傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源面積大、功耗大、不適應(yīng)低功耗小面積的要求。本文立足于低功耗、小面積、利用工作于弱反型區(qū)晶體管的特點(diǎn)，對(duì)傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源做出改進(jìn)，設(shè)計(jì)了一款
2011-10-09 11:22:04
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帶隙基準(zhǔn)電壓源的目的是產(chǎn)生一個(gè)對(duì)溫度變化保持恒定的量，由于雙極型晶體管的基極電壓VBE，其溫度系數(shù)在室溫(300 K)時(shí)大約為-2.2 mV/K
2011-11-23 09:19:323218 
基準(zhǔn)電壓是集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要部分，特別是在高精度電壓比較器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及A／D和 D／A轉(zhuǎn)換器等中，基準(zhǔn)電壓隨溫度和電源電壓波動(dòng)而產(chǎn)生的變化將直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此，在高精度的應(yīng)用場(chǎng)合，擁有一個(gè)具有低溫度系數(shù)、高電源電壓抑制的基準(zhǔn)電壓是整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的前提。
2021-02-22 10:36:413721 
今天和大家分享一下基準(zhǔn)電壓源(一般稱為Vref)的一些設(shè)計(jì)知識(shí)。首先基準(zhǔn)電壓源，顧名思義，其輸出電壓是很穩(wěn)定的，可以作為穩(wěn)定性要求高的一些場(chǎng)合，作為基準(zhǔn)源使用，尤其是一些需要穩(wěn)定電源的ADC芯片
2022-09-06 17:00:563491 
電子設(shè)備必須能夠?qū)⒄鎸?shí)世界的測(cè)量結(jié)果(速度、壓力、長(zhǎng)度、溫度)映射到電子世界中的可測(cè)的量(電壓)。當(dāng)然，要測(cè)量電壓，您需要一個(gè)衡量標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)就是基準(zhǔn)電壓。對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而言，問(wèn)題不在于是否需要基準(zhǔn)
2023-07-17 11:40:001247 
本次仿真的是2018年的論文[1]，無(wú)三極管和電阻的，利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管，極大減小了面積和功耗，能在低壓工作，溫度特性好，但基準(zhǔn)輸出值不太好調(diào)節(jié)。
2023-11-21 18:25:33751 
傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)如圖1所示，雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓差ΔVBE具有正溫度系數(shù)，而雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE具有負(fù)溫度系數(shù)，如果將兩個(gè)電壓進(jìn)行相加，理論上就可以通過(guò)設(shè)計(jì)合適的參數(shù)實(shí)現(xiàn)零溫度系數(shù)電壓，如圖2。具體可以參考拉扎維模集的第12章的內(nèi)容。
2023-12-15 15:47:27435 
一般IC中都有一個(gè)引腳為Vref,基準(zhǔn)電壓的意思。那么基準(zhǔn)電壓有什么作用呢？ 一般怎么連接呢？
2017-04-20 17:43:45
基準(zhǔn)電壓簡(jiǎn)介 基準(zhǔn)電壓是指?jìng)鞲衅髦糜?℃的溫場(chǎng)（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實(shí)際上就是0點(diǎn)電壓。其表示符號(hào)為V（0），該值出廠時(shí)標(biāo)定，由于傳感器的溫度系數(shù)
2021-11-12 09:11:30
