電子發(fā)燒友為大家提供了鋸齒波轉(zhuǎn)三角波波形轉(zhuǎn)換器電路，本站還有其他相關(guān)資源，希望對(duì)您有所幫助！
2011-09-15 10:38:40
6019 
本文詳細(xì)介紹了以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)在節(jié)能計(jì)量系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)，通過(guò)使用W5500后極大簡(jiǎn)化了WPAN網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)，這樣保證了通訊速率和可靠性的要求下，用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)詮釋了“簡(jiǎn)單就是可靠”的道理。##下面我們就重點(diǎn)討論以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)的設(shè)計(jì)。##在系統(tǒng)的初始化vInitSystem（）中加入W5500的初始化。
2014-04-28 13:51:192675 路燈和景觀燈是城市夜晚一道亮麗的風(fēng)景線(xiàn)，也是城市中必需的公用照明設(shè)施。城市照明監(jiān)控系統(tǒng)是一種監(jiān)測(cè)與控制的集成系統(tǒng)，一套高效的城市照明監(jiān)控系統(tǒng)可以節(jié)省大量的人力物力。##網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)軟件設(shè)計(jì)。
2014-07-25 14:07:25971 
最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的最佳實(shí)踐方法。 在訂購(gòu)LMG5200評(píng)估模塊（EVM）之前，請(qǐng)確認(rèn)您的試驗(yàn)臺(tái)設(shè)備可準(zhǔn)確測(cè)量基于GaN（美國(guó)能源部認(rèn)為是基礎(chǔ)性技術(shù)，可更好地利用我們的能源資源）的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體產(chǎn)品，如LMG5200。如果
2018-04-26 11:45:394827 實(shí)際的印刷電路板中存在電路圖中沒(méi)有的成分，因此，比如開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)中如果布局不當(dāng)，會(huì)隨著開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生較大振鈴，可能導(dǎo)致無(wú)法正常工作或噪聲較多等問(wèn)題。
2020-04-05 10:25:004211 
PCB布局的關(guān)鍵：開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)走線(xiàn)尺寸滿(mǎn)足電流？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（3）
2023-08-08 11:00:521005 貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-04-13 14:58:561374 描述將降壓轉(zhuǎn)換器 PMP2763 修改為反相反激式。可輕易更改為 -15V 輸出以提供帶 15V 輸出的負(fù)電源軌。主要特色低輸出波紋非常良好的線(xiàn)路和負(fù)載調(diào)節(jié)性能開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形上無(wú)振蕩和過(guò)沖環(huán)路經(jīng)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)最佳動(dòng)態(tài)性能（設(shè)計(jì)用于脈沖負(fù)載）
2018-08-27 09:45:46
開(kāi)關(guān)頻率（高達(dá) 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動(dòng)低電感電機(jī)帶有集成型柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換（小于
2018-10-31 17:33:14
LMG3410 600-V 12-A Integrated GaN Power Stage datasheet (Rev. C)
2022-11-04 17:22:44
LMG3410 半 H 橋驅(qū)動(dòng)器（內(nèi)部 FET） 電源管理 評(píng)估板
2024-03-14 20:33:28
，在這里FET的開(kāi)關(guān)電壓波形可以繞過(guò)EMI濾波器耦合至輸入。圖1. 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與輸入連接臨近，會(huì)降低EMI性能注意，漏極連接與輸入引線(xiàn)之間有一些由輸入電容器提供的屏蔽。該電容器的外殼連接至主接地，可為共
2021-10-21 09:34:21
4. 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（1）和交流耦合輸出波形（2） 有幾種方法可以減小雜散電感。一種方法是移除標(biāo)準(zhǔn)示波器探針的長(zhǎng)接地引線(xiàn)，并將其管體連接至接地基準(zhǔn)點(diǎn)。圖5顯示尖端和管體方法。然而，在本例中，尖端連接錯(cuò)誤
2018-10-08 14:46:34
電感L1～L5積蓄能量，當(dāng)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓幾乎接近GND水平時(shí)，積蓄于L1～L5的能量此次與C1產(chǎn)生諧振，發(fā)生較大振鈴。寄生電感中積蓄的能量和諧振頻率可按右下公式進(jìn)行計(jì)算。電感L4由CBYPASS的特性
2018-12-03 14:33:38
采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計(jì)，圖1a所示的功率級(jí)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形真的引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過(guò)沖。 圖1：TI 600V半橋功率級(jí)——開(kāi)關(guān)波形
2022-11-15 06:43:06
所有功率級(jí)設(shè)計(jì)者期望在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開(kāi)關(guān)損耗，而低過(guò)沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計(jì)，圖1a所示的功率級(jí)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形真的引人矚目
2019-08-26 04:45:13
*附件：方波波形分析.pdf
2023-05-22 22:02:16
我是用萬(wàn)用板做的電路.輸出高頻率的方波波形失真比較大.是不是采用萬(wàn)用板的原因??,有經(jīng)驗(yàn)的指點(diǎn)一下,如何解決.謝謝!
