為解決直流逆變交流的問題，有效地利用能源，讓電源輸出最大功率，設計了高性能的基于IR2101最大功率跟蹤逆變器，并以SPMC75F2413A單片機作為主控制器。高電壓、高速功率的MOSFET或IGBT驅動器IR2101采用高度集成的電平轉換技術，同時上管采用外部自舉電容上電，能夠穩定高效地驅動MOS管。該逆變器可以實現DC/AC的轉換，最大功率點的跟蹤等功能。實際測試結果表明，該逆變器系統具有跟蹤能力強，穩定性高，反應靈敏等特點，該逆變器不僅可應用于普通的電源逆變系統，而且可應用于光伏并網發電的逆變系統，具有廣泛的市場前景。

　　隨著工業和科學技術的不斷發展，對電能質量的要求將越來越高，包括市電電網在內的原始電能的質量可能滿足不了設備要求，必須經過電力電子裝置變換后才能使用，而DC／AC逆變技術在這種變換中將起到重要的作用。根據市場趨勢，逆變器的選型安裝越來越傾向于小型化、智能化、模塊化等方向發展，其控制電路主要采用數字控制，系統的安全性，可靠性以及擴展性，同時將各個完善的保護電路考慮其中。因此，這里提出一種基于IR2101的最大功率跟蹤逆變器設計方案。

　　1 IR2101簡介

　　IR2101是雙通道、柵極驅動、高壓高速功率驅動器，該器件采用了高度集成的電平轉換技術，大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求，同時提高了驅動電路的可靠性。同時上管采用外部自舉電容上電，使驅動電源數目較其他IC驅動大大減少，在工程上減少了控制變壓器體積和電源數目，降低了產品成本，提高了系統可靠性。

　　IR2101采用HVIC和閂鎖抗干擾制造工藝，集成DIP、SOIC封裝。其主要特性包括：懸浮通道電源采用自舉電路；功率器件柵極驅動電壓范圍10～20 V；邏輯電源范圍5～20 V，而且邏輯電源地和功率地之間允許+5 V的偏移量；帶有下拉電阻的CNOS施密特輸入端，方便與LSTTL和CMOS電平匹配；獨立的低端和高端輸入通道。IR2101的內部結構框圖如圖1所示。

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圖1 IR2101的內部結構框圖

　　圖1中，HIN為邏輯輸入高；LIN為邏輯輸入低；VB為高端浮動供應；HO為高邊柵極驅動器輸出；Vs為高端浮動供應返回；Voc為電源；LO為低邊柵極驅動器輸出；COM為公共端。

　　2 系統硬件設計

　　根據系統設計功能需求，其硬件組成框圖如圖2所示。該系統硬件設計是由SPMC75F2413A單片機主控制器模塊、外部供能系統(普通或光伏)、斬波電路模塊、IR2101逆變電路模塊和最大功率跟蹤外部電路模塊組成。通過最大功率跟蹤外部電路模塊檢測外部電壓，將檢測值返回到SPMC75F2413A主控制器中。斬波電路模塊通過主控制器對其控制，實現最大功率跟蹤。外部供能系統是為各個模塊提供電源。IR2101逆變電路模塊主要實現DC／AC的轉換，并由斬波電路為其提供最大功率點的電能。

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圖2 系統硬件總體設計框圖

　　圖2中的SPMC75F2413A單片機正常工作電壓為5 V。但是其他模塊所加的電壓不同，斬波電路模塊與IR2101逆變電路模塊所加的電壓為15 V。因為IR2101的正常工作電壓為10～20V。

　　2．1 IR2101逆變電路

　　IR2101逆變電路原理圖如圖3所示，H1、H2為IR2101集成驅動芯片，VQ1、VQ2、VQ3、VQ4為MOS管，Up、Un、Vp、Vn是SPMC75F2413A單片機中輸出的兩相四路PWM波。其中Up、Un是一相PWM波的上下臂，Vp、Vn為另一相PWM波的上下臂，由于單片機中輸出的PWM波不能驅動大功率MOS管，因此利用IR2101的電容自舉功能，通過二極管VD1、VD2(采用肖特基管所具有的快恢復功能，提升電容充電電壓，關斷過程減少消耗能量)對自舉電容C1、C2進行充電，以此提升驅動MOS管的信號電壓，使其具有擴大信號輸出的功能，擴大后的信號PWM波就能有序地控制VQ-1、VQ2、VQ3、VQ4的通斷，在逆變電路中同一相的上下臂的驅動信號是互補。

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圖3 　IR2101逆變電路原理圖

　　當Up輸入高時，HO輸出也為高，通過IR2101的電容自舉功能，就能控制VQ1導通，此時由于LO輸出為低，不能驅動VQ2，因此VQ2處于關斷狀態，同時Vp也輸入一個高電平，即HO為高，使VQ4處于導通狀態，而此時VQ3處于關斷狀態，因此T1→VQ1→R5(負載)→VQ4→GND形成一個通路。反之，當Up、Vp為低電平，Un、Vn為高電平時，即電流的主要流向為T1→VQ3→R5(負載)→VQ2→GND，4個MOS管開關器件有序地交替通斷，進而在R5(負載)處形成了交流電。在實際應用中為了防止上下臂同時導通而造成短路，在軟件設計的過程中，添加了死區時間，來保護整個電路。