反向恢復(fù)過程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程 。由于反向恢復(fù)時間的存在，使二極管的開關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時間長，那就
2022-12-10 17:06:38
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碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231748 
二極管是單向?qū)ǎ敲?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
二極管反向恢復(fù)時間非常短（相對于其他普通二極管來講）。有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復(fù)二極管在制造工藝上
2020-02-08 15:04:50
）的整流。 與通用整流二極管相比，反向恢復(fù)時間 trr 更短。 通用整流二極管的trr為數(shù)μs～數(shù)十μs，而FRD的trr為數(shù)十～數(shù)百ns。FRD 的反向恢復(fù)時間 trr 很短，因為空穴被結(jié)附近
2022-04-12 15:53:31
，反向恢復(fù)時間 trr 更短。 通用整流二極管的trr為數(shù)μs～數(shù)十μs，而FRD的trr為數(shù)十～數(shù)百ns。FRD 的反向恢復(fù)時間 trr 很短，因為空穴被結(jié)附近的載流子陷阱捕獲。當(dāng)已經(jīng)穿透到 N 層的空穴
2021-09-20 07:00:00
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
作用。二極管的反向恢復(fù)時間由Datasheet提供。反向恢復(fù)時間快使二極管在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，可獲得較高的開關(guān)速度，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復(fù)二極管的特點快恢復(fù)二極管的最主要特點是它
2019-12-03 10:16:05
）。因此，二極管可以被認為是止回閥的電子版本。那么US1M是什么二極管呢？ US1M是一種快恢復(fù)二極管，具有良好的開關(guān)特性和超短的反向恢復(fù)時間。常用于高頻逆變器件的開關(guān)器件的續(xù)流、吸收、鉗位、隔離、輸出
2022-01-14 17:00:30
編輯-ZUS1G快恢復(fù)二極管的工作原理與普通二極管相同，但普通二極管在開關(guān)狀態(tài)下的反向恢復(fù)時間較長，約為4～5ms，不能滿足高頻開關(guān)電路的要求。快恢復(fù)二極管US1G有一個重要參數(shù)決定其性能
2021-09-06 16:39:18
自身的溫度，還會影響其對電源電路的效率。不同反向電壓下的漏電流是不同的。關(guān)系如下圖所示：反向電壓越大漏電流越大，肖特基管常溫下的漏電流可以忽略不計。 3、快恢復(fù)二極管型號大全之快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)
2021-07-30 14:33:17
Q2的P-N結(jié)增加儲存電荷。在t4~t5時段，MOSFET Q1通道導(dǎo)通，流過非常大的直通電流，該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復(fù)電流引起。這不是偶然的直通，因為高、低端MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
想請教大家一下LLC輸出二極管是零電流開通和關(guān)斷，不存在反向恢復(fù)的問題，是否可以采用普通二極管？求解答謝謝
2016-01-07 17:07:05
的關(guān)斷特性參數(shù)（反向恢復(fù)時間t、反向恢復(fù)電荷Q、反向峰值電流I）的作用引起的。最優(yōu)參數(shù)的快恢復(fù)二極管MUR860D與高頻開關(guān)器件協(xié)同工作，最大限度地減少高頻逆變電路中開關(guān)器件引起的過壓尖峰、高頻干擾
2021-12-07 16:12:41
設(shè)定反向恢復(fù)時間的trr。我右鍵edit model仔細看過了確實也沒有反向恢復(fù)時間這個參數(shù)，我也調(diào)出來本來庫里有的快恢復(fù)二極管MUR系列，右鍵edit model也沒有看到設(shè)定反向恢復(fù)時間的參數(shù)。請大神指點，怎么修改反向恢復(fù)時間，很重要，多謝多謝，回帖有加分。
2018-04-04 09:08:27
在100-300ns左右（跟器件特性有關(guān)）。這個時間和我們所說真正的橋臂短路時間（10us左右）還不是一個數(shù)量級。 對于二極管反向恢復(fù)更通俗的理解就是二極管在關(guān)斷瞬間并沒有立馬截止掉，反向泄漏一部分
2020-12-08 15:44:26
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
恢復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關(guān)速度，同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。`
2019-03-11 11:24:39
反向恢復(fù)的幾種方法為解決功率二極管反向恢復(fù)問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的曙光，它幾乎不存在反向恢復(fù)
2017-08-17 18:13:40
、不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域作為高頻、大電流的整流二極管、續(xù)流二極管或阻塞二極管，是極有發(fā)展前途的電力電子半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短、耐壓高、正向電流大、體積小、安裝簡便等優(yōu)點。這兩種
