美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”,導通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:012494 在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優勢。基于這些優勢,當SiC-MOSFET用于AC/DC轉換器和DC
2019-04-24 12:46:442091 基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸。
2020-03-19 07:40:00831 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031360 PI看到了電動車的這個發展趨勢,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產品,該產品采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC,將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:224952 。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率?! ‘a品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
CRD15DD17P,480至530 VAC,15 W反激式輔助電源板基于1700 V,1000mΩ的SiC MOSFET,具有高阻斷電壓能力。由于Si MOSFET具有低阻斷電壓能力,因此在這些應用中使用它們非常具有挑戰性。該參考設計板的主要目標應用是太陽能,儲能和牽引工業
2020-05-27 08:22:16
CRD-060DD12P,用于單端反激式轉換器設計的演示板,采用市售的1700V碳化硅(SiC)MOSFET,取代傳統的雙開關反激式轉換器,用于三相應用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產品而設計的,僅用作評估Cree開關設備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低,通道電阻高,因此具有驅動電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化(下降)逐漸減少,接近
2018-11-30 11:34:24
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言設計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優化評価
2018-11-27 16:40:24
,而且在高溫條件下的工作也表現良好,可以說是具有極大優勢的開關元件。這張圖是各晶體管標準化的導通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出,理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高,可制作低導通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
面積?。?b class="flag-6" style="color: red">可實現小型封裝),而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中?! ?. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品,但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
問題。(※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題)ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝,成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中,實施了
2018-11-30 11:30:41
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39
`請問:圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個東西?抗干擾或散熱嗎?這是個SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管(JFET)的形式出現。SemiSouth實驗室遵循JFET方法,因為當時雙極結晶體管(BJT)和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
產品系列包括以下SiC MOSFET:1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ,均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產,加上類似器件將采用TO247-4
2019-07-30 15:15:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經實現量產,1700V產品正在開發中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品,但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
耐壓。Si-SBD在實際應用中耐壓極限大概為200V左右,而ROHM已經量產的SiC-SBD產品最高達1700V,并且還正在開發更高耐壓的產品。Si-PND屬于少數載流子,可同時實現遠超Si-SBD
2018-12-03 15:12:02
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ,高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
一樣受到電壓控制。IGBT受熱漂移的影響,可以通過額外的電路來減少熱漂移。如今,SiC和GaN MOSFET是新的電子開關,具有卓越的性能。IGBT 可處理 5,000 V 的電壓和 1,000 A
2023-02-02 09:23:22
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。降低器件損耗,提升系統 EMI 表現。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
CRD15DD17P,300至1200 VDC,15 W反激式輔助電源板基于1700 V,1000mΩ的SiC MOSFET,具有高阻斷電壓能力。由于Si MOSFET具有低阻斷電壓能力,因此在這些應用中使用它們非常具有挑戰性。該參考設計板的主要目標應用是太陽能,儲能和牽引工業
2020-05-27 06:29:16
半導體材料可實現比硅基表親更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,這些功能使得在各種電源應用中減少重量,體積和生命周期成本成為可能。 Si,SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
Gross表示:“我們的極低雜散電感標準SP6LI封裝非常適合為用于高開關頻率、高電流和高效率應用的SiC MOSFET器件改善性能,通過提供更小尺寸的電源系統解決方案,幫助客戶大幅降低設備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