電壓之間的差異 (VGS-VTH)。與雙極性器件不同，無(wú)論在弱反相情況下還是在強(qiáng)反相情況下，失調(diào)和失調(diào)漂移在 CMOS 器件中都沒(méi)有關(guān)聯(lián)性。 CMOS 放大器設(shè)計(jì)中的其它挑戰(zhàn)還包括較高的電壓噪聲閃爍與白
2018-09-13 10:08:21
電源基準(zhǔn)芯片常用于輸出所要求的電壓值，能夠比用電阻直接分壓獲得更精確的電壓輸出，更小的電壓紋波。那么電壓基準(zhǔn)芯片有什么其他方面的用處，例如可以用來(lái)當(dāng)作可控開(kāi)關(guān)使用，三端基準(zhǔn)芯片正負(fù)加上負(fù)載電壓，基準(zhǔn)
2024-01-17 23:10:59
忽視或錯(cuò)誤規(guī)定的長(zhǎng)期漂移和遲滯能成為系統(tǒng)準(zhǔn)確度的限制。系統(tǒng)校準(zhǔn)雖然能夠消除 TC 和初始準(zhǔn)確度誤差，但只有頻繁的校準(zhǔn)才能消除長(zhǎng)期漂移和遲滯。亞表齊納基準(zhǔn) (如 LT1236 ) 具有最好的長(zhǎng)期漂移和遲滯特性，但它們不像這些新型帶隙基準(zhǔn)那樣能夠提供低輸出電壓選項(xiàng)、低電源電流和低壓工作電源。
2019-08-02 06:36:09
的，AD7606的輸出方式是二進(jìn)制補(bǔ)碼，對(duì)吧？轉(zhuǎn)化為實(shí)際十進(jìn)制值的時(shí)候，按照手冊(cè)上圖中的公式是不是有錯(cuò)誤啊？
我的想法是：輸出十進(jìn)制數(shù)值=（AD7606的輸出碼）/65536*基準(zhǔn)電壓
我的這個(gè)式子對(duì)么？但是這個(gè)基準(zhǔn)電壓到底帶入什么值？2.5還是4.5？？？？
求工程師解答啊。感謝！！！
2023-12-13 06:24:26
AD7674芯片使用外部基準(zhǔn)電壓，在ADC工作的時(shí)候基準(zhǔn)電壓對(duì)地值會(huì)被拉低，ADC不工作的時(shí)候恢復(fù)正常。ADC摘掉基準(zhǔn)電壓也恢復(fù)正常。
基準(zhǔn)電壓芯片位REF02，推測(cè)它的帶載能力不夠，在后面加了電壓跟隨電路。加入電壓跟隨電路后，基準(zhǔn)電壓正常工作，跟隨電路輸出電壓會(huì)被拉低。
請(qǐng)問(wèn)如何解決？
2023-12-08 07:46:26
請(qǐng)問(wèn)各位，我想知道ADUC361的外部基準(zhǔn)電壓最大值是多少，手冊(cè)上只提到了2.5V，我想用3V的是否可以？謝謝各位。
2024-01-11 08:27:33
在嵌入式芯片AD采樣的時(shí)候，需要根據(jù)基準(zhǔn)電壓確定采樣值和顯示值反映實(shí)際的數(shù)值關(guān)系；
1、基準(zhǔn)電壓是3V，2^12次方4096級(jí)采樣，也就是0-3V對(duì)應(yīng)0-4095，假設(shè)此時(shí)軟件依舊按照3.3V的基準(zhǔn)
2024-03-21 21:54:19
指示出什么顏色代表什么區(qū)域，謝謝了！舉例，VIHX線往上方邊界Vcc看，中間包含的藍(lán)色和條紋帶都能被認(rèn)為是高電平。是可靠電平。左邊2個(gè)是ttl邏輯電路不同供電電壓時(shí)情況；右邊2個(gè)是cmos邏輯電路
2008-07-21 10:22:44
端之間的壓控電阻。通過(guò)調(diào)整其內(nèi)部電阻，使VIN值與內(nèi)部電阻的壓降之差(等于VOUT端的基準(zhǔn)電壓)保持穩(wěn)定。因?yàn)殡娏魇钱a(chǎn)生壓降所必需的，因此器件需汲取少量的靜態(tài)電流以確保空載時(shí)的穩(wěn)壓。串聯(lián)型電壓基準(zhǔn)具有
2009-11-20 11:04:08
基準(zhǔn)電壓源有很多形式并提供不同的特性，但歸根結(jié)底，精度和穩(wěn)定性是基準(zhǔn)電壓源最重要的特性，因?yàn)槠渲饕饔檬翘峁┮粋€(gè)已知輸出電壓。相對(duì)于該已知值的變化是誤差。為什么需要基準(zhǔn)電壓源？
2019-07-30 07:40:43
什么是基準(zhǔn)電壓源？看到了論壇有電壓源的貼子，想問(wèn)下什么是基準(zhǔn)電壓源？求大蝦指教啊
2011-12-27 13:48:15
具有低漂移滿量程調(diào)整的LT1021BCH-5 CMOS DAC參考的典型應(yīng)用。 LT1021是一款精密基準(zhǔn)電壓源，具有超低漂移和低噪聲特性，極佳的長(zhǎng)期穩(wěn)定性以及對(duì)輸入電壓變化的幾乎完全抗擾度。參考輸出的源電流和吸收電流均高達(dá)10mA
