美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”,導通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:012494 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。
2019-11-22 15:16:321787 隨著新產品的發布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 東芝將進一步擴大其MOSFET產品線,通過減少損耗提高設備電源效率,進而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 中國上海, 2023 年 3 月 9 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT---
2023-03-13 09:56:12662 中國上海, 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品
2023-06-13 16:38:50712 ---“TWxxxZxxxC系列”,該產品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ,用于支持工業設備應用 。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產品于今日開始批量
2023-09-04 15:13:401134 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr),以及出色的品質因數(RDS(on) x Qg),能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET,根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率。 關斷波形圖(650V/10A產品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點,一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
中國上海,2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
,工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念,是DC-DC轉換器的理想選擇;相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封裝不等。MOSFET額定電壓范圍從12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便攜式設備如手機和平板電腦。它們也用于計算機、服務器、電動工具和汽車。選擇合適
2018-10-18 09:13:03
有些功率MOSFET的數據表中列出了重復雪崩電流IAR和重復雪崩能量EAR,同時標注了測量條件,通常有起始溫度25C,最高結溫150C或者175C,以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率,這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之,就是在功率晶體管的范圍,為超越平面結構的極限而開發的就是超級結結構。如下圖所示,平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時,漂移層會增厚,存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
等級,同時,在器件導通時,形成一個高摻雜N+區,作為功率MOSFET導通時的電流通路,也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開,分別設計在不同的區域,就可以實現上述的要求。基于超結
2018-10-17 16:43:26
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能,零開關損耗,提高效率,降低解決方案成本,功率密度增加,實現更高的開關頻率,減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能,零開關損耗,極低反向電流 ,無反向恢復電流 ,低電容電荷, 提高效率,降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
保護,過電壓保護,溫度補償精密電流源環路補償和故障保護電路。相比分立MOSFET和控制器或RCC開關轉換器解決方案,一飛兆功率開關(FPS)可以減少組件,設計尺寸和重量的總數,所以它會提高效率,生產力
2021-05-18 06:24:41
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
公司也有生產,但是ROHM在推進獨自開發。此次內置的SJ MOSFET不僅實現了650V的高耐壓,還實現了低導通電阻與低柵極電荷,開關速度也非常快。這將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
、SCT50N120 (Vbr=1200v(SCT*N120),Vbr=650v(SCT*N65G2/G2V)).高溫時功率損耗低.高溫工作性能(200C).無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電(SCT*N65G2V)了解更多信息,請關注英特洲電子,QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
;TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數:應用:高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on),同時具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
這個匯總表來介紹。可稍微有些詳細,但里面幾乎包含了BM2Pxxx系列的所有特點。BM2Pxxx系列的特點和優點?內置ROHM獨有的650V超級結MOSFET→[tr]?電流模式PWM控制、逐周期過電流
2018-12-03 14:41:45
描述此參考設計是一款專為低頻(基于變壓器)單相 UPS(由 12V 電池供電)設計的 650W 逆變器功率級。此設計憑借采用 SON5x6 封裝且具有極低 RDS(on) 和低柵極電荷 (Qg
2018-10-18 15:10:58
LTM8027 μModule? 穩壓器在4 A輸出電流時僅實現80%的功率效率。圖2.電壓分兩步從48 V降至3.3 V,包括一個12 V中間電壓。目前,非常常見且更高效的提高功率效率的電路
2018-10-30 11:52:49
Frederik Dostal問:如何提高高電壓輸入、低電壓輸出的電源轉換器的效率?答:對于需要從高輸入電壓轉換到極低輸出電壓的應用,有不同的解決方案。一個有趣的例子是從48 V轉換到3.3 V
2018-10-30 11:44:08
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓啟動電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
要點:?Hybrid MOS是兼備MOSFET和IGBT優勢的新結構MOSFET。?同時具備MOSFET的高速性、在低電流范圍的低損耗、IGBT在大電流范圍的低損耗特性。?有利于提高家電的APF標準。不僅支持大功率,還可提高低電力范圍的效率。
2018-11-28 14:25:36
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結MOSFET: 3/5 A、600V 內置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術
2018-11-20 10:52:44
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結溫,是一個不可或缺的過程,功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法?SenseFET方法檢測電流的工作原理是什么?影響電流檢測準確性的原因有哪些?
