中國上海，2022年6月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產品。該系列的新產品
2022-06-07 13:49:20
2650 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451311 本文會著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機驅動芯片的電流輸出級特性，以及如何增強驅動峰值電流。
2023-07-04 10:21:231844 
出貨。 新產品是 東芝碳化硅MOSFET產品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產品 ，其封裝支持柵極驅動信號
2023-09-04 15:13:401134 
MIC4414YFT EV，MIC4414評估板是一款低側MOSFET驅動器，設計用于在低側開關應用中切換N溝道增強型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅動器。該驅動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的加強版隔離式正負電壓軌。此參考設計采用反激式隔離型控制拓撲，提供符合 IEC61800-5 標準
2018-09-25 10:21:35
是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N
2012-07-25 09:49:08
隔離措施，以提高系統抗干擾措施，可采用帶光電隔離的MOSFET驅動芯片TLP250。光耦TLP250是一種可直接驅動小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本東芝公司生產，其最大驅動能力達1.5A
2012-06-14 20:30:08
電源的功耗，門極正反向偏置電壓之差為△Vge，工作頻率為f，柵極電容為Cge，則電源的最少峰值電流為: 驅動電源的平均功率為: 2 IGBT的過流保護 IGBT的過流保護就是當上、下橋臂直通
2012-07-18 14:54:31
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關斷損耗方面很有優勢。不過
2018-08-27 20:50:45
性能。正確的柵極驅動順序可使IGBT柵極信號在第二個集電極電流過零點以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅動速度、柵極驅動關斷源
2021-06-16 09:21:55
IGBT組合封裝在一起。 除了選擇正確的二極管外，設計人員還能夠通過調節柵極驅動導通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
中國上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機柵極驅動IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉向助力系統（EPS
2023-02-28 14:11:51
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
`描述PMP10531.1 參考設計是一個 8 輸出隔離式 Fly-Buck 電源，用于電機驅動或高電壓逆變器應用中的 IGBT 柵極驅動器。接受 24V 額定輸入，提供 4 組隔離式（+15V
2015-04-28 15:53:29
MOSFET中的開關損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環境溫度 150 °C 和最佳柵極-發射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
的電壓軌。特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅動器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06
描述 PMP9455 參考設計為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅動器解決方案。該設計具有獨特的高峰值電流驅動能力，同時集成了具有外部可編程增益和濾波
2018-11-30 15:52:43
：帶有 3A 峰值電流驅動功能的全橋 MOSFET 驅動器集成的超快 100V 自舉二極管支持額定值最高 5KVA 的逆變器兩個高側電流感應放大器帶有外部可編程增益和緩沖輸出，可用于測量電池充電和放電
2022-09-22 06:37:42
描述PMP10531 參考設計是一個 8 輸出隔離式 Fly-Buck 電源，用于電機驅動或高電壓逆變器應用中的 IGBT 柵極驅動器。接受 24V 額定輸入，提供 4 組隔離式（+15V、-8V
2018-09-12 08:50:56
與MOSFET有9大異同點，我們一起來看看。 01 IGBT與MOSFET的分類與異同點 IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體
2022-06-28 10:26:31
FOD3150是一個1.0A的輸出電流柵極驅動光電耦合器，可驅動大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常適用于快速開關驅動在電機控制逆變器應用以及高性能電源系統中使用的功率IGBT
2022-03-05 09:58:18
獨立高側和低側參考輸出通道。該輸出驅動器有一個高脈沖電流緩沖級，適用于最小的驅動器跨導，同時浮動通道可以用來驅動工作在高達600V高側配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
MOS柵極驅動能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/300mA的驅動電流。它有三個互相獨立的高邊和低邊輸出通路以及全保護功能。此外還有一個用于PFC 或 Brake IGBT驅動的低邊驅動
2021-05-18 07:25:34
二極管要緩慢。因此，對于硬開關MOSFET應用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應用匹配，具有較低正向傳導損耗的較慢型超快二極管與較慢的低
2018-09-28 14:14:34
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結型晶體管。該附加的p+區域產生PNP雙極結型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯連接。 IGBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導體新型6kV電流隔離技術，以及SO-36W寬體封裝。瞬態抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
詳細說明:TLP352是可直接驅動中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封裝的IC耦合器。該產品的延遲時間為200 ns，光電耦合器之間的傳輸延遲時間差(PDD*) 為90 ns(上述
2019-09-20 09:03:36
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅動離散功率級，以驅動IGBT柵極。推薦產品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關產品請 點擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
? -40oC 到 125oC 的工作溫度范圍 SL27517 是單通道 4A 的高速低側柵極驅動器，可以高效安全地驅動 MOSFET、IGBT 以及新興的寬帶隙功率器件。低傳播延遲以及緊湊
2022-07-26 10:21:31
Eoff。ZCS拓撲可以提升最大的IGBT Eoff性能。正確的柵極驅動順序可使IGBT柵極信號在第二個集電極電流過零點以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的 Eoff
2017-04-15 15:48:51