4年、專門為PCB行業量身定做了一款可制造性設計分析軟件--“華秋DFM”。這是一款純國產、全免費的DFM分析軟件,能夠一鍵分析PCB設計隱患,并結合設計端問題、生產端問題、工廠制程能力、價格影響因素
2020-07-03 10:01:06
,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵,SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
Power Solutions攜手,通過面向工業以及數據基礎設施領域盡可能地深挖SiC技術潛力,從而進一步提升電源系統的能效?!保缄P于Murata Power Solutions>Murata Power
2023-03-02 14:24:46
低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應用中不會構成問題,但當用電設備的電力需求從低功率到高功率范圍較寬時,低功率范圍的效率并不高。相比之下
2018-12-03 14:29:26
新的功率密度和能效標準。 極低的門極電荷,輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器,數據通信和電信產品電壓調節器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
使用,BM6101是一款電流隔離芯片,通過它進行兩級驅動Mosfet管。而驅動的電壓就是通過開關電源調整得到的電壓,驅動電路還如下圖黃框出提供了死區調整的電阻網絡。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
項目名稱:基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃:申請理由本人在電力電子領域(數字電源)有五年多的開發經驗,熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域,如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能,一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍,具有更高的電流密度,能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
1700V耐壓的產品。Si-PND通過在n-層積蓄少數載流子空穴而使電阻值下降,因此可同時實現遠遠超過Si-SBD的高耐壓與低電阻,但關斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產品,但其trr
2018-11-29 14:33:47
MOSFET相比,SiC MOSFET的功率轉換效率可提升高達5%采用準諧振方式,可實現更低EMI通過減少元器件數量,可實現顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩定供應,很適合工業設備應用產品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
測試數據 [size=12.6316px] 三、小結SM7205內部集成了730V高壓MOSFET,采用了專利的低待機能效控制技術,輕松滿足六級能效的標準, 可廣泛應用于六級能效標準的適配器和充電器等領域。`
2016-07-28 15:07:01
擊穿電壓仿真工具中實現,因此假定電荷為零。采用深P-區域可減少軸向壽命殺傷器(如氦氣或質子)的泄漏電流,并使器件在硬開關條件下具有魯棒性。圖 1:1700V 器件的平面結 VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數,進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示,在研發功率
2019-07-04 06:22:42
1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件,還促進充分發揮
2018-12-04 10:11:25
650V SiC MOSFET 的功率損耗低,可以在雙向高功率轉換應用(例如 EV 的 OBC)中實現高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆:開發中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合,效率顯著提高< 相關產品信息 >SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
。STGAP2S柵極驅動器全系標配4A軌到軌輸出,即使驅動大功率逆變器,也能保證開關操作快速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內,在高開關頻率下確保PWM控制精確,滿足SiC器件的驅動要求。出色的抗dV
2018-08-06 14:37:25
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
求一款低邊MOSFET驅動,輸入電壓12V,電流1A以上,且一顆芯片驅動兩個MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT,開關頻率高達 500kHz緊湊高效的內置隔離式偏置電源(具有 15V 和 –4V 輸出)分立式兩級關斷功能可實現短路保護,具有可調的電流限制和延遲(消隱)時間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列,SCH系列內置SiC肖特基勢壘二極管,包括體二極管的反向恢復特性在內,特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
的門檻變得越來越低,價格也在逐步下降,應用領域也在慢慢扭轉被海外品牌一統天下的局面。據統計,目前國內多家龍頭企業已開始嘗試與內資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內品牌尚不具備競爭優勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
MOSFET 的單通道驅動核,可以驅動目前市面上大部分 1700V 以內的單管碳化硅 MOSFET, 該驅動核設計緊湊,通用性強?! ?、電源模塊 Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發的單通道
2023-02-27 16:03:36
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模塊為xEV應用提供性能。因此,設計工程師可以期望: 具有高功率密度,可減小系統尺寸; 提供更高的電源效率; 提高電池利用效率
2023-02-20 16:26:24
阻并提高可靠性。東芝實驗證實,與現有SiC MOSFET相比,這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1],可將導通電阻[2](RonA)降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能,降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
IGBT一樣易于驅動。事實上,其TO-247封裝可以替代許多這類器件,實現即時的性能提升。對于新的設計,還有一種低電感、熱增強型DFN8x8封裝,充分利用了SiC-FET的高頻性能。 SiC
2023-02-27 14:28:47
。Si-SBD的耐壓極限為200V,而SiC具有硅10倍的擊穿場強,故ROHM已經開始量產1200V的產品,同時在推進1700V耐壓的產品。Si-PND通過在n-層積蓄少數載流子空穴而使電阻值下降,因此可同時實現