2020-10-29 08:50:49
平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時，主要應(yīng)考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復(fù)時間要求
2022-06-07 15:51:38
為什么普通整流二極管都沒標反向恢復(fù)時間？
2023-04-20 16:43:24
編輯-Z在開關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般采用反向恢復(fù)時間短的MURF1040CT整流二極管。常用的有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管和肖特基勢壘二極管。那為什么說超快恢復(fù)二極管
2021-09-03 16:17:05
以AC/DC Boost開關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們詳細討論了二極管的結(jié)電容：勢壘電容和擴散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復(fù)時間沒有關(guān)系。如下表所示：序號種類型號結(jié)電容反向恢復(fù)時間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
什么是反向恢復(fù)過程？二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
=trr，叫反向恢復(fù)時間。②反向恢復(fù)時間產(chǎn)生的原因因為二極管是半導(dǎo)體器件，它是由一對PN結(jié)組成的，PN結(jié)有電荷存儲效應(yīng)，就是說電荷消失需要一定的時間。③反向恢復(fù)時間長的缺點二極管主要就是利用他的單向
2023-02-15 14:24:47
低壓MOS管體二極管反向擊穿電壓
2020-01-15 17:12:27
，理論上沒有反向恢復(fù)時間，而快恢復(fù)二極管本質(zhì)上和PIN二極管-一樣，是少子器件的反向恢復(fù)時間通常在幾十到幾百ns。3.額定反向耐壓下，快恢復(fù)二極管的反向漏電流較小，通常在幾uA到幾十uA;肖特基二極管的反向漏電流則通常達到幾百uA到幾+mA，且隨溫度升高急劇增大。`
2018-11-01 15:26:11
)功率二極管反向恢復(fù)特性(b)二極管關(guān)斷原理電路(c)關(guān)斷過程中非平衡載流子濃度分布變化圖反向恢復(fù)過程從時間T=0開始，施加反向電壓V，可以看見，正向電流Ifm開始減小，知道T0時正向電流將為0。從T
2023-02-14 15:46:54
對于二極管來說，加在其兩端的電壓由正向變到反向時，響應(yīng)時間一般很短，而相反的由反向變正向時其時間相對較長，此即為反向恢復(fù)時間，當(dāng)二極管用做高頻整流等時，要求反向恢復(fù)時間很短，此時就需要快恢復(fù)二極管
2021-06-30 13:51:20
據(jù)（DiodesIncorporated公司）器件標稱參數(shù) 測試反向電壓：300V二極管正向?qū)娏鳎?.68*2=11.36A二極管反向恢復(fù)電流：2.24*2=4.48A二極管反向恢復(fù)電流斜率
2015-03-05 09:30:50
、反向恢復(fù)時間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過
2023-02-07 15:59:32
在15.6KHZ或31.5KHZ的高頻電路中工作，電路不僅要求肖特基二極管有足夠的耐壓，而且還要求肖特基二極管具有良好的開關(guān)特性，即具有很短的反向恢復(fù)時間，因此必須使用快恢復(fù)肖特基二極管。如果采用普通
2018-12-05 11:54:21
如何選擇開關(guān)電源次級輸出的整流二極管的反向恢復(fù)時間？
2023-04-20 16:41:42
如何選擇開關(guān)電源次級輸出的整流二極管的反向恢復(fù)時間？
2023-05-15 17:47:45
中減小損耗和電磁干擾，可靠性高。可應(yīng)用于低電壓整流，高頻轉(zhuǎn)換開關(guān)，開關(guān)電源、高頻直流轉(zhuǎn)換器、續(xù)流和極性保護等。 二極管反向恢復(fù)過程以及注意點 反向恢復(fù)時間限制了二極管的開關(guān)速度，這一點尤其需要
2020-09-24 16:10:01
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
較短的反向恢復(fù)時間。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的快恢復(fù)二極管遠不能滿足新器件應(yīng)用的要求，不是簡單地縮短trr，還要求有較軟的恢復(fù)特性。特別是在大功率開關(guān)電路中，由于負載往往是感性的，在開關(guān)過程中會產(chǎn)生
2020-09-24 16:17:13
Ir - 反向電流 ： 0.3mA 熱阻：2.0℃/W 20A/600V快恢復(fù)二極管FMD4206S封裝與尺寸 二極管的反向恢復(fù)時間 二極管的反向恢復(fù)過程就是由于電荷儲存所引起的。反向
2020-09-24 16:11:08
通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔，它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t
2017-02-10 17:51:37
通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔，它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t
2021-08-13 17:15:07
快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能
2023-02-17 14:08:01