2023-12-25 07:46:47
。1.功率線(xiàn)包括地線(xiàn)， SW 線(xiàn)和 VIN 線(xiàn)應(yīng)該盡量做到短、 直和寬。2.輸入電容應(yīng)盡可能靠近芯片管腳（VIN 和 GND）。3.功率開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)通常是高頻電壓幅值方波， 所以應(yīng)保持較小鋪銅面積， 且模擬
2020-10-31 14:12:55
。1.功率線(xiàn)包括地線(xiàn)， SW 線(xiàn)和 VIN 線(xiàn)應(yīng)該盡量做到短、 直和寬。2.輸入電容應(yīng)盡可能靠近芯片管腳（VIN 和 GND）。3.功率開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)通常是高頻電壓幅值方波， 所以應(yīng)保持較小鋪銅面積， 且模擬
2020-12-26 15:34:34
PCB布線(xiàn)經(jīng)驗(yàn)詳細(xì)說(shuō)明，你值得擁有
2013-07-18 18:14:04
本文，使用一問(wèn)一答的方式，解說(shuō)STM32系統(tǒng)時(shí)鐘配置操作的一些關(guān)節(jié)點(diǎn)。不討論配置的過(guò)程、步驟，網(wǎng)上不缺絮絮叨叨的各種教程。一句話(huà):過(guò)程高深,使用簡(jiǎn)單.詳細(xì)代碼解釋下載
2021-08-11 07:17:18
`有個(gè)小問(wèn)題請(qǐng)大家?guī)兔Γ何沂窃凇?b class="flag-6" style="color: red">方波波形”后連接了一個(gè)“獲取波形成分”，然后再連接“一維數(shù)組”，輸出的是一位數(shù)組，但我需要的是單個(gè)的值，該怎么辦？請(qǐng)指教`
2011-05-05 12:01:45
500MHz帶寬設(shè)置時(shí)的波形測(cè)量結(jié)果。高頻噪聲和瞬變屬于長(zhǎng)接地引線(xiàn)形成的環(huán)路所造成的測(cè)量假信號(hào)，并非開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器所固有。圖3. 接地環(huán)路產(chǎn)生輸出誤差圖4. 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(1)和交流耦合輸出波形(2)有幾種方法可以
2019-10-22 08:30:00
時(shí)的波形測(cè)量結(jié)果。高頻噪聲和瞬變屬于長(zhǎng)接地引線(xiàn)形成的環(huán)路所造成的測(cè)量假信號(hào)，并非開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器所固有。圖3. 接地環(huán)路產(chǎn)生輸出誤差圖4. 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(1)和交流耦合輸出波形(2)有幾種方法可以減小雜散電感
2018-10-23 11:48:32
轉(zhuǎn)換器的TPS40170產(chǎn)品文件夾對(duì)這個(gè)仿真進(jìn)行了修改，從而顯示出頂部開(kāi)關(guān)內(nèi)的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓 (SW) 和電流（負(fù)載電流加上反向恢復(fù)電流，以及用一個(gè)10mΩ分流電阻器感測(cè)到的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容電流）。圖4
2018-09-03 15:17:44
圖1顯示了同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖以及其開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形。高側(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和高側(cè)/低側(cè)MOSFET與印刷電路板(PCB)雜散電感和電容都具有在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形達(dá)到峰值時(shí)振鈴的功能。而我們不需要開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)
2022-11-17 08:00:20
振鈴頻率都在百兆級(jí)別屬于高頻信號(hào)，可能會(huì)帶來(lái)傳導(dǎo)輻射EMI問(wèn)題，嚴(yán)重時(shí)會(huì)干擾開(kāi)關(guān)電源自身信號(hào)或臨近電源的其他信號(hào)都會(huì)收到影響，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定。 下圖是常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的開(kāi)關(guān)波形，由圖可知上管導(dǎo)通瞬...