2020-04-02 10:00:45
AP2138超低靜態(tài)電流CMOS Ldo的典型應(yīng)用。 AP2138 / 2139系列是基于CMOS的正電壓穩(wěn)壓器IC。這些IC中的每一個(gè)都包括一個(gè)電壓基準(zhǔn)，一個(gè)誤差放大器，一個(gè)用于設(shè)置輸出電壓的電阻網(wǎng)絡(luò)和一個(gè)用于電流保護(hù)的限流電路
2020-07-31 09:56:46
基準(zhǔn);LDO穩(wěn)壓器;溫度系數(shù);電源抑制比;運(yùn)算放大器 CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源不但能夠提供系統(tǒng)要求的基準(zhǔn)電壓或電流，而且具有功耗很小、高集成度和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于模擬集成電路和混合集成電路中。帶隙
2018-10-09 14:42:54
始于室溫條件。在返至室溫前，環(huán)境溫度會(huì)斜降/斜升到設(shè)備的最小值和最大值。溫度循環(huán)前后，在25℃條件下測(cè)量基準(zhǔn)電壓，并將差值記錄為熱滯后。熱滯后是由施加于封裝的應(yīng)力和由于熱膨脹等熱效應(yīng)應(yīng)力消失
2019-07-22 04:45:03
想請(qǐng)教各位大神，想看掃描溫度，然后用hspice看vth值，語(yǔ)句怎么寫(xiě)？
2021-06-25 06:57:34
作熱遲滯。熱遲滯不受溫度系數(shù)和時(shí)間漂移影響，降低了初始電壓校準(zhǔn)的有效性。在接下來(lái)的溫度周期中，大多數(shù)基準(zhǔn)都會(huì)圍繞標(biāo)稱輸出電壓變化，因此熱遲滯通常限制到一個(gè)可預(yù)測(cè)的最大值上。每個(gè)制造商都用自己的方法規(guī)定熱
2018-06-29 09:48:54
是基于BSIM，參數(shù)超級(jí)多，有考慮到很多二級(jí)效應(yīng)。如果直接用工藝庫(kù)的參數(shù)vth0，UnCox來(lái)計(jì)算的話，會(huì)發(fā)現(xiàn)計(jì)算的值和仿真的值相差比較大（我覺(jué)得可能是因?yàn)榉抡嬗玫墓讲皇俏覀儗W(xué)的平方率公式）。因此就需要
2022-07-15 17:54:48
的閾值電壓，也有些工程師稱之為門(mén)坎電壓，就是功率MOSFET的導(dǎo)通電壓，從字面上來(lái)理解，如果柵極的驅(qū)動(dòng)電壓VGS到了VTH值，功率MOSFET就會(huì)導(dǎo)通，那么這里的導(dǎo)通，是完全導(dǎo)通，還是沒(méi)有完全導(dǎo)
2016-11-08 17:14:57
集中度，決定了閾值電壓VTH的大小。在很多電力電子和電源系統(tǒng)中，使用得最多的是通用驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET，也就是使用12V或15V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。這種類型功率MOSFET的VGS的額定值為±30V
2016-11-14 14:09:26
索尼公司近日在日本發(fā)布了一枚新型CMOS傳感器，該傳感器最大的特點(diǎn)是采用了類似富士Super CCD一樣的像素排列方式，每個(gè)感光元件都是以45度角安置的。 這種設(shè)計(jì)的主要目的是提高點(diǎn)位面積
2018-11-20 17:00:12
AD7674芯片使用外部基準(zhǔn)電壓，在ADC工作的時(shí)候基準(zhǔn)電壓對(duì)地值會(huì)被拉低，ADC不工作的時(shí)候恢復(fù)正常。ADC摘掉基準(zhǔn)電壓也恢復(fù)正常。基準(zhǔn)電壓芯片位REF02，推測(cè)它的帶載能力不夠，在后面加了電壓跟隨電路。加入電壓跟隨電路后，基準(zhǔn)電壓正常工作，跟隨電路輸出電壓會(huì)被拉低。請(qǐng)問(wèn)如何解決？
2018-07-24 10:40:58
式是二進(jìn)制補(bǔ)碼，對(duì)吧？轉(zhuǎn)化為實(shí)際十進(jìn)制值的時(shí)候，按照手冊(cè)上圖中的公式是不是有錯(cuò)誤啊？我的想法是：輸出十進(jìn)制數(shù)值=（AD7606的輸出碼）/65536*基準(zhǔn)電壓我的這個(gè)式子對(duì)么？但是這個(gè)基準(zhǔn)電壓到底帶入什么值？2.5還是4.5？？？？求工程師解答啊。感謝！！！