2019-07-10 04:20:13
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400~690V輸入 24V/1A輸出,搭載了ROHM適用于大功率工業設備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器,開發出耐壓高達1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
高能效節能產品。 目前我國的能效標識將能效分為1、2、3、4、5共五個等級:等級1表示產品達到國際先進水平,最節電,即耗能最低;等級2表示比較節電;等級3表示產品的能源效率為我國市場的平均水平;等級4
2015-08-03 21:17:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET:SCT2H12NZ(右)的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出,上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變為VGS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5%的原型,其中CCM圖騰柱PFC轉換器為67 kHz,CLLC諧振轉換器為150-300 kHz。通過將功率半導體和功率磁器件集成在同一工具散熱器上,由于650V SiC MOSFET的低功率損耗,因此在雙向高功率轉換應用(例如EV的OBC)中可以實現高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
可提供從650V到1700V不等的諸多產品,目前這類產品都是基于第三代碳化硅技術,并且都與未來能效相關的,能夠節省高達50%的損耗,提高開關頻率,降低使用成本。 圖4:ST氮化鎵產品戰略 另一方面,ST
2022-07-01 10:28:37
研發的SiC MOSFET為例,即使在攝氏200度以上時,SiC MOSFET也能保持高效能之特性。WInSiC4AP專案的SiC MOSFET開發主要在2018年進行。圖3、圖4、圖5分別提供元件
2019-06-27 04:20:26
,汽車等。自從一開始,Fraunhofer ISE就推廣了SiC技術并展示了其優勢,這些設備在系統級為電力電子產品提供通過構建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC,低
2019-10-25 10:01:08
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
銀聯寶六級能效標準的電源芯片U6116是一款多模式控制的芯片,可用于大電流充電器、LED驅動電源、較大功率控制電源系統、電源適配器等。銀聯寶六級能效標準的電源芯片U6116內置快速動態響應控制,無異
2020-03-19 14:02:41
電壓范圍內提供較低功率水平的DC / DC穩壓器,或低功率能效可忽略不計的情況。不幸的是,對于系統開發人員來說,此類妥協也變得越來越難以容忍。少數功率穩壓器如今能提供良好的集成水平,但它們在性能和能效
2020-10-28 09:10:17
STAR?) 計算機5.0版規范也是旨在提高設備對電能的利用率。能效規范標準的日益普及要求、所有操作模式的電源轉換具備更高的能效,其中包括降低待機(空載)能耗、提升電源工作效率、采用功率因數校正(PFC
2011-12-13 10:46:35
驅動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅動專用集成電路進行詳細的分析,對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進行深入的討論,給出了電氣特性參數和內部
2009-06-19 20:29:5239 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續在碳化硅 (SiC) 領域
2023-07-28 14:21:34
近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的產品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器,開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 金升陽緊跟功率半導體市場動向,推出QAxx3D-2GR3(下文稱:QA-R3系列驅動電源),可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581412 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設計輔助電源而開發的。該參考板旨在支持客戶為三相系統設計輔助電源,工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:032396 在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于
2021-09-16 11:05:374228 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 (SiC)初級開關 MOSFET。這些新設備可產生高達 70 瓦的輸出功率,用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車,以及電動巴士、卡車和一系列工業電源應用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:271216 相比于硅基高壓器件,碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件,為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 BM2SC12xFP2-LBZ是業內先進*的AC/DC轉換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅動而優化的控制電路內置于小型表貼封裝(TO263-7L)中。主要
2022-08-14 10:00:241278 Infineon,最新1700V的SiC MOSFET產品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:068 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 重點必看內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19388 “BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調及街燈等工業設備開發的內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC。
2023-02-09 10:19:23655 ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器,開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:55855 ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05495 對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18756
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