功率MOSFET管
自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來,由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展,它的性能不斷提高:如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:121870 借鑒作用。##采用 BCDMOS工藝制造高壓功率MOSFET器件,它的局限性多于采用優(yōu)化MOSFET工藝制造的器件。通常,采用BCDMOS工藝制造的芯片的單位面積 RDS(on)值會(huì)高出許多。
2014-03-11 10:38:302239 電源管理芯片廣泛應(yīng)用于板級電源系統(tǒng)中,包括控制器和功率MOSFET。但對于大電流電源管理芯片,基于不同半導(dǎo)體工藝的技術(shù)特點(diǎn),即控制器和MOSFET所需要工藝的差別,可能無法使用同一半導(dǎo)體制程把兩者
2023-03-15 10:17:572882 ? 【 2023 年 8 月 3 日,德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外,更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431205 `一、產(chǎn)品綜述H6902芯片是一款具有自動(dòng)調(diào)節(jié)頻率、寬輸入范圍的電流模式升壓(BOOST)芯片,且具有同步升壓功能和可調(diào)限流功能。該電源芯片內(nèi)部全集成低內(nèi)阻功率 MOSFET,可以實(shí)現(xiàn)大功率輸出
2020-10-14 14:24:07
MOSFET封裝伸援助之手 滿足芯片組移動(dòng)新功能
2021-05-10 06:54:58
用于它們的負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí),這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
功率mosfet 在中國IC市場中有很大的市場,2010年預(yù)計(jì)整個(gè)MOSFET的市場收益大于160億。主要的應(yīng)用使數(shù)據(jù)處理如: 臺(tái)式電腦,筆記本,還有家電,汽車和工業(yè)控制。。功率MOSFET 按分裝
2011-03-07 14:30:04
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽,和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝,取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關(guān)過程,也討論過開關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性,基于上面的這些理論知識(shí),就可以估算功率MOSFET在開關(guān)
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
這個(gè)損耗看成器件的感性關(guān)斷損耗。3)開關(guān)損耗:開通損耗:考慮二極管反向恢復(fù)后:關(guān)斷損耗:驅(qū)動(dòng)損耗:十、功率MOSFET的選擇原則與步驟1)選擇原則:a.根據(jù)電源規(guī)格,合理選擇MOSFET 器件(見下
2021-08-29 18:34:54
:考慮二極管反向恢復(fù)后:關(guān)斷損耗:驅(qū)動(dòng)損耗:功率MOSFET的選擇原則與步驟(1):選擇原則(A):根據(jù)電源規(guī)格,合理選擇MOSFET 器件(見下表):(B):選擇時(shí),如工作電流較大,則在相同的器件額定
2021-09-05 07:00:00
MOSFET和開關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻,只有增大的晶片面積,晶片的面積受到封裝尺寸的限制,因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
MOSFET。2、N溝通和P溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)N溝道的功率MOSFET連接方式:電源輸入正極連接到D極,由S極輸出;驅(qū)動(dòng)電壓的正加在G極,驅(qū)動(dòng)電壓的負(fù)加在S極。P溝道的功率MOSFET連接方式
2016-12-07 11:36:11
了具備MOSFET寄生參數(shù)和電路板寄生參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝傳統(tǒng)的TO247(即:電源電流路徑和驅(qū)動(dòng)電流路徑是相同的)。第三節(jié)將對最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析,以表明TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
開關(guān),現(xiàn)在可以采用集成控制器,這些集成器件針對各種功率級別和應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,通常可分為雙芯片式和單芯片式兩類。雙芯片式包括控制器芯片和MOSFET芯片,而單芯片式僅有一個(gè)芯片,一般采用BCDMOS工藝
2018-09-27 15:28:58
概述 FM7318A是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式PWM控制芯片,適用于全電壓18W離線式反激開關(guān)電源,具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)。 為了保證芯片正常工作,F(xiàn)M7318A針對
2020-07-06 10:57:25
我公司提供整套1-3W4-7W9-12W的LED恒流驅(qū)動(dòng)方案產(chǎn)品型號(hào)特性描述功率封裝應(yīng)用SP5615高精度原邊反饋(內(nèi)置MOSFET)功率開關(guān)芯片,無需431和光耦。5W DIP-81-3W
2011-12-18 23:08:56
的首選。電源芯片U6112包括高精度的恒流原邊控制器及功率MOSFET,專用于高可靠,極精簡外圍元器件的小功率LED照明。在恒流模式下,電流和輸出功率可通過CS腳的Rs電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。銀聯(lián)寶U6112電源
2020-03-18 14:38:11
MP9583是一個(gè)降壓穩(wěn)壓內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET。完成連續(xù)的3A輸出電流在寬輸入電源范圍內(nèi)出色的負(fù)載和線路控制。 電流模式工作提供快速瞬態(tài)反應(yīng)和簡化環(huán)路穩(wěn)定。
2021-04-27 07:40:32
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā),經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感,同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,選擇N管還是P管,要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
、售前服務(wù)及服務(wù),給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競爭力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。一、概述OC5860 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5860在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)
2020-05-11 11:42:56
的功率MOSFET,從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯(lián)連接。 IGBT將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
可對導(dǎo)通損耗、整個(gè)器件和產(chǎn)品的性能產(chǎn)生重要影響。此外,由于這種最新技術(shù)的器件導(dǎo)通電阻尤其低,需要采用低電阻封裝,避免器件的應(yīng)用受封裝特性限制。如今,多數(shù)廠商的30V MOSFET器件技術(shù),其芯片導(dǎo)通阻抗
2018-12-07 10:21:41
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率),組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過芯片級創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
可以減小內(nèi)部源極布線的電感,從而允許MOSFET實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率。TO263-7L采用7引腳封裝,采用開爾文連接,適合表面安裝。TO268-2L采用雙引腳封裝,中間沒有引腳,以確保最佳的爬電距離。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
,SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng),從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小(可實(shí)現(xiàn)小型封裝),而且體
2019-05-07 06:21:55
概述:TC427是TELCOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款1.5A雙高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。雙列直插DIP或貼片SOIC 8腳封裝。輸出峰值電流1.5A,最大輸入電壓18V。
