據之前爆料，iPhone12將不再標配充電器。

　　消息一出，便在快充行業中引起不小的轟動，如果iPhone12新機取消標配充電器，勢必將產生一個巨大的市場缺口，給整個快充行業上下游產業鏈帶來極大利好。

　　爆料信息顯示，在iPhone12取消標配充電器之后，手機包裝盒的厚度將縮減為現有的一半，變得更加輕薄。

　　包裝盒的內襯也將僅僅保留數據線位置，不再預留充電器的空間。

　　可以預見，在iPhone12取消標配充電器之后，市面上第三方USB PD快充充電器，尤其是入門級別的18W PD充電器，將進入銷售的旺季，而作為18W PD快充的靈魂，內置MOS的快充電源芯片也將隨之迎來出貨的高光時刻。

　　通過拆解市面上熱門的60余款18W PD快充充電器了解到，各大快充廠商往往更傾向于選擇內置MOS的高集成電源方案，以此減少產品PCBA上元器件數量，降低系統成本、縮短產品開發周期、加速產品上市，搶占市場。

　　為了幫助廣大工程師和快充廠商進行方案選型，我們統計匯總了一份適用于18W PD快充的高性價比電源方案列表，并整理了相關的方案的應用案例。

　　據充不完全統計，目前已有PI、東科、芯茂微、芯朋、美思迪賽、茂睿芯、硅動力等24家芯片品牌推出了116款內置MOS的電源芯片，包括內置MOS的初級芯片53款，以及內置MOS的次級芯片63款。下面就為大家分享各款芯片的應用案例。

　　AOS萬國半導體

　　初級芯片：

　　1、AOS萬國半導體AOZ7635

　　AOS萬國半導體AOZ7635集成控制器和初級開關管，內置開關管導阻0.9Ω，耐壓700V，內置逐周期電流限制，內建多重保護功能，采用增強散熱的17-pin 6 x 6 QFN封裝。

　　次級芯片：

　　1、AOS萬國半導體AOZ7635

　　AOS萬國半導體AOZ7648集成同步整流控制器和同步整流管，及反饋控制等多種保護功能。內置9mΩ低導阻 NMOS管用于同步整流，采用增強散熱的38-pin 6×6 QFN封裝。這款次級反饋IC并未采用常見的光耦反饋，而是采用了更加可靠的磁耦合傳輸技術，與Y電容平行的小板就是一個平板變壓器。

　　APD SEMI矽力科技

　　初級芯片：

　　1、APD SEMI矽力科技AP205B

　　矽力科技AP205B是一款內置MOS外圍簡單高效的AC-DC芯片，有恒功率和恒壓兩種模式選擇，2.4ohm，1.8ohm，0.9ohm三種內置mos供選擇，很好的EMC特性，高壓和低壓的OCP一致性非常好，50mW以內的超低待機功耗，輕松通過歐洲六級能效，完美的保護功能。

　　次級芯片：

　　1、APD SEMI矽力科技AP405B

　　矽力科技AP405B是一款內置MOS外圍簡單高效的SR同步整流芯片，支持三種模式工作CCM/DCM/QR，無需輔助繞組，芯片高壓自供電技術，使得AP405B完美支持輸出電壓低到3v，內置mos的驅動電壓始終維持在9v，確保高效率工作， 外圍最簡單，可以正端接法或負端接法，外圍僅需一個0.22uF電容，完美的保護功能，目前已經被飛利浦等很多品牌客戶認可和量產。

　　CHIPHOPE芯茂微電子

　　次級芯片：

　　1、CHIPHOPE芯茂微電子LP20R100S

　　Chip-hop芯茂微的高性能副邊同步整流驅動芯片LP20R100S，這款芯片適用于AC-DC的同步整流應用，適用于正激系統和反激系統，此外支持DCM，BCM，QR，和CCM多種工作模式，耐壓100V，芯片內集成VCC供電。

　　Chipown芯朋微電子

　　初級芯片：

　　1、Chipown芯朋PN8160

　　PWM主控芯片采用的是芯朋微電子的PN8160，內部集成了電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。需要超低待機功耗的高性價比反激式開關電源系統提供了一個先進的實現平臺，非常適合六級能效、CoC Tier 2應用，PCB背面露銅幫助散熱。

　　2、Chipown芯朋PN8161

　　芯朋PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了極為全面和性能優異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動功能。

　　芯朋PN8161通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調制技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現。

