將驅(qū)動(dòng)和MOSFET盡可能地背靠背放置，從而
2019-05-13 14:11:31
等的再生電流的高速路徑，需要2個(gè)FRD。這樣一來，添加FRD必然會(huì)使元器件數(shù)量增加，而且MOSFET導(dǎo)通時(shí)的漏極電流（Id）路徑中也因添加FRD而導(dǎo)致?lián)p耗增加。PrestoMOS通過實(shí)現(xiàn)內(nèi)部二極管
2018-11-28 14:27:08
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。?有五個(gè)SOA的制約要素，不滿足其中任何一個(gè)要素的要求都有可能會(huì)造成損壞
2022-07-26 18:06:41
**關(guān)鍵遙信量性能缺失的分析報(bào)告**關(guān)鍵遙信量性能缺失是指鐵塔基站的開關(guān)電源監(jiān)控異常或無法正常監(jiān)控，目前考核性能缺失包含三個(gè)方面：一級(jí)低壓脫離告警；交流輸入停電告警；直流輸出電壓過低告警。一.公司
2021-11-12 07:28:48
開關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其
2017-01-09 18:00:06
，是功率變換領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。三是采用新型電容器。為了減小電力電子設(shè)備的體積和重量，必須設(shè)法改進(jìn)電容器的性能，提高能量密度，并研究開發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻
2017-03-22 11:57:37
新型開關(guān)電源，有需要的請(qǐng)下載。
2015-09-06 17:32:22
間距。如今，我在行業(yè)市場(chǎng)遇見的每個(gè)人，無論是生產(chǎn)電源、電池保護(hù)裝置還是電動(dòng)工具，幾乎都對(duì)尺寸變小或性能提升（或兩個(gè)特點(diǎn)兼具）的負(fù)載開關(guān)有些興趣。因此，如果您的工業(yè)設(shè)計(jì)需要使用不少的SOT-23或更大的負(fù)載開關(guān)，請(qǐng)考慮選擇我們的新型CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB會(huì)在稍后感謝您。
2018-08-29 16:09:11
Maurice Moroney 市場(chǎng)經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關(guān)
2018-10-16 21:19:44
Maurice Moroney市場(chǎng)經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關(guān)頻率
2018-10-16 06:20:46
Maurice Moroney市場(chǎng)經(jīng)理ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關(guān)頻率將
2018-10-24 09:47:32
【作者】：于克訓(xùn);任章鰲;婁振袖;潘垣;【來源】：《湖北工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)》2010年01期【摘要】：集成門極換向晶閘管(IGCT)是新型電力半導(dǎo)體開關(guān),具有耐壓高、電流大、開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)越性能
2010-04-24 09:07:39
%,開關(guān)頻率就可以從500kHz（TrenchFET MOSFET）增加到1MHz（NexFET MOSFET）。當(dāng)開關(guān)電源工作在更高的頻率時(shí),無源器件,例如輸出電感等的尺寸就可以減少50%,這也改善
2012-12-06 14:32:55
“各得其所”作為目標(biāo)，具有諸多優(yōu)點(diǎn)。家族的產(chǎn)品陣容再豐富，如果電源IC的性能與所需功能不滿足最新的要求，就沒有任何意義。以BD9C301FJ的特征與規(guī)格為例。BD9C301FJ是在3A的1ch同步整流
2018-12-04 10:06:42
納米制造的缺陷及后果是什么？SOC設(shè)計(jì)中的同步問題有哪些？高速ATE通道的關(guān)鍵要求是什么？
2021-05-17 07:03:10
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
Java語言學(xué)習(xí)六大關(guān)鍵
2021-01-01 07:59:00
有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。高速、低噪聲 KN系列KN系列是繼承EN系列的低噪聲性能，并改善了高速性能的系列。當(dāng)然，依然保持低導(dǎo)通電阻。為提高開關(guān)速度，降低了Rg和Qgd
2018-12-04 10:17:20
C51單片機(jī)LCD1602驅(qū)動(dòng)程序LCD1602簡(jiǎn)介1602的引腳操作時(shí)序?qū)懖僮鲿r(shí)序時(shí)序參數(shù)LCD1602關(guān)鍵性操作一、初始化二、清屏指令二、進(jìn)入模式設(shè)置指令三、顯示開關(guān)控制指令四、功能設(shè)定指令
2021-11-18 08:56:46
，建議采用單級(jí)電路用陶瓷電容就可以了。”他強(qiáng)調(diào)。“對(duì)于不太關(guān)注調(diào)光功能、高溫環(huán)境及需要高可靠性的工業(yè)應(yīng)用來說，我強(qiáng)烈建議不采用電解電容進(jìn)行設(shè)計(jì)。” 三、MOSFET的耐壓不要低于700V 耐壓600V