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ娦裕饕獞?yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-16 14:56:38
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ娦裕饕獞?yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-20 15:22:29
客戶簡單講解一下。肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，其特長是開關(guān)速度非常快，反向恢復(fù)時間可以小到幾個納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流
2015-10-19 11:26:11
本文介紹了國內(nèi)外專家學(xué)者為提高快恢復(fù)二極管(FRD)的反向恢復(fù)速度及軟度所做的種種不懈努力,介紹了與IGBT、功率MOSFET等現(xiàn)代電力電子器件相配套的FRD的國內(nèi)外現(xiàn)狀及采用的技術(shù)方案,以及晶閘管
2010-05-04 08:06:37
機變頻調(diào)速等電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用，是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。 肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，其特長是開關(guān)速度非常快，反向恢復(fù)時間可以小到幾個納秒，正向?qū)▔航祪H
2022-03-31 10:04:12
快恢復(fù)二極管工作原理及特點作用快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流
2021-11-12 06:34:53
快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)
2021-09-09 06:52:46
快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)
2015-11-27 17:55:42
快恢復(fù)二極管是在P型、N型硅材料中增加了基區(qū)I，構(gòu)成P—I—N硅片結(jié)構(gòu)。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很少，不僅大大減小了反向的恢復(fù)時間，還降低了瞬態(tài)正向電壓，使管子能夠承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)
2021-05-14 08:11:44
高壓二極管反向恢復(fù)時間測試儀滿足國家標準：GB/T 4023-1997，使用矩形波法測試反向恢復(fù)時間。一：主要特點A：測量多種高速高壓二極管 B：二極管反向電流峰值50mA（定制）C：二極管正向
2015-03-11 14:02:20
快速恢復(fù)二極管的特點就是它的恢復(fù)時間很短，這一特點使其適合高頻（如電視機中的行頻、開關(guān)電源輸出）整流。快速恢復(fù)二極管有一個決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復(fù)時間。反向恢復(fù)時間的定義是，二極管從正向
2021-05-24 06:24:34
損壞，可以用軟特性和硬特性的概念來表示dirr/dt對反向特性的影響。軟化系數(shù)S還可以表示為通過上式可以預(yù)測反向峰值電壓的幅值。其中，L為電路總電感URM即為二極管反向恢復(fù)時施加于有源器件的峰值電壓
2019-10-10 13:38:53
速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN
2020-12-15 15:45:54
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復(fù)時間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復(fù)時間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時間
2018-11-02 11:54:12
整流二極管的反向恢復(fù)過程
2021-01-08 06:22:44
整流二極管的選用 整流二極管一般為平面型硅二極管,用與電源整流電路中。 選用整流二極管時,主要應(yīng)考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時間等參數(shù)。 普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路
2015-11-27 17:50:39
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
主要指與快速晶閘管、高頻晶閘管以及GTO、IGCT、lEGT等晶閘管派生器件匹配的FWD器件。這種二極管通常電流大，電壓高，反向恢復(fù)時間一般在Iμs以上，大都采用擴散型穿通型結(jié)構(gòu)和電子輻照工藝，電流從
2019-04-26 10:05:26
二極管，人們常將與IGBT、功率M0SFET等器件相匹配的FRD稱之為超快恢復(fù)二極管，由于IGBT、功率MOSFET器件的開關(guān)速度很快，因此要求FRD不僅反向恢復(fù)要很快，而且要求“軟”特性，以避免產(chǎn)生高
2019-04-16 09:37:22
，小于10nS的反向恢復(fù)時間。它是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由
2017-11-30 13:15:14
頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 快恢復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時間，在導(dǎo)通和截止
2019-01-08 13:56:57
