(SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車
2022-05-17 11:55:24
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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。
2020-12-24 15:08:34802 汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:071562 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產業線。行業分析人士表示，氧化鎵是第四代半導體材料，在市場對性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場發展潛力巨大
2023-03-15 11:09:59
。問題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅動通用驅動電壓的功率MOSFET，有什么問題？問題分析：檢查數據表中不同的VGS的導通電阻，發現對應的導通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時系統的效率降低。極端情況下在低溫的時候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開通。
2016-12-21 11:39:07
通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場效應管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區域位于源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場效應晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
的兩種結構：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導通電阻，這意味著導通功耗會更大。這是選擇時需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開關應用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
+型區。在功率MOSFET的內部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
第四代CSR8670開發板開發步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛星導航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發的第四代北斗芯片正式發布。
這是一款擁有完全自主知識產權的國產基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
能用還是未知數。那么，4G網絡來襲，晶振的再次變革還會遠嗎?為此，松季電子提到4G網絡的到來，電子產品行業的再一次革新將就此展開，晶振行業也將迎來新的發展。 4G是第四代移動通信及其技術的簡稱。與傳統
2013-11-15 15:56:24
第四代移動通信技術是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統有哪些關鍵技術？
2021-05-26 07:07:28
器件的MOSFET的復雜性。 功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其 措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。因為只有在漏極N
2023-02-27 11:52:38
,with ESDFTH23N25R250230.120.14TO-3PSingle N-ch 器件廣泛應用于高效開關電源（SMPS）、低電源適配器/充電器、有源功率因數校正以及低功率鎮流器等領域。250V MOS管由于具有開關速度快、導通電阻低、短路
2011-04-15 11:51:00
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
）新推出的企業和數據中心固態硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態硬盤。 這些固態硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
MIMO-OFDM系統為什么能成為第四代移動通信領域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
。二者的有效結合可以克服多徑效應和頻率選擇性衰落帶來的不良影響，實現信號傳輸的高度可靠性，還可以增加系統容量，提高頻譜利用率，是第四代移動通信的熱點技術。
2019-06-18 07:12:10
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
電壓。導通電阻表示功率MOSFET完全開后的電阻，和上述的線性區工作狀態并不相同。功率MOSFET的內部二極管導通的反向工作狀態，因為其S、D極的電壓為二極管的壓降，因此并沒有線性區的過程，也就
2017-04-06 14:57:20
，它代表金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
隨著企業計算從第三代串行標準轉向第四代串行標準，我們的客戶需要一臺高精度示波器，支持并可擴展地進行無縫轉換。DPO70000SX的最低型號為23或33GHz，其可擴充的結構提供了“升級空間“，在
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內容了，這里就不重復敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業規范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設計思想和工作原理，對于國內輕度混聯混合動力汽車的研發具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
的電子通過導電溝道進入被耗盡的垂直的N區中和正電荷，從而恢復被耗盡的N型特性，因此導電溝道形成。由于垂直N區具有較低的電阻率，因而導通電阻較常規MOS管將明顯降低。 通過以上分析可以看到：阻斷電壓與導
2018-11-01 15:01:12
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
成了一層較高濃度摻雜的n層，由于這層n層，使得器件在承受相同耐壓的情況下，芯片能做得更薄，從而減小了飽和壓降和開關能耗。第四代IGBT 芯片技術是基于第三代IGBT芯片的溝槽柵場終止結構進行進一步優化，使
2018-12-03 13:47:57
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業的工人專用空氣凈化施工產品應當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產品介紹： 攪拌機開機后，罐內的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
ADI最新推出設計用于LTE(長期演進)和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動電信系統)標準的增強版，它被視為邁向蜂窩網絡中第四代射頻技術的終極階段。
2019-09-30 07:18:19
本文從基本概念、接入系統、關鍵技術等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統，并簡單介紹了OFDM 技術在第四代移動通信中的應用。
2009-11-28 11:46:59
42 Intel 第四代Xeon?可擴展處理器Intel第4代Xeon? 可擴展處理器設計旨在加速以下增長最快工作負載領域的性能：人工智能 (AI)、數據分析、網絡、存儲器和高性能計算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48
Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 第四代iPhone細節曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數碼產品維修網站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746 第四代iPhone細節曝光
2010-02-22 10:25:18354 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品
2011-03-28 09:20:221537 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業內首個4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 4月27日，英特爾宣布將于6月3日（北京時間6月4日）正式推出第四代酷睿處理器Haswell。
2013-04-28 10:18:011992 Vishay發布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581089 目前，英特爾正式宣布推出第四代Haswell酷睿處理器。全新的Haswell處理器將更好地解決目前業界計算性能與低功耗難題。
2013-06-03 10:14:451292 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:44885 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551514 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設備中的負載切換，包括智能手機、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動計算設備。在
2019-01-01 16:29:01380 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32790 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 適用于標準柵極驅動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 德賽西威與高通技術公司宣布，雙方將基于第4代驍龍座艙平臺，共同打造德賽西威第四代智能座艙系統。
2022-01-05 14:25:233200 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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