　　次級芯片：

　　1、Chipown芯朋PN8307H

　　芯朋PN8307H內置同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管，電壓降極低的功率MOSFET可以提高電流輸出能力，提升轉換效率，使得系統效率可以滿足6級能效的標準，并留有足夠的裕量。

　　芯朋PN8307H內置12mΩ60V耐壓同步整流管，適用3.6V-20V常用適配器輸出，適用于QC3.0適配器及其他固定電壓輸出的適配器。該芯片還集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護、防誤開啟、最小導通時間等功能。

　　CXW誠芯微

　　初級芯片：

　　1、CXW誠芯微CX7509

　　誠芯微CX7509芯片內置 650V 高壓功率 MOSFET，應用于功率在 18W 以內的方案。 在啟動和工作時只需要很小的電流，可以在啟動電路中使用一個很大的電阻，以此來減小待機時的功耗。并且芯片內置包括逐周期限流保護（OCP）、過載保護（OLP）、過壓保護（VDD OVP）、VDD 過壓箝位，欠壓保護（UVLO）、過溫保護（OTP）等在內的多種保護功能，通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的EMI 特性和開關的軟啟動控制。

　　次級芯片：

　　1、CXW誠芯微CX7538

　　誠芯微CX7538是一顆高性能的開關電源次級側同步整流控制電路。在低壓大電流開關電源應用中，輕松滿足6級能效，是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。芯片可支持高達 150kHz 的開關頻率應用，并且支持 CCM/QR/DCM等開關電源工作模式應用，其極低導通壓降產生的損耗遠小于肖特基二極管的導通損耗，極大提高了系統的轉換效率，大幅降低了整流器件的溫度。

　　誠芯微CX7538內置耐壓高達85V的NMOSFET同步整流開關，且具有極低的內阻，典型 RdsON 低至 10mΩ，可提供系統高達 3A 的應用輸出;還內置了高壓直接檢測技術，耐壓高達 200V;以及高達 30V 的供電電壓，使得控制器可直接使用高至 24V 的輸出電壓整流應用中，極大擴展了使用范圍。高集成度的電路設計使得芯片外圍電路極其簡單，在 QC 與 PD 5V/9V/12V 應用中，只需搭配 1 顆電容，即可構建一個完整的同步整流應用系統。

　　DONGKE東科半導體

　　次級芯片：

　　1、DONGKE東科DK5V85R15C

　　東科DK5V85R15C是一款簡單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個引腳，分別對應肖特基二極管PN管腳。芯片內部集成了85V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導通損耗，提高整機效率，取代或替換目前市場上等規的肖特基整流二級管。

　　2、DONGKE東科DK5V100R15M

　　東科高性能兩個引腳同步整流芯片DK5V100R15M。這是一款簡單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個引腳，分別對應肖特基二極管PN管腳。芯片內部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導通損耗，提高整機效率，取代或替換目前市場上等規的肖特基整流二級管。芯片采用SM-10封裝。

　　3、DONGKE東科DK5V100R20C

　　東科DK5V100R20C是一款簡單高效率的同步整流芯片，只有A，K兩個引腳，分別對應肖特基二極管PN管腳。芯片內部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二極管導通損耗，提高整機效率，取代或替換目前市場上等規的肖特基整流二級管。此外該芯片采用SM-7封裝（兼容TO-277封裝）。

　　4、DONGKE東科DK5V100R25C

　　東科DK5V100R25C是一款簡單高效率的同步整流芯片，只有 A、K 兩個引腳，分別對應肖特基二極管PN引腳。芯片內部集成了100V功率 NMOS 管，可以大幅降低二極管導通損耗，提高整機效率，取代或替換目前市場上同等規格的肖特基整流二極管。

　　Depuw德普微電子

　　初級控制器：

　　1、Depuw德普微DP2367

　　Depuw德普微高度集成、離線式電流模式控制功率開關DP2367，內置650V耐壓MOS管。

　　JOULWATT杰華特

　　次級芯片：

　　1、JOULWATT杰華特JW7719A

　　杰華特JW7719A同步整流芯片，內置MOS，耐壓100V，10mΩ導阻。

　　Lii力生美

　　初級芯片：

　　1、Lii力生美LN9T39HV

　　力生美LN9T39HV是一款高供電電壓范圍、高性能、高集成度電流模式PWM控制器功率開關，可以方便地在諸如PD/QC等寬輸出電壓變化范圍的開關電源應用中構建滿足CoC V5及DoE 6級能效的低待機功耗、低成本、高性能的解決方案。