2018-08-16 07:05:38
為什么要設(shè)計(jì)一種新型電壓基準(zhǔn)電路？怎樣去設(shè)計(jì)一種新型電壓基準(zhǔn)電路？
2021-04-22 06:37:20
摘要：隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展，尺寸按比例不斷縮小，對(duì)芯片面積的挑戰(zhàn)越來(lái)越嚴(yán)重，雙極型晶體管以及高精度電阻所占用的面積則成為一個(gè)非常嚴(yán)重的問(wèn)題。鑒于此，本文提出了一款高精度的基準(zhǔn)電壓源
2018-11-30 16:38:24
摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問(wèn)題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準(zhǔn)源以及它們的關(guān)鍵
2009-04-27 11:12:06
42 高級(jí)基準(zhǔn)電壓Vbandgap IC設(shè)計(jì):在本文中，主要討論在CMOS 技術(shù)中基準(zhǔn)產(chǎn)生的設(shè)計(jì)著重于公認(rèn)的“帶隙”技術(shù)，即是與電壓，溫度變化無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)電壓。[關(guān)鍵詞]電壓基準(zhǔn)，電流基
2009-11-01 14:35:4434 選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問(wèn)題并作出折衷。本文討論了
2009-12-07 14:32:2345 一種抵消曲率系數(shù)的高精度低溫漂CMOS帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì):傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)使用PTAT電壓對(duì)三極管Vbe的溫度系數(shù)進(jìn)行線性補(bǔ)償來(lái)得到與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)電壓，但由于忽略了Vbe的曲率系數(shù)
2009-12-21 10:15:4620 選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源供稿：美信摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問(wèn)題并作出折衷。本文討
2010-01-08 23:02:3077 電壓基準(zhǔn)是模擬集成電路的重要單元模塊，本文在0.35um BiCMOS 工藝下設(shè)計(jì)了一個(gè)帶隙基準(zhǔn)電壓源。仿真結(jié)果表明，該基準(zhǔn)源電路在典型情況下輸出電壓為1.16302V，在-45℃～105℃范圍
2010-01-11 11:42:0531 本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單高電源抑制比的CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工藝。Spectre 仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時(shí)，溫度系數(shù)為45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:4327 采用二級(jí)溫度補(bǔ)償對(duì)傳統(tǒng)電流模式結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)電壓電路進(jìn)行改進(jìn)，基于chartered 0.35um cmos工藝，使用cadence spectre進(jìn)行仿真，結(jié)果表明工作電壓為2v時(shí)，電路可以輸出100mv—1.8v的寬范
2010-02-23 11:39:5428 電壓基準(zhǔn)及時(shí)間基準(zhǔn)基礎(chǔ)知識(shí)
所有模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器都需要一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),通常為電壓基準(zhǔn).