2021-10-29 07:25:44
想問(wèn)一下，labview中方波和方波波形這兩個(gè)出了輸出的數(shù)據(jù)類(lèi)型外區(qū)別在哪，到底哪一個(gè)可以用于后續(xù)的信號(hào)處理比如添加噪聲、濾波等等，我現(xiàn)在糊涂了，想對(duì)后續(xù)信號(hào)進(jìn)行處理不知道該用哪一個(gè)，望高手賜教，謝謝
2015-07-09 09:16:41
`關(guān)于運(yùn)放學(xué)習(xí)的好資料！值得你擁有！`
2013-12-05 15:28:56
升壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴最小化問(wèn)題的描述圖一（Boost升壓電源）的電路圖展示了由寄生電感及電容所構(gòu)成的升壓轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵環(huán)路，電感及電容分別以L(fǎng)PAR(寄生電感)和CPAR(寄生電容)標(biāo)簽進(jìn)行
2021-04-02 06:30:00
MHz）之后（如圖 2 的實(shí)測(cè)波形所示），在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與接地之間連接適當(dāng)?shù)碾娙輀CADD]，可降低振鈴頻率至?。如圖 3所示，在添加了 300 pF 電容后，振鈴頻率為 113 MHz。4.
2008-09-25 08:45:25
單片機(jī)課設(shè)波形發(fā)生器 ，產(chǎn)生方波、三角波、正弦波、鋸齒波波形幅度可調(diào)、頻率可調(diào)。
2021-07-14 08:03:39
個(gè) 0.1uF 的陶瓷電容以增強(qiáng)芯片的抗高頻噪聲能力。3:功率開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)通常是高頻電壓幅值方波，所以應(yīng)保持較小鋪銅面積，且模擬元件應(yīng)遠(yuǎn)離功率開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)區(qū)域以防止摻雜電容噪音。4:所有模擬地應(yīng)連接到同一個(gè)
2022-12-06 13:48:11
的本機(jī)開(kāi)關(guān)性能。當(dāng) LMG3410 未通電時(shí)，集成的低壓硅 MOSFET 通過(guò)其源極關(guān)閉 GaN 器件。在正常操作中，低壓硅 MOSFET 持續(xù)保持導(dǎo)通，而 GaN 器件直接從內(nèi)部產(chǎn)生的負(fù)電壓電源進(jìn)行門(mén)控
2022-04-12 14:11:49
at 100kHZ and 230V (Power derates to 600W for 115V long time operation)TI’s LMG3410 GaN power stage
2018-11-23 16:19:59
功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-0961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。此高密度 (165 x 84 x 40mm) 2 級(jí)雙交錯(cuò) 1.6kW(...)主要特色 壓縮功率級(jí)尺寸 65 x 40 x 40mm
2018-10-25 11:49:58
生從輸入電壓到地的短路。這會(huì)損壞開(kāi)關(guān)。必須確保兩個(gè)開(kāi)關(guān)永遠(yuǎn)不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。因此，出于安全考慮，需要在一定時(shí)間內(nèi)保持兩個(gè)開(kāi)關(guān)都斷開(kāi)。這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的死區(qū)時(shí)間。但是，從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸出電壓連接了一個(gè)
2020-11-11 09:08:55
，電子干擾(EMI) 會(huì)在汽車(chē)立體音響中發(fā)出撓人的噪音。
圖1顯示了同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖以及其開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形。高側(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和高側(cè)/低側(cè)MOSFET與印刷電路板(PCB)雜散電感和電容都具有在
2018-08-31 19:55:41
如何用CPLD實(shí)現(xiàn)一個(gè)正弦波波形？
2014-03-23 08:07:55
本帖最后由 weinipiaobo 于 2015-12-27 01:22 編輯
常用的3D封裝庫(kù)，你值得擁有剛來(lái)求罩。。給大家個(gè)福利，要什么3d封裝模型都能找到的網(wǎng)站，打造自己的3d原件庫(kù)哦！！！求頂
2015-09-09 19:36:25
干貨：NEBS項(xiàng)目的EMC檢測(cè)的介紹（你值得擁有）回復(fù)可以下載。[hide][/hide]
2015-08-19 16:56:08
控制同步降壓轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2018-09-26 10:47:49
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 17:24 編輯
旋轉(zhuǎn)LED燈！女生的最?lèi)?ài),男生泡妞的神器，你值得擁有！
2013-12-06 16:02:32