2019-10-11 16:08:50
的基礎(chǔ)。MOSFET設(shè)計(jì)的改進(jìn)可使電路設(shè)計(jì)者充分發(fā)揮改進(jìn)器件的性能，比如開關(guān)性能的提高和其他幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的改善，可確保轉(zhuǎn)換器能夠更高效地運(yùn)行。某些情況下，還可對(duì)設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行修改。若不采用這些改進(jìn)
2018-12-07 10:21:41
PWM開關(guān)調(diào)整器的應(yīng)用電路PWM開關(guān)調(diào)整器在單片或同一封裝中，含有控制電路和高壓功率開關(guān)MOSFET。本文重點(diǎn)介紹PWM開關(guān)調(diào)整器的典型應(yīng)用電路。關(guān)鍵詞：PWM與功率MOSFET組合調(diào)整器應(yīng)用電路一
2010-01-10 12:15:51
小的應(yīng)用中希望采用更小封裝的IC是很自然的愿望。SJ MOSFET在滿足該需求方面功不可沒。－ 但是，AC/DC轉(zhuǎn)換器的其他元器件可能比較大。關(guān)于這點(diǎn)在前面也稍微提到過一些，SJ MOSFET的高速
2019-04-29 01:41:22
。另外，這里提供的數(shù)據(jù)是在ROHM試驗(yàn)環(huán)境下的結(jié)果。驅(qū)動(dòng)電路等條件不同，結(jié)果也可能不同。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導(dǎo)通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
Si-MOSFET大，因此要想實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，需要使外置柵極電阻盡量小，小到幾Ω左右。但是，外置柵極電阻還承擔(dān)著對(duì)抗施加于柵極的浪涌的任務(wù)，因此必須注意與浪涌保護(hù)之間的良好平衡。關(guān)鍵要點(diǎn):?為使
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例2：脈沖電源脈沖電源是在短時(shí)間內(nèi)瞬時(shí)供電的系統(tǒng)，應(yīng)用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關(guān)，但市場(chǎng)需要更高耐壓更高速
2018-11-27 16:38:39
我想運(yùn)用生成即保證正確（correct-by-construction）規(guī)則設(shè)計(jì)多處理器混合關(guān)鍵性系統(tǒng)，請(qǐng)問生成即保證正確（correct-by-construction）規(guī)則可用嗎？在什么情況下可用？
2016-02-17 16:18:34
概述 為了能夠給用戶提供可靠的通信保證，移動(dòng)通信系統(tǒng)的無線網(wǎng)絡(luò)必須滿足合適的性能指標(biāo)。覆蓋、容量、切換性能，都是衡量一個(gè)移動(dòng)通信系統(tǒng)無線網(wǎng)絡(luò)性能的關(guān)鍵指標(biāo)(KPI)。 對(duì)于TD-SCDMA系統(tǒng)
2019-06-05 08:14:59
溫度為-40°C至105°C應(yīng)用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器線路驅(qū)動(dòng)器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚?fù)載。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)-雙
2020-10-14 16:57:53
VoLTE端到端部署10大關(guān)鍵問題你都了解嗎
2021-05-21 06:18:42
，Yokogawa提供關(guān)鍵性設(shè)計(jì)工具，例如強(qiáng)大的三合一DL9000 MSO系列。此儀器融合了串行總線分析儀、邏輯分析儀和傳統(tǒng)示波記錄儀的功能，以實(shí)現(xiàn)最高的靈活性和性能。 不僅如此，Yokogawa的功率測(cè)量
2018-07-27 18:30:03
版）實(shí)用電力電子技術(shù)叢書《MOSFET、IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用》MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)電源中的MOSFET性能的四項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試PFC中開關(guān)mosfet驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與講解電流采樣運(yùn)放電路、電壓電流的跟蹤比較器電路、開關(guān)mosfet驅(qū)動(dòng)電路的聯(lián)動(dòng)分析
2019-04-19 17:45:32
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評(píng)估版以測(cè)試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動(dòng)，望批準(zhǔn)！項(xiàng)目計(jì)劃1