2010-06-11 15:01:3139 本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工藝。Spectre仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時(shí)，溫度系數(shù)為45.53×10-6/℃
2010-07-14 16:14:3641 在對(duì)傳統(tǒng)典型CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路分析基礎(chǔ)上提出了一種高精度，高電源抑制帶隙電壓基準(zhǔn)源。電路運(yùn)用帶隙溫度補(bǔ)償技術(shù),采用共源共柵電流鏡,兩級(jí)運(yùn)放輸出用于自身偏置電路
2010-08-03 10:51:340 基于工作在亞閾值區(qū)的MOS器件，運(yùn)用CMOS電流模基準(zhǔn)對(duì)CATA和PTAT電流求和的思想，提出一種具有低溫漂系數(shù)、高電源抑制比（PSRR）的CMOS電壓基準(zhǔn)源，該電路可同時(shí)提供多個(gè)輸出基準(zhǔn)電
2010-12-30 10:25:5326 結(jié)合工作在亞閾值區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)的MOS管，提出一種純MOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源，其結(jié)構(gòu)能有效補(bǔ)償MOS管的載流子遷移率和亞閾值斜率的溫度系數(shù)。基于SMIC0.13μm的CMOS工藝的仿真結(jié)
2011-01-04 16:17:3127 選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源
摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問(wèn)題并作出
2009-01-23 22:03:121804 
精密基準(zhǔn)方波基準(zhǔn)電壓源電路圖
2009-04-15 09:00:271216 
摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問(wèn)題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準(zhǔn)源以及它們的關(guān)鍵
2009-04-29 11:30:23595 
摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問(wèn)題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準(zhǔn)源以及它們的關(guān)鍵
2009-05-03 14:42:34474 
摘要：電壓基準(zhǔn)源簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，作為電路設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵因素，電壓基準(zhǔn)源的選擇需要考慮多方面的問(wèn)題并作出折衷。本文討論了不同類型的電壓基準(zhǔn)源以及它們的關(guān)鍵
2009-05-06 09:29:30535 
引言
模擬電路中廣泛地包含電壓基準(zhǔn)(reference voltage)和電流基準(zhǔn)(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器等電路中，基準(zhǔn)電壓的精度直接決定著這些電路的
2010-09-30 10:11:553772 
低電壓高精度CMOS基準(zhǔn)電流源設(shè)計(jì)
2011-01-24 15:10:1795 基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來(lái)的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-05-25 14:52:4434 基準(zhǔn)電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊，對(duì)其進(jìn)行分析和研究具有重要意義。本文通過(guò)Hspice對(duì)四種MOS管基準(zhǔn)電壓源電路進(jìn)行仿真，給出了電路圖、電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
2011-08-11 10:24:171551 
基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來(lái)的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-09-27 14:30:5258 在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過(guò)在運(yùn)放中引入增益提高級(jí)，實(shí)現(xiàn)了一種用于音頻-A/D轉(zhuǎn)換器的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源。在一階溫度補(bǔ)償下實(shí)現(xiàn)了較高的電源抑制比（PSRR）和較
