在中國深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“你碰巧在你的設計中用過60V的負載開關嗎？”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形尺寸晶體管
2022-11-16 07:06:25
8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-8-17 11:45 編輯
Diodes Inc MMBT39x車用晶體管專為中等功率放大和開關應用而設計。 MMBT39x晶體管是互補
2019-08-17 09:43:27
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數對電路設計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內？4. 在使用環境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內
2019-04-15 06:20:06
什么是電阻測量法？晶體管共發射極電路特點有哪些？
2021-09-27 08:33:35
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數測量技術報告摘 要晶體管的參數是用來表征管子性能優劣和適應范圍的指標，是選管的依據。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數測試系統，該系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計（下）》是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗，內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
我有臺晶體管測試儀：WQ4832，但是剛買的二手機，不會用，不知道有沒有高手能指導指導？
2011-10-21 08:57:17
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管電路設計
2012-10-25 10:14:21
從事電子設計7年了，發覺這兩本書挺好的，發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計（上）放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計（下）FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數β和hFEβ是晶體管的交流放大系數，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
即是內置了電阻的晶體管。數字晶體管有諸多優點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數量減少 等等。數字晶體管是ROHM的專利。內置電阻的晶體管是由ROHM最早開發并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術上的簡化，(3)晶體管的復合——達林頓，(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
即是內置了電阻的晶體管。數字晶體管有諸多優點如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數量減少 等等。數字晶體管是ROHM的專利。內置電阻的晶體管是由ROHM最早開發并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內部結構的特點是發射區的摻雜濃度遠遠高于基區摻雜濃度，并且基區很薄，集電結的面積比發射結面積大。這是晶體管具有放大能力的內部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
IGN2856S40晶體管產品介紹IGN2856S40報價IGN2856S40代理IGN2856S40咨詢熱線IGN2856S40現貨,王先生*** 深圳市首質誠科技有限公司,Integra
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
向下縮放時失去對漏電流的控制。 答案是利用第三個維度。 MOSFET晶體管從平面單柵極器件演變為多柵極3D單元，以增加電流驅動并減輕短通道效應。 使用3D還可以減少晶體管的面積。占據第三維可以
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設計與制作》是“圖解實用電子技術叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
GaAs-GaAlAs，放大倍數可以大于1000，響應時間長于納秒，常用作光電探測器和光放大。場效應光電晶體管（FET）響應迅速（約50皮秒），但缺點是光敏面積和增益小，常用作超高速光電探測器。還有許多其他平面
2023-02-03 09:36:05
模塊正確匹配。這并不難，事實上，有一種有點傳統或至少是典型的方法，如下所述。晶體管效應晶體管是用作微型繼電器的半導體器件，用于固態電子設備的分立式開/關傳感器應用。它們放大非常小的信號，例如接近開關
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
場效應晶體管的誕生。鰭式場效應晶體管架構的后續改進提高了性能并減少了面積。鰭式場效應晶體管的 3D 特性具有許多優點，例如增加鰭片高度以在相同的占位面積下獲得更高的驅動電流。 圖2顯示了MOSFET結構
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
上升時間的主要措施，從器件設計來說有如：增長基區的少子壽命（以使少子積累加快），減小基區寬度和減小結面積（以減小臨界飽和時的基區少子電荷量），以及提高晶體管的特征頻率fT（以在基區盡快建立起一定的少子
2019-09-22 08:00:00
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
扒開晶體管的外衣
2012-08-20 14:08:55
上升時間的主要措施，從器件設計來說有如：增長基區的少子壽命（以使少子積累加快），減小基區寬度和減小結面積（以減小臨界飽和時的基區少子電荷量），以及提高晶體管的特征頻率fT（以在基區盡快建立起一定的少子
2019-08-19 04:00:00
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
在中國深圳，我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“你碰巧在你的設計中用過60V的負載開關嗎？”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形尺寸晶體管
2018-08-29 16:09:11
10月7日，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管
2016-10-08 09:25:15
有沒有關于晶體管開關的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關LLC諧振轉換器方面的優勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉換器是業內隔離式
2023-02-27 09:37:29
如果說起來，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設計領域中的地位已經漸漸地被晶體管所取代，只有在少數對于音頻質量有著極高要求的產品中，才會出現電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發展1947年的圣誕前某一天，貝爾實驗室中，布拉頓平穩地用刀片在三角形金箔上劃了一道細痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導線，隨即準確地壓進鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
上面這段怎么理解啊，這個是鈴木的晶體管電路上面的，
2019-04-04 02:43:43
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
意法半導體(STMicroelectronics, ST) 日前發布全新微型封裝技術 SMBflat ，據稱比 SOT-223 封裝薄40%，能有效縮減50%的印刷電路板占板面積
2011-03-28 11:39:30
1257 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行業首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459 2016年7月正式發布的2015年國際半導體技術路線圖（ITRS）做出預測，經歷了50多年的微型化，晶體管的尺寸可能將在5年后停止縮減。
2018-01-29 11:27:3014736 
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