,器件將失去阻斷能力,柵極控制就無法保護,從而導(dǎo)致IGBT失效。實際應(yīng)用時,一般最高允許的工作溫度為125℃左右。2、超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞。擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為
2020-09-29 17:08:58
IGBT傳統(tǒng)防失效機理是什么IGBT失效防護電路
2021-03-29 07:17:06
IGBT的失效機理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)(Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定:——IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓
2018-10-18 10:53:03
`如圖,AD原理圖庫工作區(qū)不小心關(guān)掉了怎么打開`
2019-12-21 15:09:37
LT1028運放線性工作區(qū)大致在什么范圍呢?或者運放的同向輸入端-反向輸入端的值最大多少時,在線性工作區(qū)呢?
2023-11-15 07:16:23
昨天,BOSS給我一個程序 讓我修改,打開是一個多工程工作區(qū)(如圖),mian工程下面每個文件夾是一個獨立工程,編譯時要先編譯mian工程下面的幾個工程,最后編譯mian工程,下面幾個工程
2016-02-18 14:51:35
文章,這么看來,也不算是巧合)之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶,這是因為每個供應(yīng)商都有各自生成SOA曲線的方法,并且在提供有
2018-09-05 15:37:29
MOSFET的失效機理至此,我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET,首先不能超過MOSFET規(guī)格書中的絕對最大
2022-07-26 18:06:41
第四部份似乎很相似,這樣做可行么?問題分析:系統(tǒng)短路的時候,功率MOSFET相當于工作在放大的線性區(qū),降低驅(qū)動電壓,可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流,從而降低系統(tǒng)的短路電流,從短路保護的角度而言,確實有一定
2016-12-21 11:39:07
Windows(7位64位)任務(wù)管理器中消失,在工作區(qū)上單擊“確定”后大約一秒鐘。當我選擇另一個工作區(qū)時,SDK啟動正常。所以看起來我正在處理一些損壞的工作區(qū)文件?我應(yīng)該刪除項目下的某些文件/緩存嗎?**如果
2018-12-18 10:48:21
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區(qū)圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
根本沒有工作區(qū)窗口。我在左側(cè)打開.vhd文件,但沒有出現(xiàn)工作區(qū)窗口。我試圖在項目位置文件夾中找到一個文件并從那里打開它,但同樣的事情發(fā)生了。我用Google搜索并查看幫助部分,但找不到解決方案。有誰
2019-03-12 10:22:38
multisim 10.0工作區(qū)放大后,需要左右移動時,有木有快捷鍵啊??(比如上下移動時——ctrl+鼠標滾輪)
2014-01-02 18:59:51
` 我們在原理圖頁面進行操作時,經(jīng)常會因為縮小或者拖拽導(dǎo)致原理圖工作區(qū)消失,如圖3-6所示,那么如何快速跳轉(zhuǎn)到原理圖工作區(qū)呢?圖3-6工作區(qū)消失圖3-7執(zhí)行適合所有對象命令 執(zhí)行【視圖】-【適合所有對象】命令,或者按快捷鍵“VF”就可以快速跳轉(zhuǎn)回原理圖工作區(qū),如圖3-7所示。`
2021-05-24 10:44:55
1、如何理解MOS管工作在可變電阻區(qū) 工作在可變電阻區(qū)的條件:Vgs>Vgs(th)、VdsVgs(th)、Vds>Vgs-Vgs(th),已經(jīng)進入飽和區(qū)(恒流區(qū)),是否還能工作在
2020-08-31 14:18:23
:0.1℃ 時間:Is用戶程序容量:10×99段。運行方式:程序運行,恒定運行。獨立超溫保護儀表。設(shè)備工作時間累計計時器。低溫區(qū)、高溫區(qū)轉(zhuǎn)換時間小于等于15秒。 溫度恢復(fù)時間小于等于5分鐘。
2019-01-28 09:15:03
假設(shè)我有一個包含多個產(chǎn)品項目(例如應(yīng)用程序項目、引導(dǎo)加載程序項目等)的工作區(qū)。假設(shè)此工作區(qū)位于C:\ProductA。現(xiàn)在我想復(fù)制此工作區(qū)以將其用于另一個產(chǎn)品,比方說 ProductB,它將位于C
2023-01-04 08:22:14
失效分析基本概念定義:對失效電子元器件進行診斷過程。1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學(xué)的分析手段。2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理,提出糾正措施,防止這種失效
2016-12-09 16:07:04
1、功率MOSFET安全工作區(qū)SOA曲線功率MOSFET數(shù)據(jù)表中SOA曲線是正向偏置的SOA曲線,即FBSOA曲線,那么這個安全工作區(qū)SOA曲線是如何定義的呢?這個曲線必須結(jié)合前面討論過的功率
2016-10-31 13:39:12
電源內(nèi)部IGBT的安全運行區(qū)分為三個主要區(qū)域:1、短路2、正向?qū)?、反向?qū)ㄒ陨暇褪亲冾l電源內(nèi)部IGBT的三大主要安全區(qū)分運行區(qū)域,望對大家有所幫助。變頻電源是可將市電通過功率的轉(zhuǎn)換,輸出純正弦波,在一...