2012-10-10 14:49:5043 在數(shù)／模混合集成電路設(shè)計(jì)中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對(duì)傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn)，提出一種新的設(shè)計(jì)方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
基于SMIC0.35 m的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給
2013-01-22 14:52:1252 根據(jù)汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片的工作環(huán)境，針對(duì)常見(jiàn)的溫度失效問(wèn)題，提出了一種應(yīng)用在發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 m CMOS工藝，采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)
2013-09-26 17:06:1233 。本電路采用TSMC 0.18 μm混合信號(hào)CMOS工藝，仿真結(jié)果顯示，輸出基準(zhǔn)電壓為1.213 V，靜態(tài)電流為538 nA，在-55～125 ℃溫度范圍內(nèi)，溫度系數(shù)僅為10.58 ppm/℃，低頻時(shí)的電源抑
2015-12-08 11:40:2517 一種低溫度系數(shù)的全CMOS基準(zhǔn)電流源_羅彥彬
2017-01-08 10:18:574 低溫漂系數(shù)共源共柵CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源_鄧玉斌
2017-01-08 10:24:075 一種低功耗差動(dòng)CMOS帶隙基準(zhǔn)源
2017-01-14 12:38:406 CMOS基準(zhǔn)電流源
2017-01-22 20:29:2131 首先，考慮您的應(yīng)用是否需要一個(gè)并聯(lián)電壓基準(zhǔn)或一個(gè)串聯(lián)電壓基準(zhǔn)。您不必立即選定一個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，但它有助于了解每一應(yīng)用的最佳用例。若您不熟悉并聯(lián)電壓基準(zhǔn)和串聯(lián)電壓基準(zhǔn)之間的差異，就此話題我寫(xiě)了
2018-07-10 09:26:003061 一種新型的高電源抑制比基準(zhǔn)電流源電路的設(shè)計(jì)
2017-05-03 15:02:368 帶隙是導(dǎo)帶的最低點(diǎn)和價(jià)帶的最高點(diǎn)的能量之差。也稱能隙。帶隙越大，電子由價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶越難，本征載流子濃度就越低，電導(dǎo)率也就越低帶隙主要作為帶隙基準(zhǔn)的簡(jiǎn)稱，帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種
2017-11-24 15:45:2022131 
本文為大家介紹一個(gè)cmos無(wú)運(yùn)放帶隙基準(zhǔn)源電路。
2018-01-11 16:52:5014756 
基準(zhǔn)電壓是指?jìng)鞲衅髦糜?℃的溫場(chǎng)（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。本文介紹了基準(zhǔn)電壓定義、基準(zhǔn)電壓用途以及常見(jiàn)基準(zhǔn)電壓芯片。
2018-01-29 09:14:1837136 
本文介紹了基準(zhǔn)電壓芯片的作用，詳細(xì)介紹了電壓基準(zhǔn)芯片的分類與電壓基準(zhǔn)芯片參數(shù)解析，最后介紹了TL431-2.5v基準(zhǔn)電壓芯片幾種基本用法。
2018-01-29 09:25:53109489 
本文介紹了基準(zhǔn)電壓計(jì)算方式、基準(zhǔn)電壓與系統(tǒng)的相關(guān)性與2.5v基準(zhǔn)電壓芯片及5v基準(zhǔn)電壓芯片型號(hào)大全，最后介紹了5V與10v的基準(zhǔn)電壓源電路圖。
2018-01-29 10:03:5135484 
本文主要詳解單電壓基準(zhǔn)與雙電壓基準(zhǔn)區(qū)別，分別從三個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，性能方面的不同以及占用的空間和成本方面來(lái)詳細(xì)的解說(shuō)。
2018-04-16 10:57:3018373 
基準(zhǔn)電壓是指?jìng)鞲衅髦糜?℃的溫場(chǎng)（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實(shí)際上就是0點(diǎn)電壓。其表示符號(hào)為V（0），該值出廠時(shí)標(biāo)定，由于傳感器的溫度系數(shù)S相同，則只要知道基準(zhǔn)電壓值V（0），即可求知任何溫度點(diǎn)上的傳感器電壓值，而不必對(duì)傳感器進(jìn)行分度。