2020-04-24 18:08:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
控，不同架構(gòu)對(duì)各應(yīng)用有不同的優(yōu)勢(shì)。 ADI的技術(shù)可滿足廣泛應(yīng)用的需求，從微功耗、ksps級(jí)低端功率處理能力到超高速、低偏斜隔離，應(yīng)有盡有。 魯棒性是新型隔離器向前發(fā)展的關(guān)鍵指標(biāo)，我們的產(chǎn)品具有最佳的共模瞬變抗擾度、直接功率注入和輻射性能。
2018-10-29 16:37:37
或電容。數(shù)據(jù)傳輸。它可以是邊沿編碼、開關(guān)鍵控或脈寬調(diào)制。封裝。其特性有材料等級(jí)、爬電距離和電氣間隙等。 數(shù)據(jù)傳輸如何影響隔離器性能哪些因素決定隔離器的電氣性能？編碼。在編碼中會(huì)有一些編碼開銷，編碼可以
2018-09-03 11:57:50
現(xiàn)代化戰(zhàn)爭(zhēng)對(duì)吸波材料的吸波性能要求越來越高，一般傳統(tǒng)的吸波材料很難滿足需要。由于結(jié)構(gòu)和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術(shù)的新亮點(diǎn)。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
需求為：功率消耗、外形因素、敏感性和成本。滿足這些需求不單意味著目前傳感器應(yīng)用的提高，同時(shí)還意味著新應(yīng)用的出現(xiàn)，包括聲源定位、精確的運(yùn)動(dòng)跟蹤、便攜式過敏原檢測(cè)等。據(jù)報(bào)告，這些需求對(duì)于傳感器的激增尤其關(guān)鍵
2018-10-18 11:20:40
畢設(shè)要求做一個(gè)脈沖發(fā)生器模擬局部放電脈寬需要達(dá)到納秒級(jí)別我的想法是通過開關(guān)器件的高速開關(guān)來產(chǎn)生脈沖，然后用pwm芯片來控制開關(guān)管的導(dǎo)通現(xiàn)在的問題是，納秒級(jí)別，也就是100MHz左右的頻率，用mosfet和基于dds芯片產(chǎn)生的pwm控制信號(hào)可以完成這樣的頻率要求嗎？
2016-04-21 16:01:49
如圖所示，我想用pmos開關(guān)電路實(shí)現(xiàn)高速小脈沖信號(hào)的放大，但是現(xiàn)在做出的實(shí)物和仿真差異很大，經(jīng)測(cè)試其他電路元件性能和仿真相近，選用的pmos無法滿足1MHz的開關(guān)速度，導(dǎo)致脈沖波形失真。請(qǐng)各位大佬給
2020-06-08 11:55:04
功率三極管（GTR）來做比較的：優(yōu)點(diǎn)—開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)方便等；缺點(diǎn)—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因?yàn)槟蛪焊叩墓β?MOSFET 的通態(tài)電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
請(qǐng)問如何通過MOSFET上的導(dǎo)通時(shí)間tdon，上升沿時(shí)間tr，關(guān)斷時(shí)間toff，下降沿時(shí)間tf 來確定 MOSFET 的開關(guān)頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
問題。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
業(yè)界為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)邁出了重要步驟，為2018年有可能成為物聯(lián)網(wǎng)真正起飛的一年鋪平了道路。以下是去年推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的十大關(guān)鍵技術(shù)。
2020-10-23 10:02:04
時(shí)鐘設(shè)備設(shè)計(jì)使用 I2C 可編程小數(shù)鎖相環(huán) (PLL)，可滿足高性能時(shí)序需求，這樣可以產(chǎn)生零 PPM（百萬分之一）合成誤差的頻率。高性能時(shí)鐘 IC 具有多個(gè)時(shí)鐘輸出，用于驅(qū)動(dòng)打印機(jī)、掃描儀和路由器等
2019-08-12 06:50:43
運(yùn)算與抓取顯然是難以滿足物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代發(fā)展需求的，于是，具有自我運(yùn)算、判斷能力的人工智能技術(shù)勢(shì)必將成為下一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，不論是IBM，還是阿里、百度、360等都已經(jīng)開始布局云平臺(tái)。顯然，他們已經(jīng)
2019-05-09 06:20:34
泰克公司最近宣布首款經(jīng)驗(yàn)證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的新型示波器平臺(tái)ASIC各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)優(yōu)于規(guī)定要求，實(shí)現(xiàn)了新型高性能示波器的設(shè)計(jì)目標(biāo)，使多通道帶寬達(dá)
2019-07-24 07:47:20