的限制。以此超低功耗單片機(jī)MSP430為核心，結(jié)合無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊nRF24E1，對(duì)無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)的普通節(jié)點(diǎn)和網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了設(shè)計(jì)。
2019-10-18 07:28:32
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40
用51單片機(jī)和AD芯片PCF8951輸出一個(gè)方波波形失真，該怎么調(diào)整頻率為1HZ 電壓為6-40V
2018-01-16 09:18:12
的方法，通過(guò)減慢高端MOSFET的開(kāi)關(guān)或通過(guò)緩沖器抑制開(kāi)關(guān)波形電路。這兩種技術(shù)都會(huì)在降壓轉(zhuǎn)換器中引起額外的損耗。在這里，我將介紹其他技術(shù)，以降低交換節(jié)點(diǎn)振鈴，而不會(huì)降低效率。首先，了解開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴的原因
2018-09-26 10:43:37
電壓到地的短路。這會(huì)損壞開(kāi)關(guān)。必須確保兩個(gè)開(kāi)關(guān)永遠(yuǎn)不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。因此，出于安全考慮，需要在一定時(shí)間內(nèi)保持兩個(gè)開(kāi)關(guān)都斷開(kāi)。這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的死區(qū)時(shí)間。但是，從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸出電壓連接了一個(gè)載流電
2020-12-16 16:57:38
信號(hào)的消隱時(shí)間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時(shí)間通常發(fā)生在最小負(fù)載條件下，對(duì)此有三個(gè)原因。較重負(fù)載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時(shí)間。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間和下降時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間（從低側(cè)MOSFET
2019-08-09 04:45:05
信號(hào)的消隱時(shí)間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時(shí)間通常發(fā)生在最小負(fù)載條件下，對(duì)此有三個(gè)原因。較重負(fù)載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時(shí)間。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間和下降時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間（從低側(cè)MOSFET
2019-07-26 04:45:15
流檢測(cè)信號(hào)的消隱時(shí)間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時(shí)間通常發(fā)生在最小負(fù)載條件下，對(duì)此有三個(gè)原因。 較重負(fù)載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時(shí)間。 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間和下降時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間（從低側(cè)
2018-10-10 15:13:39
1、估算降壓穩(wěn)壓器中的輸出紋波 對(duì)穩(wěn)態(tài)條件下的輸出紋波計(jì)算而言，不得忽略主要流經(jīng)電 容C的電感電流紋波。圖3顯示圖2中開(kāi)關(guān)位置1和開(kāi)關(guān)位置 2對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓和電感電流波形。電感電流波形iL (t
2021-12-30 07:02:21
這個(gè)波波形的LLC工作區(qū)域可以工作嗎？如波形本來(lái)我安匝比計(jì)算的電壓是輸出20V，在20V可以正常的帶載，一直到滿(mǎn)載都沒(méi)有問(wèn)題，但是我強(qiáng)制把電壓輸出到22V或是23V，這時(shí)我看了電流波形應(yīng)該也不算
2014-02-20 13:26:46
電路中廣泛用于時(shí)鐘和時(shí)序控制信號(hào)，因?yàn)樗鼈兪窍嗟惹曳秸膶?duì)稱(chēng)波形，代表一個(gè)周期的每個(gè)半周期，幾乎所有數(shù)字邏輯電路的輸入和輸出都使用方波波形蓋茨。與正弦波的上升和下降波形具有平滑的上升和下降波形，在其正負(fù)
2020-11-23 09:30:33
電流。(2) 圖 3：開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓梯形波形及其頻譜包絡(luò)（受脈寬和上升/下降時(shí)間影響）。一般來(lái)說(shuō)，電感 LLOOP 會(huì)增加 MOSFET 漏源峰值電壓尖峰，并且還會(huì)加劇開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓振鈴，影響 50MHz
2020-11-03 07:54:52
度（CMTI）速率（>100V/ns），但隔離電源（通常具有高得多的CM電容）很容易以高dv/dt將噪聲從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓耦合到控制側(cè)（圖3）。隨著多個(gè)相位同時(shí)操作，更多的CM噪聲會(huì)被注入到控制側(cè)