2021-12-28 06:03:18
打開AD軟件沒有問題但是在PCB界面一旦使用鍵盤上的快捷鍵鼠標就只能
工作在
工作區(qū)根本點不了其他地方(比如命令欄等) 大家?guī)蛶兔Π?/div>
2019-06-10 05:35:27
我想知道如何關(guān)閉 S32DS 工作區(qū)中的項目,因為我已經(jīng)關(guān)閉了工作區(qū)中的項目但是當我想用 [ctrl+Alt+E] 打開它時顯示消息“一個項目已經(jīng)存在于工作區(qū)”已顯示,但我什么也看不到!
2023-06-05 09:02:30
我正在嘗試學(xué)習(xí) STM32WB 入門系列,但我無法正確導(dǎo)入任何示例項目。如何將示例項目之一轉(zhuǎn)換為 CubeIDE 工作區(qū)中的工作項目?
2022-12-26 08:31:11
我想知道如何將鍵盤和鼠標綁定到nvidia網(wǎng)格工作區(qū)?當我像游戲一樣嘗試全屏應(yīng)用程序時,鼠標和鍵盤停止工作(僅點擊工作)。以上來自于谷歌翻譯以下為原文I would like to know how
2018-09-20 11:33:34
書上說三極管工作在飽和區(qū)必須是集電結(jié)和發(fā)射結(jié)正偏,但實際應(yīng)用中集電極接的是VCC,基極電壓怎么能比集電極電壓高。
2013-09-03 19:53:39
手機SOC內(nèi)的ARM ***技術(shù), 可以對FLASH劃分安全區(qū)和普通區(qū)嗎?求大神解答一下
2022-08-08 14:06:40
請教下: 手機SOC內(nèi)的ARM ***技術(shù), 可以對FLASH劃分安全區(qū)和普通區(qū)嗎?其中FLASH安全區(qū)只能TEE讀寫, REE不能訪問改寫。謝謝
2022-09-08 11:27:38
打開工作區(qū)時出現(xiàn)STVD錯誤以上來自于谷歌翻譯以下為原文 STVD error while opening workspace
2019-03-28 06:22:43
新注冊的DIGIPCBA賬號,為了在AD用第三方器件搜索,第一次登錄提示我激活工作區(qū),點擊激活卡死報錯,再刷新再激活就提示已經(jīng)達到免費工作區(qū)上限,可是我并沒有任何工作區(qū)。如圖:
2023-05-20 17:32:19
這真煩人。我在本地驅(qū)動器下創(chuàng)建了一個項目,第二次嘗試打開它時,PSoC Creator 3.3給出了這個警告:無法保存工作區(qū)的用戶數(shù)據(jù)文件[CyWRK]:(訪問路徑[CyWRK]被拒絕)。當我點擊
2019-10-12 10:18:18
無論是在digipcb還是Altium端,都無法創(chuàng)建工作區(qū),較長時間的提示正在創(chuàng)建之后,最終就顯示處理中,求解決,謝謝。
2021-10-15 10:57:36
大家好,我正在嘗試創(chuàng)建一個PSoC 5LP設(shè)計,在創(chuàng)建工作區(qū)/項目之后,我不能將任何組件從組件目錄中添加到工作空間中。通過添加I均值點擊并將組件拖到工作區(qū)中(我正在嘗試添加BooToLoad,但其他組件也不起作用)。請幫助,謝謝
2019-09-16 14:08:02
各位前輩,請問關(guān)于晶閘管的安全工作區(qū)(SOA)應(yīng)該怎么刻畫呢?
2017-06-20 15:40:06
在設(shè)計機械手工作安全區(qū)時,安全區(qū)呈矩形。當兩個安全區(qū)相鄰時,其實它們覆蓋的區(qū)域都是安全區(qū),而機械手在實際工作時,不能從它們中間直接走,必須從上面繞一下才行,怎么解決呢?
