全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor）和英飛凌科技（Infineon Technologies）宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x
2012-02-10 09:07:56
529 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導體。具體產品是有超結（Super Junction）構造的功率MOSFET“CoolMOS系列產品”，由奧地利菲拉赫工廠生產。
2013-02-25 08:53:001733 本文提供了來自英飛凌的兩個文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin這個單個模板中文件中包含了286個模型。
2023-12-06 11:32:46505 
本應用筆記介紹了通過利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:287366 
基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內領先的熱性能指標。該產品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅動、SMPS（包括服務器、電信和
2020-02-18 17:50:081494 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431205 
單元（ECU）市場預計將在未來幾年持續(xù)增長。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）針對這一發(fā)展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導體產品
2023-10-13 13:57:361133 
模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
寄生導通能力 ，可在0 V關斷電壓下運行。此外，這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上，因此無需額外的散熱器。
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品，這個新的產品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
。比如英飛凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。7. 跨導跨導反映了漏極電流Id對于Vgs變異的敏感程度。9. 寄生電容MOSFET的寄生電容由三類，它們分別是門極源極電容，門極漏極電容
2018-07-12 11:34:11
很重要，所以我們將選用半橋拓撲。這種拓撲是電力電子裝置最常用的拓撲之一。這些例子重點介紹了同步壓降轉換器——一個半橋拓撲的具體應用。共源極電感效應圖1為具備雜散電感和電阻(由封裝鍵合線、引線框以及電路板
2019-05-13 14:11:31
系列。3．選擇無引線的封裝MOSFET，降低由封裝所產生的寄生電阻和電感。4．選擇合適的門極驅動電阻從而抑制MOSFET的門極驅動震蕩。圖5中是Infineon的600V高壓MOSFET ThinPAK
2018-12-10 10:04:29
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
時，從結點到PCB的熱阻僅為1.8°C/W。圖1 PQFN底側裸熱焊盤改善電氣和熱性能 在封裝內，兩種可能的技術都可以被用來創(chuàng)建從裸片到封裝端子之間的MOSFET源連接。利用標準后端冷卻方式來連接
2018-09-12 15:14:20
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來理解功率MOSFET的安全工作區(qū)SOA曲線。它定義了最大的漏源極電壓值、漏極電流值，以保證器件在正向偏置時安全的工作，如下圖，SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極
2016-10-31 13:39:12
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封裝不等。MOSFET額定電壓范圍從12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便攜式設備如手機和平板電腦。它們也用于計算機、服務器、電動工具和汽車。選擇合適
2018-10-18 09:13:03
和動態(tài)均流問題；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小；器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常小（目前最小的為2-4
2021-08-29 18:34:54
的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅動的對稱性和動態(tài)均流問題；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小
2021-09-05 07:00:00
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
防止場效應管(MOSFET)接電感負載時，在截止瞬間產生感應電壓與電源電壓之和擊穿場效應管(MOSFET)，一般功率場效應管 (MOSFET)在漏極與源極之間內接一個快速恢復二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
進一步減少所需的組件。 憑借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
- 200V 電壓、1000W 脈沖和 100W 直流總功率的源和測量。2400 系列 SMU 主要性能指標· 6? 位精確分辨率源和測量· 1 M 個樣點/秒數(shù)字化測量速度· 電流：10nA - 7A 直流
2020-02-18 11:35:49
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
`全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
`SD36C 靜電保護裝置 雙向TVS瞬變二極管, SOD-323, 2 Pins, 36 V, 450 W,類型TVS二極管雙向通道1電壓 - 反向關態(tài)（典型值）36V（）電壓 - 擊穿（下限
2020-08-26 09:54:57
Architect工具可對變壓器、功率MOSFET、功率二極管、傳輸電纜等進行定制建模，而且建模信息主要利用器件手冊和器件實驗數(shù)據(jù)；因而定制設計的器件模型較為精確，較為真實反映器件的真實性能。 該課程主要
2017-04-12 20:43:49
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關帶來的優(yōu)勢。 02 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關損耗的影響 （1）雙脈沖測試時的重要注意事項---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
;自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發(fā)展，它的性能不斷提高：如<br/>高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V；低導通電阻MOSFET其阻值僅
2010-08-12 13:58:43
新的功率密度和能效標準。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器，數(shù)據(jù)通信和電信產品電壓調節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
各位大神，可否用IR2113 驅動共源集MOSfet ,且mosfet關斷時，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
的封裝內采用更高性能的MOSFET，業(yè)內的一個趨勢是從SO-8等標準引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉變。對于大電流應用，常用的是功率6mmx 5mm封裝，例如PowerPAK? SO-8。但對
2013-12-23 11:55:35
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結MOSFET: 3/5 A、600V 內置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術
2018-11-20 10:52:44
測試板。 實驗結果： 電流源驅動器和傳統(tǒng)電壓源驅動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