2019-07-29 04:45:12
設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒏嗟?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)裝在更小的空間內(nèi)。 在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計(jì)算機(jī)和可再生能源應(yīng)用中，具有集成式驅(qū)動(dòng)器的600V GaN功率級(jí)開(kāi)關(guān)顯得特別重要。LMG3410的優(yōu)勢(shì)包括：將目前技術(shù)最先進(jìn)的硅
2018-08-30 15:05:50
申請(qǐng)），其擁有更低的導(dǎo)通電阻（Rdson=50m?），單管能承擔(dān)更大的功率，且與LMG3410管腳兼容，硬件拓?fù)浜蛙浖刂平詿o(wú)需變動(dòng)。因此，直接采用Polaris是提高系統(tǒng)功率的最簡(jiǎn)便方式。 3.
2019-03-07 06:45:04
本應(yīng)用報(bào)告闡述了如何使用合理的板載布局及/或緩沖電路(snubber)來(lái)減少升壓轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)上的高頻振鈴。
問(wèn)題的描述圖一 的電路圖展示了由寄生電感及電容所構(gòu)成
2008-09-25 08:42:21
44 此參考設(shè)計(jì)旨在給輸入電壓范圍為4.5V至17.0V的MSP430器件供電。本應(yīng)用報(bào)告闡述了如何使用合理的板載布局及/或緩沖電路(snubber)來(lái)減少升壓轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換節(jié)點(diǎn)上的高頻振鈴。The
2010-12-12 11:22:0338 德州儀器（TI）近日推出了兩款36-V, 2.1-MHz同步降壓穩(wěn)壓器，可消除開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴，以減少電磁干擾（EMI）、提高功率密度，并確保在高壓降條件下正常運(yùn)行。此次推出的2.5-A LM53625-Q1和3.5-A LM53635-Q1穩(wěn)壓器可用于多種高壓DC/DC降壓應(yīng)用。
2016-07-06 16:27:101333 The LMG3410 Single-Channel Gallium-Nitride (GaN)Power Stage contains a 70-mΩ 600-V GaN power
2016-10-17 11:34:4327 下面的測(cè)試報(bào)告包括以下輸出電壓軌使用5V輸入測(cè)量： 內(nèi)容 啟動(dòng)波形（所有3個(gè)輸出）1.2v @ 1.48a（tps54317）輸出紋波 負(fù)載瞬變 效率 負(fù)載調(diào)節(jié) 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) 頻率響應(yīng) 3.3v
2017-06-08 08:56:003 基于Cortex_M3的多功能樓宇控制系統(tǒng)網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)
2017-09-25 13:07:227 由于傳感器節(jié)點(diǎn)功率的限制，傳遞的距離非常有限，網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)除了從外界環(huán)境采集數(shù)據(jù)外，還要接收鄰近節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、融合、轉(zhuǎn)發(fā)。圖1中節(jié)點(diǎn)A通過(guò)節(jié)點(diǎn)B，C，D將數(shù)據(jù)傳送至網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)E。再由網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)與外部網(wǎng)絡(luò)相聯(lián)，將數(shù)據(jù)發(fā)送給用戶(hù)。
2020-03-11 08:08:001529 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG3410相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG3410的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG3410真值表，LMG3410管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
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2019-01-08 17:46:11
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2019-01-08 17:47:15
TI公司的LMG3410R050是具有過(guò)流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開(kāi)關(guān)損耗達(dá)80%之多,以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2019-04-18 14:34:052262 
當(dāng)周期性波形應(yīng)用于其輸入時(shí)，RC電路可以產(chǎn)生有用的輸出波形，例如方波，三角波和鋸齒波，但如果我們改變這個(gè)恒定的DC會(huì)發(fā)生什么提供脈沖或方波波形，該波形以由其時(shí)間段或頻率確定的速率不斷地從最大值變化到最小值。對(duì)于給定的 RC 時(shí)間常數(shù)值，這會(huì)如何影響輸出RC波形？