2019-02-28 15:53:25
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面:1、IGBT過壓失效,Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流,一定程度
2012-12-19 20:00:59
`電容器的常見失效模式和失效機理【上】電容器的常見失效模式有――擊穿短路;致命失效――開路;致命失效――電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等;部分功能失效――漏液
2011-11-18 13:16:54
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
電容器的常見失效模式有:――擊穿短路;致命失效――開路;致命失效――電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降
2011-12-03 21:29:22
系數(shù)。 兩種器件的開關(guān)損耗和電流相關(guān),電流越大,損耗越高。(5)安全工作區(qū)與主要參數(shù)ICM、UCEM、PCM:IGBT的安全工作區(qū)是由電流ICM、電壓UCEM、功耗PCM包圍的區(qū)域
2009-05-12 20:44:23
嘿!緩沖區(qū)如何在FX3中工作,從FIFO模式?每個物理線程是否分配緩沖區(qū),或者每個邏輯套接字分配緩沖區(qū)?奴隸FIFO總共有多少緩沖空間?如果我使用四個物理線程,每個線程只有一個套接字,每個物理線程有
2019-04-22 14:50:30
digiPCBA我的工作區(qū) 可以作為 PCB文件的云盤存儲區(qū),如果不是要協(xié)同處理,不需要怎么改動的,已經(jīng)定型的文件上傳到這里是比較方便的。但是,在文件上傳時,需要有什么格式要求,找不到對應(yīng)的文件說明
2021-03-27 09:33:38
將基于角色的訪問控制模型RBAC96應(yīng)用到工作流中,設(shè)計一個基于角色的安全工作流模型,給出該模型的形式化描述和圖形表示。定義DcAC, EP, EPA, IP, IPA的概念,用于管理模型中的授權(quán)
2009-04-11 09:45:4216 ◆安全可靠:本質(zhì)安全型防爆等級Exib IICT4 Gb,滿足1、2區(qū)安全工作的要求。◆高效節(jié)能:采用大功率LED光源,光效高,壽命長,平均使用壽命長達50000小時。
2023-03-02 11:14:40
產(chǎn)品應(yīng)用◆適用于網(wǎng)電、廠電、冶金、石化、油田、公安、消防、鐵路、部隊等行業(yè)提供應(yīng)急工作照明;(1區(qū)、2區(qū))性能特點◆安全可靠:經(jīng)國家權(quán)威機構(gòu)防爆認證,具有優(yōu)良的防爆性能及良好的防靜電效果,可在各種
2023-03-02 12:18:57
產(chǎn)品應(yīng)用◆適用于鐵路、航運、部隊、警察和工礦企業(yè)及各種野外工作、急難救助、定點搜索、緊急事故處理等場所作移動照明和信號指示;(1區(qū)、2區(qū))。性能特點◆安全可靠:經(jīng)國家權(quán)威機構(gòu)防爆認證,具有優(yōu)良的防爆
2023-03-02 12:24:28
產(chǎn)品應(yīng)用◆適用于油田、石化以及其他各行各業(yè)工業(yè)場所,作為日常的生產(chǎn)設(shè)備檢修或者廠區(qū)停產(chǎn)大檢修作業(yè)時的工作照明。(1區(qū)、2區(qū))性能特點◆安全可靠:安全防爆,本產(chǎn)品可在1區(qū)IIC級爆炸性氣體環(huán)境安全
2023-03-02 14:01:35
逆變器的工作原理和安全要求摘要: 通過對逆變器的工作原理和工作方式的分析,確定逆變器的安全要求和安全考核方式。關(guān)鍵詞:逆變器Inverter,限流電
2010-06-02 17:28:3985 igbt工作原理及應(yīng)用
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 09:45:1811134 安全通行卡的工作原理是什么?
