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電子發燒友網>電源/新能源>穩壓電源>好消息 東芝650V超級結功率提高大電流設備效率的MOSFET問市

好消息 東芝650V超級結功率提高大電流設備效率的MOSFET問市

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2018-09-13 15:54:155102

科銳推出650V碳化硅MOSFET產品組合,為應用領域提供高功率解決方案

作為碳化硅技術全球領先企業的科銳(Cree Inc., 美國納斯達克上市代碼:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合,適用于更廣闊的工業應用,助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用,提供業界領先的功率效率
2020-04-02 15:37:563648

英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場競爭激烈

英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267

簡述仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性

,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管,在硬換流的場合,至少有兩個主要優勢: 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:202347

東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920

東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝
2022-03-18 17:35:264581

東芝半導體DTMOSVI系列MOSFET的應用及特性

如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告,電動汽車充電市場的增長將非常強勁,高達59%。
2022-08-02 15:06:55614

650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

東芝推出具有低導通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻,可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品,現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479

650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性

650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360

東芝新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET支持車載大電流設備

”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? 近年來,隨著社會對電動汽車需求的增長,產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝,支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構,
2023-02-04 18:31:452676

淺談超級MOSFET效率改善和小型化

- 您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻,多次提到“因為內置超級MOSFET,......”。接下來請您介紹一下超級MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)。
2023-02-17 11:37:15878

東芝推出第三代碳化硅MOSFET提高工業設備效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為
2023-02-20 15:46:150

高性能電流模式PWM控制器ME8133介紹

ME8133是一款高性能,高效率電流模式PWM控制器,內封650V/4A功率MOSFET功率最高可達30W(220VAC)。
2023-03-29 10:08:081214

未來智能城市的動力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

功率晶體管與標準門極驅動器兼容,方便集成到現有系統中。 優秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統效率。 無需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無需額外添加自由輪二極管,簡化了系統設計。 低開關損耗:采用先進的GaN技術,650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34693

超級結結構的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管,助力提高工業設備效率

點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出最新一代 [1] 用于工業設備的碳化硅 ( SiC ) 肖特基勢壘二極管 ( SBD
2023-07-13 17:40:02184

森國科650V超結MOSFET系列產品的性能指標

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638

600-650 V MDmesh DM9:快速恢復SJ功率MOSFET提高效率和穩健性

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2023-08-01 16:09:541

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269

MPVA12N65F 650V12A功率MOSFET

MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:011

SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

東芝推出高速二極管型功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41977

瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

3月8日,瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產品通過車規級可靠性認證

近日,瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品,這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

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