日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
`深圳市三佛科技有限公司 供應 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA，原裝，庫存現貨熱銷HN50N06DA參數：60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2021-03-30 14:13:25
`惠海半導體供應50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06LS，原裝，庫存現貨熱銷品牌：惠海型號：HC080N06LSVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252
2020-11-11 17:30:28
`深圳市三佛科技有限公司 供應 50N06 60V/50A 馬達驅動MOS管 TO-252 HN50N06 ，原裝，庫存現貨熱銷HN50N06DA參數：60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2020-07-31 14:38:46
成國內首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產業線。行業分析人士表示，氧化鎵是第四代半導體材料，在市場對性能好、損耗低、功率密度高的功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場發展潛力巨大
2023-03-15 11:09:59
型號:HC080N06LS【06N06】絲印：HC606參數：60V 6A 類型：N溝道場效應管 溝槽型內阻72mR低結電容435pF 封裝：SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載
2021-03-08 16:42:08
`60V 12A N溝道功率場效應（MOS）管 單管 STD12NF06LT4物料鏈接：http://www.hqchip.com/app/1174_n100官網：www.hqchip.com領品牌紅包：hqchip.com/act/coupon`
2019-07-09 15:13:27
60V耐壓-50N06TO-252 60V50AN溝道汽車燈電源MOS管【惠海半導體直銷】品牌：惠海半導體型HC012N06L2VDS：60V IDS：50ARDS(on)Max：14mΩ封裝
2020-12-02 15:59:03
惠海半導體供應50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06L，原裝，庫存現貨熱銷品牌：惠海型號：HC012N06LVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252溝道：N
2020-11-30 14:31:14
60V耐壓mos管50N06_低成本_原廠直銷_種類齊全型號：HC15N10 N溝道場效應管 100V15A(15N10)TO-252封裝，內阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等
2020-12-01 16:18:08
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個晶體管（某種晶體管）來打開和關閉它。P 溝道場效應管P溝道區域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
應用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設備所需的驅動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
第四代CSR8670開發板開發步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛星導航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發的第四代北斗芯片正式發布。
這是一款擁有完全自主知識產權的國產基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
能用還是未知數。那么，4G網絡來襲，晶振的再次變革還會遠嗎?為此，松季電子提到4G網絡的到來，電子產品行業的再一次革新將就此展開，晶振行業也將迎來新的發展。 4G是第四代移動通信及其技術的簡稱。與傳統
2013-11-15 15:56:24
第四代移動通信技術是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統有哪些關鍵技術？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企業和數據中心固態硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態硬盤。 這些固態硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
N8322 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。LN8322 內部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關斷狀態
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
1.說明LT86102SXE是Lontium的第四代2端口HDMI / DVI分配器，可以將一個HDMI / DVI信號轉發到2個HDMI / DVI信號集，最多支持2個不同的HDMI / DVI
2022-03-05 11:59:06
MIMO-OFDM系統為什么能成為第四代移動通信領域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
。二者的有效結合可以克服多徑效應和頻率選擇性衰落帶來的不良影響，實現信號傳輸的高度可靠性，還可以增加系統容量，提高頻譜利用率，是第四代移動通信的熱點技術。
2019-06-18 07:12:10
”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。【***賴,0755-85279055】【60V MOS N/P溝道】HN2310: 60V3A SOT23N溝道 MOS管HN04P06
2020-10-28 16:05:32
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
`深圳市三佛科技有限公司 供應 SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS，原裝，庫存現貨熱銷SLD80N06T 參數：60V80ATO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動IC。圖2：用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
，即可實現 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達 15W 的隔離電源。VPS8703 內部集成兩個 N 溝道功率 MOSFET 和兩個 P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
組合包括50多種解決方案，用于企業、數據通信、移動通信和顯示等應用中的物理層一致性測試、特性分析和調試。同時適用于第三代標準和第四代標準的解決方案，提供自動測試設置和執行、內置報告選項、深入分析等多種
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內容了，這里就不重復敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業規范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設計思想和工作原理，對于國內輕度混聯混合動力汽車的研發具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業的工人專用空氣凈化施工產品應當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產品介紹： 攪拌機開機后，罐內的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
ADI最新推出設計用于LTE(長期演進)和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動電信系統)標準的增強版，它被視為邁向蜂窩網絡中第四代射頻技術的終極階段。
2019-09-30 07:18:19
本文從基本概念、接入系統、關鍵技術等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統，并簡單介紹了OFDM 技術在第四代移動通信中的應用。
2009-11-28 11:46:59
42 摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅動電路。該電路通過循環儲存在柵極電容中的能量來實現減少驅動功率損耗的目的，從而保證了此驅動電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 Intel 第四代Xeon?可擴展處理器Intel第4代Xeon? 可擴展處理器設計旨在加速以下增長最快工作負載領域的性能：人工智能 (AI)、數據分析、網絡、存儲器和高性能計算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 功率MOSFET的隔離式柵極驅動電路
2009-04-02 23:36:182182 
小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441420 第四代iPhone細節曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數碼產品維修網站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746 第四代iPhone細節曝光
2010-02-22 10:25:18354 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551514 ，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 LTC7004，該器件用高達 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:582795 
描述 DRV832x 系列器件是一款適用于三相 應用的集成式柵極驅動器。此類器件具有三個半橋柵極驅動器，每個驅動器都能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV832x 使用集成
2018-09-11 17:18:45367 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32790 DRV832x 系列器件是適用于三相 應用的集成式柵極驅動器。這些器件具有三個半橋柵極驅動器，每個驅動器都能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成電荷泵
2020-03-05 08:00:000 MOSFET及其應用優勢，以幫助設計人員在許多工業應用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結構，與市場上的其
2021-05-27 12:18:587444 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 適用于標準柵極驅動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 wifi技術標準第四代是第四代移動通信技術的意思，第五代就是第五代移動通信技術，那么這兩代之間有什么區別呢？
2022-01-01 16:43:0032492 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011 NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 
（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 南芯科技SC8886S 是南芯科技推出的第四代升降壓控制器芯片，可滿足1-4 節電池大功率充電。SC8886S 與SC8886 相比，增強了Driver 的驅動能力，增大了默認死區時間。因此，除對多管并聯應用時，不對MOS 的輸入柵極電容Ciss、柵極電荷Qgs、柵漏電流Qgd 進行限制。
2022-10-27 15:03:184318 N 溝道 LFPAK 60 V、8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN8R5-60YS
2023-02-23 18:46:320 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005290 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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