2018-04-16 11:12:1133867 本文將簡(jiǎn)要介紹電壓基準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和特性，并描述如何選擇電壓基準(zhǔn)。舉例來(lái)說(shuō)，它將引入ADI公司ADR43x系列的電壓基準(zhǔn)，以說(shuō)明設(shè)計(jì)人員可利用的各種特性，增強(qiáng)功能和特性，以充分利用現(xiàn)代電壓基準(zhǔn)。在此過(guò)程中
2019-09-29 14:46:199117 
的新型絕對(duì)溫度互補(bǔ)（ctat）電壓發(fā)生器和一種基于子vth mosfet的vgs疊加的改進(jìn)的絕對(duì)溫度比例（ptat）電壓發(fā)生器。由于ctat電路實(shí)現(xiàn)負(fù)tc的減小絕對(duì)值，ptat電路在不消耗較大芯片面積的情況下實(shí)現(xiàn)了降低功耗。該子bgr電路采用標(biāo)準(zhǔn)的0.18μm cmos工藝實(shí)現(xiàn)。測(cè)試結(jié)果表明，在功耗僅為8
2019-09-30 08:00:002 電壓基準(zhǔn)
2021-04-12 21:20:385 電壓基準(zhǔn)
2021-06-16 10:56:2425 基準(zhǔn)電壓簡(jiǎn)介 基準(zhǔn)電壓是指?jìng)鞲衅髦糜?℃的溫場(chǎng)（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實(shí)際上就是0點(diǎn)電壓。其表示符號(hào)為V（0），該值出廠時(shí)標(biāo)定，由于傳感器的溫度系數(shù)
2021-11-07 18:21:037 QA 問(wèn)：ADC和DAC的基準(zhǔn)類型 所有模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）和數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）都需要具備基準(zhǔn)電壓（通常是一個(gè)電壓）。該基準(zhǔn)電壓源是ADC和DAC系統(tǒng)中的必要模塊。有些轉(zhuǎn)換器需要內(nèi)部基準(zhǔn)，而有
2021-12-10 09:41:274431 還有什么比基準(zhǔn)電壓源（簡(jiǎn)單、恒定的基準(zhǔn)電壓）更基本的呢？與所有設(shè)計(jì)主題一樣，需要權(quán)衡取舍。本文討論不同類型的基準(zhǔn)電壓源、其關(guān)鍵規(guī)格以及設(shè)計(jì)權(quán)衡，包括精度、溫度獨(dú)立性、電流驅(qū)動(dòng)能力、功耗、穩(wěn)定性、噪聲和成本。
2023-02-27 14:37:20790 
還有什么比基準(zhǔn)電壓源（簡(jiǎn)單、恒定的基準(zhǔn)電壓）更基本的呢？與所有設(shè)計(jì)主題一樣，需要權(quán)衡取舍。本文討論不同類型的基準(zhǔn)電壓源、其關(guān)鍵規(guī)格以及設(shè)計(jì)權(quán)衡，包括精度、溫度獨(dú)立性、電流驅(qū)動(dòng)能力、功耗、穩(wěn)定性、噪聲和成本。
2023-03-15 11:29:43935 
在圖 1 所示的原理圖中，TLV431 可調(diào)分流基準(zhǔn)配置為開(kāi)環(huán)操作，這意味著輸出未連接到反饋引腳。 相反，信號(hào)VX通過(guò)電阻分壓器驅(qū)動(dòng)反饋引腳。 電阻分壓器的設(shè)置使得當(dāng)VX處于閾值電壓VTH時(shí)，反饋引腳上的值等于內(nèi)部基準(zhǔn)電壓。
2023-04-11 09:17:281518 
并 聯(lián)電壓基準(zhǔn) 高精度微功耗 在 新 能源汽車與光伏等應(yīng)用場(chǎng)景中需要收集聲、光、溫度等模擬環(huán)境數(shù)據(jù)，后通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換器將其轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)再進(jìn)行處理。在此過(guò)程中，不受輸入電壓或環(huán)境溫度等條件影響的高性能
2023-08-01 12:15:02753 高、速度快等優(yōu)點(diǎn)，在眾多電子設(shè)備中應(yīng)用廣泛。其中，基準(zhǔn)電壓就是一個(gè)比較重要的參數(shù)，而基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)是指在不同溫度下電路帶來(lái)的基準(zhǔn)電壓變化情況。 通常來(lái)說(shuō)，CMOS電路中使用的帶隙基準(zhǔn)技術(shù)，具有多晶硅、硅谷能帶、亞穩(wěn)態(tài)等技術(shù)，但是這些技術(shù)都存在著一定的溫度漂移問(wèn)題。而在實(shí)際
2023-10-23 10:29:11318
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