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　　大家都知道，IGBT單管相當的脆弱，同樣電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機帶載就炸了。這一點很多人估計都深有體會。當時我看到做魚機的哥們用FGH25N120AND這個，反映很容易就燒了，當時不以為然。

　　只到我在工作中遇到，一定要使用IGBT的時候，我才發現我錯了，當初我非常天真的認為，一個IRFP460,20A/500V的MOSFET，我用個SGH40N60UFD40A/600V的IGBT上去怎么樣也不會炸的吧，實際情況卻是，帶載之后，突然加負載和撤銷負載，幾次下來就炸了，我以為是電路沒有焊接好，然后同樣的換上去，照樣炸掉，這樣白白浪費了好多IGBT。

　　后來發現一些規律，就是采用峰值電流保護的措施就能讓IGBT不會炸，下面我就會將這些東西一起詳細的說一說，說的不好請大家見諒，這個帖子會慢慢更新，也希望高手們多多提出意見。

　　我們將這個問題看出幾個部分來解決：

　　1，驅動電路;

　　2，電流采集電流;

　　3，保護機制;

　　一、驅動電路

　　這次采用的IGBT為IXYS的，IXGH48N60B3D1，詳細規格書如下：IXGH48N60B3D1

　　驅動電路如下：

　　這是一個非常典型的應用電路，完全可以用于IGBT或者MOSFET，但是也有些不一樣的地方。

　　1，有負壓產生電路，

　　2，隔離驅動，

　　3，單獨電源供電。

　　首先我們來總體看看，這個電路沒有保護，用在逆變上100%炸，但是我們可以將這個電路的實質摸清楚。

　　先講講重點：

　　1：驅動電阻R2，這個在驅動里頭非常重要，圖上還有D1配合關閉的時候，讓IGBT的CGE快速的放電，實際上看需要，這個D1也可以不要，也可以在D1回路里頭串聯一個電阻做0FF關閉時候的柵極電阻。