轉(zhuǎn)換，所以稱為 Half flash(半快速)型。還有分成三步或多步實(shí)現(xiàn)AD轉(zhuǎn)換的叫做分級(jí)(Multistep/Subrangling)型AD，而從轉(zhuǎn)換時(shí)序角度又可稱為流水線(Pipelined)型
2019-01-04 10:33:44
性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文介紹了混頻器的關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。
2019-06-26 07:33:14
盡管MOSFET在開關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對(duì)于MOSFET開關(guān)過程仍然有一些疑惑，本文先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模軟件、硬件及高性能測(cè)試儀器儀表的集成與應(yīng)用，將為無線電管理機(jī)構(gòu)、科研院所及業(yè)界相關(guān)單位等提供良好的無線電系統(tǒng)研究、開發(fā)與驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)環(huán)境。面向5G關(guān)鍵技術(shù)評(píng)估工作，監(jiān)測(cè)中心計(jì)劃利用該平臺(tái)
2017-12-07 18:40:58
平坦的白噪聲占主導(dǎo)地位。
總的來說，閃爍噪聲可能對(duì)MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲、總體性能等產(chǎn)生負(fù)面影響。然而，具體的性能影響會(huì)取決于噪聲的強(qiáng)度以及器件和電路的其他具體設(shè)計(jì)參數(shù)。
2023-09-01 16:59:12
化的SJ-MOSFET。通過降低柵極電阻Rg和柵極-漏極間電荷量Qgd，提高了開關(guān)性能。通過提高開關(guān)速度，可降低開關(guān)損耗并提高效率。最后列出了這三個(gè)系列相關(guān)技術(shù)信息的鏈接。這里雖然給出了各系列的特征，但為了進(jìn)一步
2018-12-03 14:27:05
射頻電路應(yīng)用設(shè)計(jì)的關(guān)鍵性培訓(xùn)資料
1. Implications of Grounding 2. Possible Problems Hidden
2009-05-07 19:38:38
28 射頻電路應(yīng)用設(shè)計(jì)的關(guān)鍵性課題:1. Interference and Isolation o
2009-05-07 19:39:4722 TGA2700TGA2700 關(guān)鍵性能頻率范圍：7至13 GHz25 dB標(biāo)稱增益30dBm輸出功率@Pin=10dBm，中頻12 dB輸入回波損耗10 dB輸出回波損耗0.25 um 3MI
2024-03-22 00:25:17
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)
2009-07-20 16:03:00564 
ADI新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器助力提高系統(tǒng)可靠性
ADI公司最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14 ns 至35 ns 的傳
2009-12-03 08:34:14753 具有高開關(guān)速度和過溫保護(hù)功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14
2009-12-03 10:03:511027 滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET
2012-08-29 14:52:06771 
基于鏈路關(guān)鍵性的流量工程路由算法_徐亞峰
2017-03-16 08:00:000 選擇GPS模塊要關(guān)注哪些關(guān)鍵性能指標(biāo)。GPS模塊性能指標(biāo)主要有接收靈敏度、定位時(shí)間、位置精度、功耗、時(shí)間精度等。
一 GPS模塊的靈敏度 隨著GPS?應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)展，業(yè)界對(duì)GPS?接收機(jī)
2017-09-04 14:00:4112 性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文介紹了混頻器的關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。 無線基站接收機(jī) 我們首先分析無線基站中的典型接收機(jī)方框圖(圖1)。 圖1. 無線基站接收機(jī)典型框圖 因?yàn)榻邮盏降男盘?hào)經(jīng)過
2017-11-24 14:07:01467 
性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文介紹了混頻器的關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。
2019-03-18 16:01:227396 
富士伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器選型6大關(guān)鍵性參數(shù) 伺服電動(dòng)機(jī)是利用反饋來實(shí)現(xiàn)以工作為變量的系統(tǒng)的閉環(huán)控制的電動(dòng)機(jī)。交流感應(yīng)電機(jī)設(shè)計(jì)用于伺服操作以直角纏繞兩相。固定參考繞組由固定電壓源激勵(lì)，而伺服放大器的可變控制