2019-06-27 16:25:419945 
圖1顯示了同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖以及其開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形。高側(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和高側(cè)/低側(cè)MOSFET與印刷電路板(PCB)雜散電感和電容都具有在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形達(dá)到峰值時(shí)振鈴的功能。而我們不需要開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形振鈴，因?yàn)樗鼤?huì)增大低側(cè)MOSFET的電壓應(yīng)力，并產(chǎn)生電磁干擾。
2019-08-23 16:45:282775 
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開(kāi)關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過(guò)渡時(shí)間的功率乘以開(kāi)關(guān)頻率后的值即開(kāi)關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:00889 
TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-05-29 16:39:072547 正弦和三角及方波波形產(chǎn)生電路的Multisim源文件資料合集免費(fèi)下載。
2020-06-28 08:00:0010 所有功率級(jí)設(shè)計(jì)者期望在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開(kāi)關(guān)損耗，而低過(guò)沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。
采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計(jì)，圖1a所示的功率級(jí)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形真的
2021-12-16 15:09:521378 
中，電子干擾(EMI) 會(huì)在汽車(chē)立體音響中發(fā)出撓人的噪音。
圖1顯示了同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖以及其開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形。高側(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和高側(cè)/低側(cè)MOSFET與印刷電路板(PCB)雜散電感和電容都具有
2021-11-24 15:15:50940 
基于單片機(jī)正弦波三角波鋸齒波方波波形仿真
2021-11-23 17:21:3564 晶振（XO）輸出波形（Output Type）是與封裝尺寸一樣重要的一個(gè)技術(shù)指標(biāo)，這些輸出波形可簡(jiǎn)單歸為兩種：正弦波、方波。
2022-05-16 09:38:4711319 
ASW3410 是一個(gè) 2:1 或 1:2 的數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)，用于 高速數(shù)據(jù)傳輸。 ASW3410 數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)支持高性能的各類(lèi)高速數(shù)據(jù) 傳輸協(xié)議
2022-08-03 11:31:4210 方波波形開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)大受歡迎
2022-11-02 08:16:080 BUCK是常見(jiàn)的降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，對(duì)于BUCK開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的波形，有的文章畫(huà)的是標(biāo)準(zhǔn)的方波？而有的文章畫(huà)的卻是有一個(gè)負(fù)的脈沖波形呢？
2022-11-21 10:43:031003 如果線(xiàn)圈位于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和輸出之間，將構(gòu)成DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器，我們?cè)谙挛闹袑⑵浜?jiǎn)稱(chēng)為降壓轉(zhuǎn)換器。或者，如果線(xiàn)圈位于輸入和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)之間，將構(gòu)成DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)稱(chēng)為升壓轉(zhuǎn)換器。最后，如果線(xiàn)圈位于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和地(GND)之間，則構(gòu)成DC-DC反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。