　　次級芯片：

　　1、Lii力生美LN5S18

　　力生美LN5S18是高性能 SR 同步整流功率開關系列產品，產品內置超低 RdsON MOSFET，內置 TrueWareTM 技術，兼容 CCM/DCM/QR 等各種反激電源工作模式，內置 MOSFET 耐壓更高達 80V，可在寬達 5~15V 的應用中實現理想二極管整流效果，是 USB Type-C PD 及 QC 快充等應用的極佳選擇。

　　2、Lii力生美LN5S21A

　　力生美LN5S21A內置同步整流MOS和控制器，內置MOS耐壓105V，導阻10mΩ，可以提高整機轉換效率。

　　3、Lii力生美LN5S21B

　　力生美LN5S21B內置同步整流MOS和控制器，內置MOS耐壓105V，導阻8mΩ，可以提高整機轉換效率。

　　MERAKI-IC茂睿芯

　　次級芯片：

　　1、MERAKI-IC茂睿芯MK9173

　　茂睿芯的MK9173系列是一款高性能的同步整流功率開關，集成N溝道功率MOS，適用于隔離型的同步整流應用。尤其適用于充電器中需求高效率的場合，并兼容CCM、DCM和QR模式。此外MK9173X采用自主知識產權的自供電電路，可靈活的放置在輸出正端或輸出負端。放置在正端時，亦無需格外的輔助繞組。

　　MK9173的10ns關斷延時以及高達4A的下拉電流幫助系統可靠工作于CCM 模式。其自主知識產權的開通及關斷機制，可以最大化外驅MOSFET的導通時間以獲得盡可能高的效率。并且自主檢測DCM振鈴，防止誤開通。

　　2、MERAKI-IC茂睿芯MK1716

　　次級同步整流芯片采用茂睿芯MK1716，這款芯片集成了次級同步整流控制器和16mΩ/100V規格同步整流MOS。茂睿芯MK171X系列是一款高性能的同步整流功率開關，集成N溝道功率MOS，適用于隔離型的同步整流應用。尤其適用于充電器中需求高效率的場合，并兼容CCM、DCM 和QR模式。

　　MK171X采用自主知識產權的自供電電路，可靈活的放置在輸出正端或輸出負端。放置在正端時，亦無需格外的輔助繞組。支持10ns關斷延時以及高達4A的下拉電流幫助系統可靠工作于CCM 模式。支持開通及關斷機制，可以最大化外驅MOSFET的導通時間以獲得盡可能高的效率，并且自主檢測DCM振鈴，防止誤開通。

　　MicrOne微盟電子

　　1、MicrOne微盟電子ME8115

　　微盟ME8115，內置MOS。

　　On‐Bright昂寶次級芯片：

　　1、On‐Bright昂寶OB2004Ax

　　次級同步整流芯片采用昂寶OB2004Ax，其內置NMOS，支持3-12V輸出，集成度高。

　　Power Integrations

　　初次級一體芯片：

　　1、PI SC1263K6

　　PI SC1263K6，蘋果的定制型號。

　　2、PI SC1224K

　　PI SC1224K內置反激式控制器、初級開關管，以及次級測檢測和同步整流控制器。

　　3、PI SC1548C

　　PI SC1548C內置反激式控制器、初級開關管，以及次級測檢測和同步整流控制器，內置帶HIPOT隔離保護的集成反饋鏈路，集成度非常高。

　　4、PI SC1702C

　　PI PWM主控芯片SC1702C，內部集成控制器，開關管和同步整流控制器。

　　5、PI SC1933C

　　PI SC1933C屬于PI InnoGaN 系列，這個是PI推出的首款GaN電源產品，標志著GaN元件在USB PD快充電源上得到全面應用，其高頻率低損耗的優勢，能夠提高充電器的功率密度，減小體積和重量，更加便于攜帶。

　　6、PI SC1936C

　　PI SC1936C是PI最新發布的內置氮化鎵功率器件的PowiGaN主控芯片，寬電壓范圍下，適配器殼體中最大75W連續功率。

　　7、PI INN2215K

　　PI INN2215K是離線CV/CC反激開關集成電路，集成了650V MOSFET，Sync-Rect反饋和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分布圖，大大簡化了低壓大電流電源特別是小尺寸和高效率電源的開發和制造，可用于最大20W的充電器應用。