2021-05-18 07:50:05
,TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢。 02 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關(guān)損耗的影響 (1)雙脈沖測試時(shí)的重要注意事項(xiàng)---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
溫度為-40°C至105°C應(yīng)用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器線路驅(qū)動(dòng)器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚?fù)載。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)-雙
2020-10-14 16:57:53
<br/> 功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn):<br/> 1.MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件),因此在驅(qū)動(dòng)
2010-08-12 13:58:43
集中度,決定了閾值電壓VTH的大小。在很多電力電子和電源系統(tǒng)中,使用得最多的是通用驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET,也就是使用12V或15V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。這種類型功率MOSFET的VGS的額定值為±30V
2019-08-08 21:40:31
實(shí)現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計(jì)。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能,縮小體積,以及簡化設(shè)計(jì),同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的消費(fèi)電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
背靠背的功率MOSFET,使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)的充電泵,使用P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)。2、選取封裝類型功率MOSFET的溝道類型確定后,第二步就要確定封裝,封裝選取原則有:(1)溫升和熱
2019-04-04 06:30:00
功率場效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件,它不但具有自關(guān)斷能力,而且具有驅(qū)動(dòng)功率小,關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn),是目前開關(guān)電源中常用的開關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開關(guān)電源具有體積小、重量輕
2021-11-12 08:50:12
LTC1981的典型應(yīng)用 - 采用SOT-23封裝的單和雙微功率高側(cè)開關(guān)控制器。 LTC 1981 / LTC1982是低功耗,獨(dú)立的N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器。內(nèi)部電壓Tripler允許在不使用任何
2020-06-10 09:16:41
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試,調(diào)門極電阻,急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
` 本帖最后由 wangka 于 2011-9-23 17:23 編輯
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難
2011-09-23 17:22:52
功能。該電源芯片內(nèi)部全集成低內(nèi)阻功率 MOSFET,可以實(shí)現(xiàn)大功率輸出的同時(shí),大大簡化了外部電路設(shè)計(jì),同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗,高效率電源開關(guān)。用戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)環(huán)路,獲得在所有條件下最優(yōu)瞬態(tài)性能
2019-12-04 16:53:35
功能。該電源芯片內(nèi)部全集成低內(nèi)阻功率 MOSFET,可以實(shí)現(xiàn)大功率輸出的同時(shí),大大簡化了外部電路設(shè)計(jì),同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗,高效率電源開關(guān)。用戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)環(huán)路,獲得在所有條件下最優(yōu)瞬態(tài)性能
2019-11-07 14:59:48
在過去的十幾年中,大功率場效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命,而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
`大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)`
2012-08-20 16:15:28
如何實(shí)現(xiàn)高壓MOSFET控制器簡化非隔離開關(guān)的設(shè)計(jì)?
2021-10-12 11:44:30
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟,并通過
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
如何采用BGA封裝的低EMI μModule穩(wěn)壓器簡化設(shè)計(jì)?
2021-06-17 07:49:10
獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝,是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品;預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社(茨城縣)進(jìn)行;包裝
2018-08-24 16:56:26
推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,帶有精確的電流監(jiān)控,電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
電路,即可實(shí)現(xiàn) 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達(dá) 15W 的隔離電源。VPS8703 內(nèi)部集成兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET 和兩個(gè) P 溝道功率 MOSFET,并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
導(dǎo)讀:近日,德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓,進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動(dòng)以及兩個(gè)功率MOSFET的LLC半橋功率級。圖1(上)所示為采用HiperLCS器件的功率級結(jié)構(gòu)簡圖,其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關(guān)損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
`在追求不斷提高能效的過程中,MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進(jìn)。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了解,但目前將它們有效地應(yīng)用于電源產(chǎn)品依然面臨挑戰(zhàn)。根據(jù)具體應(yīng)用建立FET性能模型并采用
2011-08-18 14:08:45
簡化電源測試的SPST雙極性功率開關(guān)
2019-04-03 14:23:32
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時(shí)
2012-12-06 14:32:55
功率MOSFET來說,通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí),如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220,D2PAK,DFN5*6,DPAK等,那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比,TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
10KHz的PWM控制MOSFET驅(qū)動(dòng)中功率直流電機(jī),該直流電機(jī)額定工作電壓為12V,最大功率250W,在調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn),在電源輸入端已加TVS管、電感、電容濾波等處理下,電源紋波仍然極大,原因應(yīng)該是直流電機(jī)通斷瞬間對電源產(chǎn)生了影響!不知道大家可有較好的辦法?