大部分功率 MOSFET 都是增強型的。（可能因為實際的制作工藝無法達到理論要求吧，看來理論總是跟實際有差距的，哈哈）MOSFET 是電壓控制型器件，三極管是電流控制型器件，這里說的優(yōu)缺點當然是要跟
2019-11-17 08:00:00
有2個芯片（Nch+Nch 和Nch+Pch）的產品，充實供用戶選擇的產品系列。*VGS=10V MPT6 雙元件系列的主要優(yōu)點1） 小型、大功率「MPT6」型封裝（4540規(guī)格：4.5×4.0
2018-08-24 16:56:26
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品
2018-11-29 17:13:53
及2006年推出了OptiMOS、OptiMOS2、OptiMOS3，；在1998年推出第一顆以SuperJunction技術為核心的CoolMOS S5系列，一舉將600V功率晶體的最低導通電阻降至190m
2018-12-05 09:46:52
的性能很重要，所以我們將選用半橋拓撲。這種拓撲是電力電子裝置最常用的拓撲之一。這些例子重點介紹了同步壓降轉換器——一個半橋拓撲的具體應用。共源極電感效應圖 1為具備雜散電感和電阻(由封裝鍵合線、引線框以及
2011-08-18 14:08:45
1、結構 第一個功率MOSFET - 與小信號MOSFET不同 -出現(xiàn)在1978年左右上市，主要供應商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設備。MOSFET的特點是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
的產生機理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個極間均存在結電容，柵極輸入端相當于一個容性網絡，驅動電路存在著分布電感和驅動電阻，此時的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開通過程為例，當下管V2已經完全
2018-08-27 16:00:08
- 柵極-源極電壓: 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V Qg-柵極電荷: 340 nC -小工作溫度: - 55 C -大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.2
2020-03-19 16:31:27
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續(xù)漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續(xù)漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續(xù)漏極電流ID連續(xù)漏極電流在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中標示為電流ID，對于
2016-08-15 14:31:59
，就可以將效率提高0.4%。這種消耗的降低，來源于更低的封裝電阻和低至約1nH的極低封裝電感。對應于40V、60V和80V的電壓等級，OptiMOS 3的漏極-源極通態(tài)電阻RDS(on)分別為1.8m
2018-12-07 10:23:12
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應用環(huán)境而導致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩(wěn)壓器電路中實現(xiàn)浪涌保護，如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
Figure 4 是具有驅動器源極引腳的 MOSFET 的驅動電路示例。它與以往驅動電路（Figure 2）之間的區(qū)別只在于驅動電路的返回線是連接到驅動器源極引腳這點。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
開關損耗。測試中使用的是最大額定值（RDS（on））為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產品（型號：SCT3040KL）沒有驅動器源極引腳，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優(yōu)勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44594 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57827 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:47731 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅動應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071235 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22557 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:025986 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:042537 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41648 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 飛兆半導體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統(tǒng)解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381390 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313 20世紀80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導體復合器件，表明傳統(tǒng)電源技術已經進入現(xiàn)代電源技術的新興時代。詳細介紹了英飛凌公司
2018-06-26 16:48:007652 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 擴展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅動IC采用
2018-11-13 16:26:191657 英飛凌革命性OptiMOS產品的P溝道功率MOSFET之一，在導通電阻的開關系統(tǒng)設計中，能經受極高的質量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據(jù)不同應用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513180 
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381073 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業(yè)標準。
2022-03-14 17:39:161650 
OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 
未來電力電子系統(tǒng)的設計將持續(xù)推進，以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應這一發(fā)展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678 
產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
的 OptiMOS MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。它配有一個M1連接器，用于連接iMOTION模塊化應用設計套件(MADK)控制板EVAL-M1-101T。
2023-11-17 17:08:41534 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 
英飛凌推出業(yè)內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統(tǒng)和應用優(yōu)化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
電子發(fā)燒友網站提供《封裝外形圖34引線功率四平面無引線（PQFN）塑料封裝介紹.pdf》資料免費下載
2024-01-31 10:04:17
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工商網監(jiān)
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