肖特基二極管是什么？ 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間可小到幾個納秒（2-10ns納秒），正向壓降
2016-04-19 14:29:35
（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
，最大可達100GHz。8.反向恢復(fù)時間Trr：當(dāng)工作電壓從正向電壓變成反向電壓時，二極管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際上，一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量，就是反向恢復(fù)時間。雖然它
2022-01-24 11:27:53
快速恢復(fù)二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗
2021-09-09 15:19:01
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
一、二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€反向恢復(fù)過程在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內(nèi)，輸入為+VF，二極管導(dǎo)通，電路中有電流流通。 設(shè)VD為二極管正向壓降（硅管為
2020-02-25 07:00:00
請教一下大佬二極管的反向恢復(fù)時間是什么意思？
2023-04-04 14:39:39
肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。
2019-09-30 09:12:59
什么是超快恢復(fù)二極管？’既然那么多的朋友都有關(guān)注到這個問題，那么我們今天就來為大家淺談一下超快恢復(fù)二極管。揭開它神秘的面紗。?超快恢復(fù)二極管是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間超短的半導(dǎo)體二極管，常用
2016-04-20 14:38:22
編輯-Z超快恢復(fù)二極管如何選？我們在選用超快恢復(fù)二極管時要注意什么呢？下面給大家介紹一下ASEMI超快恢復(fù)二極管資料。 當(dāng)我們選擇超快恢復(fù)二極管整流器時，總是會關(guān)注反向恢復(fù)時間trr（它代表從指定
2021-10-25 17:34:10
1n4148二極管的反向恢復(fù)時間步驟第一步：將1n4148二極管接入紅色和黑色夾子；第二步：DI-1nS在側(cè)面連接電源線，此時不要打開儀器電源，如果打開，請關(guān)閉電源；第三步：調(diào)節(jié)電壓旋鈕選擇器件反向耐壓，將電壓
2015-03-11 13:56:18
的安全裕量。 圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內(nèi)部體二極管的橫截面示意圖2. 反向恢復(fù)行為新一代CoolMOS? 650V CFD的反向恢復(fù)特性如圖2所示。與標準器件相比，新一代
2018-12-03 13:43:55
電源所用的快恢復(fù)整流二極管都是肖特基二極管結(jié)構(gòu)。這種快恢復(fù)整流二極管充分利用肖特基二極管多數(shù)載流子導(dǎo)電，因而正、反向恢復(fù)時間都短的優(yōu)勢，實現(xiàn)高頻高效整流。 功率二極管的正向恢復(fù)時間理解為：一個尚未導(dǎo)
2011-07-14 08:32:21
超快速二極管的反向恢復(fù)特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:48
19 ，它有普通整流二極管、快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復(fù)時間呢？它和結(jié)電容之間有什么關(guān)系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復(fù)時間： 普通二極管：反向恢復(fù)時間一般 500ns以上； 快恢復(fù)二極管：反向
2021-09-22 15:07:0331363 
救世主GaN來了！第1部分：體二極管反向恢復(fù)。
2022-11-03 08:04:342 反向恢復(fù)時間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲電荷，二極管繼續(xù)反向導(dǎo)通。反向流動的時間稱為反向恢復(fù)時間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復(fù)電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:305422 
當(dāng)我們對于用實際組件來實現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時，這個波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化
2023-04-15 09:15:122505 
器件損壞。為了保護二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復(fù)電路。 二極管反向恢復(fù)電路是一種用于減小反向恢復(fù)電流的電路，通常由二極管和電感器構(gòu)成。當(dāng)二極管處于正向?qū)顟B(tài)時，電感器存儲了能量；當(dāng)二極管從導(dǎo)
2023-12-18 11:23:57596 生反向恢復(fù)過程。 反向恢復(fù)過程是指當(dāng)二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時，電流不能立即停止流動，而是經(jīng)過一個反向電流的過程。這個過程通常包括兩個階段：反向恢復(fù)時間和存儲時間。 反向恢復(fù)時間（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
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