2021-04-21 07:16:38
650V SiC MOSFET 的功率損耗低,可以在雙向高功率轉換應用(例如 EV 的 OBC)中實現高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)為包含電源插座的所有產品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓啟動電路,可承受650V電壓,有助于實現低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ,原裝正品,優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
或RqJA來校核功率MOSFET的結溫,通常可以增大散熱器,提高器件通過電流的能力。底部沒有裸露銅皮的封裝,使用RqJL或RqJA來校核功率MOSFET的結溫,其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于
2020-03-12 10:08:47
了一個基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D的工程樣品??的原型,以驗證設計的性能和熱完整性。該原型展示了54 W / in3的功率密度以及在充電和放電模式下的峰值效率
2019-10-25 10:02:58
。IPL65R190E6 ——作為650V CoolMOS?E6器件的代表,具備快速、可控的開關性能,適用于效率和功率密度是關鍵要求的應用。650VCoolMOS? E6器件易于應用,是各種高能效開關產品
2017-04-12 18:43:19
的短路魯棒性:10微秒短路脈沖時間、Tvjop=150°C? 在結溫升高(高達Tvjop=150°C)下的最高輸出功率和在結溫降低下的最高功率循環功能之間具備理想的靈活性總之,設計工程師利用650V
2018-12-07 10:16:11
650V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路
?優化輕載噪音、提升系統抗干擾能力
?多模式控制、無異音工作
?支持降壓和升降壓拓撲
?默認 12V 輸出 (FB 腳懸空)
?待機功耗 <
2024-03-12 14:25:14
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
轉換器IC的特點和優點:?內置ROHM獨有的650V超級結MOSFET→高效率和小型化?電流模式PWM控制、逐周期過電流限制功能→提高負載瞬態響應的速度?開關頻率 65kHz→開關損耗與外圍元器件尺寸
2019-07-11 04:20:12
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位,以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)的概要
2018-12-03 14:27:05
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET,這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度,應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結(SJ)器件的優勢(如低導通電阻和低容性開關損耗)與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 東芝于日前宣布,開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為+40V的n通道產品,是該公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成員。除車載電子設備外,還可用于工業電子設備和消費類電子產品等的馬達驅動電路和開關穩壓器。
2013-01-23 09:25:13737 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術,導通電阻低至30m?、電流達6A~105A,在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 日前,東芝公司宣布,公司已為智能手機與平板電腦燈移動設備的高電流充電電路開關推出超緊湊型MOSFET,包括兩種高功耗封裝電池“SSM6J781G”和“SSM6J771G”。
2013-07-30 16:27:391141 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14746 ?正溫度系數,易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數,易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數,易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 意法半導體推出新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,適用于暖通空調系統(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 近日,東芝宣布推出適用于NAS平臺的MN07系列12TB和14TB 3.5英寸硬盤。東芝MN07系列采用充氦密封的機械設計實現高達14TB和12TB的容量。較之前的10TB“空氣型”7,200rpm機械設計,14TB型號可將工作效率提高大約55%。
2018-08-05 10:54:394302 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET,新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
2018-09-13 15:54:155102 作為碳化硅技術全球領先企業的科銳(Cree Inc., 美國納斯達克上市代碼:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合,適用于更廣闊的工業應用,助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用,提供業界領先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 ,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管,在硬換流的場合,至少有兩個主要優勢: 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:202347 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝
2022-03-18 17:35:264581 如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告,電動汽車充電市場的增長將非常強勁,高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? 近年來,隨著社會對電動汽車需求的增長,產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝,支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構,
2023-02-04 18:31:452676 - 您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻,多次提到“因為內置超級結MOSFET,......”。接下來請您介紹一下超級結MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)。
2023-02-17 11:37:15878 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具
有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為
2023-02-20 15:46:150 ME8133是一款高性能,高效率電流模式PWM控制器,內封650V/4A功率MOSFET,功率最高可達30W(220VAC)。
2023-03-29 10:08:081214 功率晶體管與標準門極驅動器兼容,方便集成到現有系統中。 優秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統效率。 無需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無需額外添加自由輪二極管,簡化了系統設計。 低開關損耗:采用先進的GaN技術,650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34693 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228 圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出最新一代 [1] 用于工業設備的碳化硅 ( SiC ) 肖特基勢壘二極管 ( SBD
2023-07-13 17:40:02184 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 電子發燒友網站提供《600-650 V MDmesh DM9:快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269 MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:011 電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
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2022-04-29 14:33:490 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41977 3月8日,瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287 近日,瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品,這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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