在一些限制進入的區(qū)域和建筑中,經(jīng)常要使用安全通行卡才能進入。安全通行卡如果用于一般訪問,就意味著通行卡不提供有關(guān)使用者的數(shù)
2009-07-29 08:24:001314 從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
1、? 引言
半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665 下面我們就來綜合介紹一下GLED的工作機理及其實質(zhì)性的特征。
一、工作原理:
1.圖1為e旋進放電的示意圖,圖1中a為陽極,c為陰極。GLE的優(yōu)選由Ω形的陰
2010-10-21 11:01:18798 高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大,以達到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提,驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用。
2016-08-05 16:16:3223351 關(guān)于安全繼電器工作原理,實際上存在兩個層面問題:一是未能區(qū)分安全繼電器與普通繼電器的區(qū)別。二是不清楚安全繼電器如何搭建形成的安全繼電器模塊。大家想了解安全繼電器工作原理,其實真正同應(yīng)用相關(guān)的的是安全繼電器模塊的工作原理
2017-11-01 10:21:5531708 。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著很大的功耗,一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增,晶圓結(jié)溫急劇上升,如果散熱不及時,就會導(dǎo)致器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸,非常危險。這里就衍生一個概念,安全工作區(qū)。 一、什么是安全工作區(qū)? 安
2017-11-08 11:42:182 本文主要有兩個目的,一是向大家介紹一下ARCore的基本概念,了解這些概念對于大家后續(xù)深入的學(xué)習(xí) ARCore具有關(guān)鍵的作用。二是深入剖析一下 ARCore的工作機理,這樣可以讓大家更容易理解 ARCore。
2018-01-24 10:35:235866 本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu),其次介紹了IGBT工作原理及代換,最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-07-17 15:00:1785386 本文主要介紹了安全閥的工作原理及安全閥的結(jié)構(gòu)。
2020-04-28 09:50:4327337 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說明包括了:IGBT 的基本結(jié)構(gòu),IGBT 的工作原理和工作特性,IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū),IGBT 的驅(qū)動與保護技術(shù),集成
2020-09-10 08:00:0019 IGBT的封裝失效機理 輸出功率器件的可信性就是指在要求標準下,器件進行要求作用的工作能力,一般用使用期表明。因為半導(dǎo)體材料器件主要是用于完成電流量的轉(zhuǎn)換,會造成很大的輸出功率耗損,因而,電力
2020-12-09 16:34:121379 《電力安全工作規(guī)程》題庫配電部分(電源技術(shù)的發(fā)展趨勢)-《電力安全工作規(guī)程》題庫配電部分? ? ? ? ? ? ? ? ??
2021-09-23 15:12:047 MOSFET的失效機理 本文的關(guān)鍵要點 ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072544 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《安全工作區(qū)開源分享.zip》資料免費下載
2022-11-04 14:22:581 MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。
2023-02-13 09:30:071143 今天,本文就和大家嘮一嘮IGBT的安全工作區(qū),英文全稱safe operating area,簡稱SOA。顧名思義,也就是說只要使用的條件(電壓、電流、結(jié)溫等)不
超出SOA圈定的邊界,IGBT
2023-02-24 09:35:205 MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07638 失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117 MOSFET安全工作區(qū)域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率,那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這
2023-05-09 09:47:03860 安全光柵的工作狀態(tài)
2023-07-08 11:18:52252 肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關(guān)元件,在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 如何判斷安全光幕是否正常工作? 很多客戶初次使用安全光幕的時候,就會比較疑惑,光幕是否安裝正確,光幕是否進入正常工作狀態(tài)。 因為安全光幕的作用就是保護人身安全,馬虎不得。所以如何判斷安全光幕進入工作
2023-08-30 09:35:22236 如何判斷安全光幕是否正常工作? 很多客戶初次使用安全光幕的時候,就會比較疑惑,光幕是否安裝正確,光幕是否進入正常工作狀態(tài)。 因為安全光幕的作用就是保護人身安全,馬虎不得。所以如何判斷安全光幕進入工作
2023-09-04 10:40:59262 如何判斷安全光幕是否正常工作? 很多客戶初次使用安全光幕的時候,就會比較疑惑,光幕是否安裝正確,光幕是否進入正常工作狀態(tài)。 因為安全光幕的作用就是保護人身安全,馬虎不得。所以如何判斷安全光幕進入工作
2023-09-06 10:20:39207 壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721 Q A 問: IGBT 的安全工作區(qū) 在 ? IGBT ? 的規(guī)格書中,可能會看到安全工作區(qū)(SOA, Safe Operating Area),例如 ? ROHM
2023-12-13 20:15:02641 或性能下降的情況下,其運行的工作電壓和電流條件。實際上,不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT、SiC、GaN等開關(guān)器件,而且還需對其所在區(qū)域進行溫度調(diào)降。通常安全工作區(qū)分為正向偏置工作區(qū)(FBSOA)和反向偏置工作區(qū)(RBSOA),分別定義
2023-12-20 09:55:02118 在解決電源安全問題時,絕緣類型、隔離電壓和工作電壓的概念如何應(yīng)用? 在解決電源安全問題時,絕緣類型、隔離電壓和工作電壓是非常重要的概念。這些概念在設(shè)計和選擇電源系統(tǒng)時起著至關(guān)重要的作用,能夠有效地
2024-01-19 13:58:38295 安全工作區(qū):SOA(Safe operating area)是由一系列(電壓,電流)坐標點形成的一個二維區(qū)域,開關(guān)器件正常工作時的電壓和電流都不會超過該區(qū)域。簡單的講,只要器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全的,超過這個區(qū)域就存在危險。
2024-01-19 15:15:54185
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