2019-09-20 04:18:57
`在競爭激烈的市場中要想使產(chǎn)品脫穎而出必須堅(jiān)持高質(zhì)量低成本這一要求,這樣才能占據(jù)有利的市場資源。深圳銀聯(lián)寶開關(guān)電源芯片U321是一款高性能低成本的PWM控制功率器,適用于離線是小功率型應(yīng)用場合,外圍
2018-10-24 14:10:27
小功率電源芯片。銀聯(lián)寶科技小功率電源芯片既有直插式封裝的,也有表面黏貼式封裝的。小功率電源芯片的應(yīng)用范圍十分廣泛,發(fā)展電源管理芯片對于提高整機(jī)性能具有重要意義,對小功率芯片的選擇與系統(tǒng)的需求直接相關(guān)。銀聯(lián)寶根據(jù)客戶需求開發(fā)最優(yōu)化的電源方案、定制方案。免費(fèi)咨詢電話:400-778-5088
2017-06-08 16:27:14
請問:驅(qū)動(dòng)功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power
supplies,SMPS)的整流組件,不過,在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。
功率MOS
2008-08-27 23:07:59389 功率MOSFET的基本知識(shí):功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC/DC變換器、DC/DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領(lǐng)域。本文將介紹
2009-09-23 23:09:4630 功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分析:針對功率MOSFET的特點(diǎn),介紹由多個(gè)—概管組成的組臺(tái)式驅(qū)動(dòng)電路.在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn).驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞:功率MOSFET,半橋式電路,
2010-04-12 08:36:5470 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441420 NexFETTM:新一代功率 MOSFET
對于理想開關(guān)的需求
功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān),例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)
2010-02-06 09:16:011437 開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為開關(guān)電源(switch-mode power supplies,SMPS)整流組件的最佳選擇,專
2010-03-01 11:00:181505 基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化,功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜?b class="flag-6" style="color: red">電源效率的提升。功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421237 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 關(guān)于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)的 研究
2011-10-11 19:27:56186 根據(jù)MOSFET的簡化模型,分析了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,通過典型的修正系數(shù),修正了簡化模型的極間電容。通過開關(guān)磁鐵電源的實(shí)例計(jì)算了工況下MOSFET的功率損耗,計(jì)算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 目前,電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是,隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多,其尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決該難題的辦法之一就是充分利用在MOSFET技術(shù)和封
2012-10-09 13:53:28511 利用功率元件簡化1kW電源設(shè)計(jì) 的PDF。
2016-01-06 18:03:430 電源設(shè)計(jì)——利用功率元件簡化1kW電源設(shè)計(jì)
2016-05-24 16:45:550 DC_DC電源管理應(yīng)用中的功率MOSFET的熱分析方法
2017-01-14 12:32:1316 大家知道,逆變電源中用的最多的功率器件就是MOSFET了。特別是在低壓供電的中小功率逆變電源中,到處都可以看到 MOSFET的身影。如何用好MOSFET,關(guān)系到逆變電源的各種性能,如效率、可靠性、安全性等。所以這次和大家一起來探討下逆變電源中MOSFET的驅(qū)動(dòng)。
2017-08-30 11:02:5333 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2017-09-14 09:55:0225 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們在高速、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關(guān)穩(wěn)壓器,如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。這視頻討論功率MOSFET,特別是安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:003591 【工程師小貼士】一個(gè)MOSFET也能簡化設(shè)計(jì);快速芯片烘烤時(shí)間計(jì)算法
2019-07-12 16:17:413148 電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 電源芯片U6117 原邊反饋和內(nèi)置功率MOSFET,用于在5V電池充電器及適配器。電源芯片U6117內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。
2021-04-07 16:14:365022 功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較,功率MOSFET具備電源開關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢
2022-08-16 14:30:56791 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 某些電源架構(gòu)要求電源排序器(或系統(tǒng)管理器)控制下游功率MOSFET,以允許功率流入分支電路。如果輸入電源電壓至少比電源輸出電壓高5V,則可以在電源輸出端放置一個(gè)功率MOSFET,并增加一些電平轉(zhuǎn)換電路。
2023-02-09 12:07:58536 功率MOSFET是便攜式設(shè)備中使用的任何大功率開關(guān)電源的組成部分。此外,這些MOSFET是難以為散熱能力最小的筆記本電腦產(chǎn)品指定的組件。本文提供了計(jì)算這些MOSFET的功耗和確定其工作溫度的分步說明。然后,通過逐步完成多相、同步整流、降壓型CPU內(nèi)核電源的一個(gè)30A相位的設(shè)計(jì)來說明這些概念。
2023-03-13 09:50:49674 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419
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