　　8、PI INN3265C

　　PI的電源主控芯片INN3265C內置了控制器，開關管以及次級同步整流控制器，集成度高，可用于最大22W的充電器應用。

　　9、PI INN3266C

　　充電器主控芯片來自PI的初級主控芯片，型號INN3266C，其內置了控制器，開關管，次級同步整流控制器，集成度高，可用于最大27W的充電器應用。

　　10、PI INN3268C

　　PI INN3268C片內置了PWM主控、高壓MOSFET以及次級同步整流控制器以及反饋電路等，無需光耦，外圍簡潔，可用于最大50W的充電器應用。

　　Reactor-Micro亞成微

　　初級芯片：

　　1、Reactor-Micro亞成微RM6715S

　　初級PWM主控芯片采用亞成微RM6715S，這是一種自供電雙繞組離線式開關電源管理芯片，內置高壓 MOSFET及電流模式 PWM+PFM 控制器， 滿足六級能效標準。同時，RM6715S內置高壓啟動電阻，專利技術為VCC供電，無需外部輔助繞組，節約設計成本。

　　RM6715S芯片內置多種工作模式，在輕載情況下，芯片進入Burst mode模式，消除變壓器的音頻噪音，提高轉換效率;在待機模式下，電路進入打嗝模式，有效降低電路的待機功耗。內部集成斜坡補償模塊，有利于CCM模式下系統閉環反饋回路的穩定性，減小了輸出紋波電壓。此外，芯片內部還集成多種異常狀態保護功能，在電路發生異常時，芯片進入保護狀態并自動重啟檢測， 異常解除，恢復正常輸出。

　　次級芯片：

　　1、Reactor-Micro亞成微RM3403SH

　　亞成微RM3403SH內部集成同步整流MOS管，集成度同樣很高，并支持DCM、CRCM、CCM和準諧振等多種工作模式。

　　Silan士蘭微電子

　　初級芯片：

　　1、Silan士蘭SDH8666Q

　　士蘭SDH8666Q是士蘭微電子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有專利EHSOP5貼片封裝，內置高壓大功率MOSFET，導阻0.55Ω，可廣泛適用于36W適配器或48W開放環境，包括通用適配器、快充、顯示器和平板電視等，此前充電頭網已經對該款芯片進行相關報道。

　　Si-Power硅動力

　　初級芯片：

　　1、Si-Power硅動力SP6638HF

　　Si-Power硅動力的高性能、低功耗開關電源控制芯片SP6638HF，內置初級開關MOS，用于功率在18W以內的方案。SP6638HF是國內首款內置MOS支持恒功率模式的18W快充芯片，采用行業領先的3D封裝技術。配套同步整流芯片SP6518F：內置80V/10mΩ低壓MOS，帶自供電工作模式，完美支持PPS。

　　2、Si-Power硅動力SP6648HF

　　PWM主控芯片采用無錫硅動力SP6648HF，這是一顆電流模式PWM控制芯片，其內置650V高壓功率MOSFET，應用于功率在18W以內的方案。SP6648HF在PWM模式下工作于固定開關頻率，這個頻率是由內部精確設定。在空載或者輕載時，工作頻率由IC內部調整。芯片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。

　　次級芯片：

　　1、Si-Power硅動力SP6518F

　　Si-Power硅動力同步整流芯片SP6518F。這是一顆高性能的開關電源次級側同步整流控制電路。在低壓大電流開關電源應用中，輕松滿足6級能效，是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。

　　芯片可支持高達150kHz的開關頻率應用，并且支持CCM/QR/DCM等開關電源工作模式應用，其極低導通壓降產生的損耗遠小于肖特基二極管的導通損耗，極大提高了系統的轉換效率，大幅降低了整流器件的溫度。

　　總結

　　蘋果目前已有10款支持USB PD快充的手機，其中8款尚未標配18W快充套裝，現有市場對18W快充的需求本就比較旺盛。隨著iPhone12不再附贈充電器，第三方18W快充的銷量將迎來新一輪增長。

　　目前18W USB PD快充方案已經十分成熟，并且還可以兼容多種其他快充協議，完全具備了取代傳統充電器的能力。而在原來越多的中低端機型中，18W PD快充技術也逐漸成為手機的標配，市場潛力巨大。

　　對18W PD快充電源芯片而言，高集成設計已經成為市場的發展趨勢，而具備高集成度AC-DC電源芯片供應能力的芯片廠商優勢也逐漸凸顯。

　　從了解到的數據來看，目前在18W PD快充這個品類，內置MOS方案和分離器件方案各占據了一半的市場份額。

　　因此，最重要的是，這對內置MOS芯片的廠商來說是一個好消息，仍有巨大的市場有待開發，其中也蘊藏了無限商機。