2020-06-28 17:55:282978 電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">高速、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關(guān)穩(wěn)壓器，如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。這視頻討論功率MOSFET，特別是安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:003591 
Nashua，N.H。 - 提高帶寬和靈活性是Teradyne，Inc。連接系統(tǒng)部門（TCS）新型GbX 2對(duì)連接器的兩大關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。專為具有嚴(yán)格插槽限制的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如刀片服務(wù)器市場(chǎng)，新型連接器
2019-10-06 17:08:001568 性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文介紹了混頻器的關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。
2020-08-14 18:52:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供汽車圖像傳感器的關(guān)鍵性能和主要應(yīng)用資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:45:084 無線基站通信標(biāo)準(zhǔn)，例如GSM、UMTS和LTE，定義了不同參數(shù)的下限指標(biāo)，包括接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。這些關(guān)鍵指標(biāo)對(duì)無線基站中的每個(gè)射頻功能模塊提出了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在接收信號(hào)通路，混頻器性能主要影響接收機(jī)的靈敏度和大信號(hào)性能。本文所介紹的混頻器關(guān)鍵性能和參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)接收通道時(shí)選擇最佳的混頻器。
2021-05-19 09:20:329157 
的研發(fā)帶來新的挑戰(zhàn)，其中電源的設(shè)計(jì)便首當(dāng)其沖。 上篇中，我們介紹了車機(jī)系統(tǒng)中一級(jí)電源和二級(jí)電源的性能要求，今天我們來看一看下篇： 攝像頭供電和USB充電的關(guān)鍵性能 01如何解決環(huán)視攝像頭的供電問題 將環(huán)視攝像頭的圖像處理
2021-11-06 10:39:324102 
信號(hào)鏈和通信設(shè)備的影響，包括壓差電壓、電流限制、電源抑制比 (PSRR)、噪聲、散熱等。此外，視頻還介紹了其關(guān)鍵性能特性，給出了示例應(yīng)用程序并回答了一些常見問題。
2022-06-09 11:23:031029 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956 大家分別從導(dǎo)熱硅脂的應(yīng)用性、操作性、耐候可靠性等方面講解幾個(gè)關(guān)鍵的性能，以便廣大用戶選型時(shí)有所依據(jù)。 導(dǎo)熱硅脂 一、導(dǎo)熱系數(shù) ? 導(dǎo)熱系數(shù)是導(dǎo)熱硅脂應(yīng)用過程重要指標(biāo)之一，一般用戶都缺少直接測(cè)試導(dǎo)熱系數(shù)的儀器，均是
2022-11-07 17:38:361017 
連接器普遍應(yīng)用在各種環(huán)境中，特別是在振動(dòng)、濕氣和腐蝕等特殊環(huán)境中連接器需擁有一些出色的性能，以應(yīng)對(duì)多種惡劣的環(huán)境。本文康瑞連接器廠家主要為大家分享特殊環(huán)境中連接器應(yīng)具備的關(guān)鍵性能。
2023-02-22 14:40:12350 本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
為了追求高頻高速電路具有更好信號(hào)完整性（Signal Integrity，縮寫SI），覆銅板要實(shí)現(xiàn)（特別在高頻下實(shí)現(xiàn)）更低的信號(hào)傳輸損耗性能。這需要覆銅板在制造中所采用的導(dǎo)體材料--銅箔，具有低輪廓度的特性。
2023-05-17 14:58:232771 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 
選擇BGA維修設(shè)備時(shí)，關(guān)注其關(guān)鍵性能指標(biāo)是非常重要的，它可以幫助您更好地識(shí)別并獲得最佳的維修設(shè)備。本文將從六個(gè)方面來介紹BGA維修設(shè)備的關(guān)鍵性能指標(biāo)，以幫助您作出更好的決定。 首先是精度指標(biāo)。BGA
2023-06-16 14:05:53285 
恒溫恒濕試驗(yàn)箱：關(guān)鍵性能與選型策略
2023-10-15 20:42:13303 
成就更好5G的五大關(guān)鍵
2023-01-13 09:07:062 深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 
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