2022-11-22 09:26:00922 模式下工作時(shí)，當(dāng)主開(kāi)關(guān)管關(guān)斷，續(xù)流二極管工作時(shí)，電感電流為0時(shí)，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓會(huì)存在一段時(shí)間的衰減振蕩；BUCK電源開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)在主開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，二極管（或同步開(kāi)關(guān)管）關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰振鈴；還有反激開(kāi)關(guān)電源漏感導(dǎo)致的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓尖峰振蕩等等。上述這幾種情形的本質(zhì)機(jī)理都是RLC的欠阻尼振蕩。
2023-01-19 16:29:007991 
、噪音、人和設(shè)備的位置、空氣中的顆粒、建筑系統(tǒng)操作、安全系統(tǒng)、工廠(chǎng)機(jī)器等等。這些物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的每一個(gè)都可能使用不同的協(xié)議進(jìn)行連接，物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)通過(guò)網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)匯聚傳感器數(shù)據(jù)，在傳感器協(xié)議之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，處理傳感器數(shù)據(jù)并發(fā)送到物聯(lián)網(wǎng)云平臺(tái)等等。
2023-01-10 16:05:44769 
在探討DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB板布局之前，需要了解實(shí)際的印刷電路板中存在寄生電容和寄生電感。它們的影響之大超出想象，即使電路沒(méi)錯(cuò)，因布局而產(chǎn)生無(wú)法按預(yù)期工作的情況，往往是因?yàn)閷?duì)它們的考慮不足。本次就“開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴”來(lái)驗(yàn)證其主要原因。
2023-02-23 09:33:05761 
GRANDMICRO有容微完美代替ASW3410跟大疆無(wú)人機(jī)ONSEMI安森美FUSB340
2023-03-02 10:54:43358 
GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當(dāng)GaN半橋在高di / dt條件下切換時(shí)，功率環(huán)電感在高壓總線(xiàn)和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處引入振鈴/過(guò)沖。這限制了GaN FET的快速切換功能。
2023-04-10 09:14:40324 
引言：降壓轉(zhuǎn)換器IC的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節(jié)簡(jiǎn)述如何使用RC緩沖電路去除開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。
2023-06-28 15:56:561413 
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器或功率變換器電路的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是關(guān)鍵的傳導(dǎo)路徑，在進(jìn)行PCB布局時(shí)需要特別注意。該電路節(jié)點(diǎn)將一個(gè)或多個(gè)功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)（例如MOSFET或二極管）連接到磁能存儲(chǔ)設(shè)備（例如電感或變壓器繞組
2023-08-02 15:19:33368 
PCB布局的關(guān)鍵：盡量縮短開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)走線(xiàn)長(zhǎng)度？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（2）
2023-08-07 11:20:23655 
開(kāi)關(guān)電源紋波波形? 開(kāi)關(guān)電源紋波波形是在開(kāi)關(guān)電源輸出端出現(xiàn)的交流紋波電壓，通常在直流電壓上疊加的一種電壓波形。這種波形會(huì)對(duì)電路的正常工作產(chǎn)生嚴(yán)重的干擾，因此對(duì)電源的輸出紋波進(jìn)行有效的抑制是非
2023-08-29 10:38:491411 （指MOS上升時(shí)間和下降時(shí)間變短）提高以后，電磁干擾EMI隨之增加。同步降壓DC-DC中，高速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)會(huì)有巨大的電壓過(guò)沖和振鈴，振鈴的大小與高側(cè)MOS的開(kāi)關(guān)速度以及布局和FET的封裝的雜散電感有關(guān)，我們必須選擇正確的電路和布局設(shè)計(jì)方法，以將這種振鈴維持在同步FET最大絕對(duì)額定值以下。
2023-08-30 16:28:071010 
Linux 中斷相關(guān)節(jié)點(diǎn) /proc/interrupts cat 這個(gè)節(jié)點(diǎn)，會(huì)打印系統(tǒng)中所有的中斷信息，如果是多核CPU，每個(gè)核都會(huì)打印出來(lái)。 包括每個(gè)中斷的名字、中斷號(hào) IRQ number
2023-09-27 17:32:32412 
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