如圖2所示。IGBT通過兩個脈沖進行開關轉換來測量Eon。第一個脈沖將增大電感電流以達致所需的測試電流，然后第二個脈沖會測量測試電流在二極管上恢復的Eon損耗。在硬開關導通的情況下，柵極驅動電壓和阻抗
2019-03-06 06:30:00
的電壓軌。 特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅動器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
FEBFOD8332是FOD8332智能柵極驅動器光電耦合器的評估板，是一款先進的2.5A輸出電流IGBT驅動光電耦合器，可提供必要的關鍵保護，以防止導致IGBT發生破壞性熱失控的故障
2019-04-30 09:06:13
FEBFOD8333是FOD8333智能柵極驅動器光電耦合器的評估板，是一款先進的2.5A輸出電流IGBT驅動光電耦合器，可提供必要的關鍵保護，以防止導致IGBT發生破壞性熱失控的故障
2019-04-28 10:36:39
光耦端的控制電流與功率管輸出驅動電流之比是用什么指標表示，其最大值是多少？(潮光光耦網整理編輯)2012-07-10 潮光光耦網解答：全部柵極驅動光耦合器都沒有CTR的放大特性。雖然所有柵極驅動光
2012-07-11 11:40:09
`描述TIDA-00174 參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅動器偏置。它產生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓
2015-03-23 12:07:05
`描述TIDA-00174 參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅動器偏置。它產生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓
2015-04-27 16:13:02
功率：每個 IGBT 為 2W，并可擴展為支持更高功率 IGBT輸出電容器的額定值支持高達 6A 的峰值柵極驅動電流可以選擇關閉電源以促進安全扭矩切斷 (STO) 功能設計符合 IEC61800-5 標準`
2015-04-27 18:16:34
器提供正負偏置電壓。主要特色雙路隔離式輸出，+15V/-9V @ 200mA，4.8W 功率，單 IGBT 柵極驅動器的理想偏置電源小型電源模塊設計，標準 DIP 封裝+/-5% 交叉調節，87% 峰值
2018-12-21 15:06:17
描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉換設備而言，并聯 IGBT 變得很有必要，因為在這類應用中，單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此 TI 設計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅動器偏置。它產生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
這是我設計的一個單片機驅動光耦控制電機轉停的電路，大家看下電路設計對嗎？單片機在光耦驅動位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
使用驅動器 BM60059FV-C 驅動 1200V IGBT 時的設置。在每種情況下，都可以清楚地觀察到恒定的柵極輸出電流。 比較電流源驅動器和電壓源驅動器時感興趣的區域是周期T2-T3，其中dv
2023-02-21 16:36:47
SOIC 封裝。IX6611特點IX6611具有以下特點：信號輸入/輸出與脈沖變壓器兼容，可與電氣隔離MCU通信10 A 峰值拉電流和灌電流柵極驅動，具有獨立的拉電流和灌電流輸出負柵極驅動能力，用于驅動
2023-02-27 09:52:17
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為 MOSFET,輸出極為 PNP 晶體管,因此,可以把其看作是 MOS 輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優點
2021-03-19 15:22:33
描述 TIDA-00448 參考設計是帶有雙極性閘極電壓的隔離式 IGBT 閘極驅動程序，旨在用于驅動所需高峰值閘極電流高達 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 電源塊就在此范圍內
2018-09-04 09:20:51
(x2) 和 -8V (x2)使用預調制的 24V 輸入進行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關閉電源以促進安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達 6A 的峰值柵極驅動電流旨在滿足 IEC61800-1-5
2018-09-20 08:49:06
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動能力，適用于驅動 SiC
2018-10-16 17:15:55
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應管MOSFET的優點于一身，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高(10-40 kHz)的特點
2016-11-28 23:45:03
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應管MOSFET的優點于一身，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高(10-40 kHz)的特點
2016-10-15 22:47:06
柵極驅動器，能夠驅動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設備接口。該驅動器輸出具有最小驅動器跨導的高脈沖電流緩沖設計。
2021-09-14 07:29:33
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT柵極驅動光電耦合器。FOD8316基本特性在傳統的IGBT驅動器上增加了保護電路。可編程故障傳感去飽和檢測IGBT軟斷開欠壓鎖定輸出電壓軌到軌擺動:低功耗
2013-06-07 16:34:06
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的效率。要做到這一點，電機控制電路必須很快地開關流向電機線圈的電流，在開關上面需要達到最小的切換時間或導電期間的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導體器件都可以用于電機驅動
2016-01-27 17:22:21
3kVRMS 基礎型隔離式柵極驅動器，可以驅動高側和低側(...)主要特色適合單相和三相逆變器、中高電壓電源轉換器（100VAC 至 230VAC）0.5A/2A/6A/10A 拉電流和灌電流適合驅動
2018-09-30 09:23:41
描述TIDA-00174參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅動器偏置。它產生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓用于
2022-09-26 07:54:11
(x2) 和 -8V (x2)使用預調制的 24V 輸入進行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關閉電源以促進安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達 6A 的峰值柵極驅動電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34
(x2) 和 -8V (x2)使用預調制的 24V 輸入進行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關閉電源以促進安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達 6A 的峰值柵極驅動電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產和封裝技術的革命性發展，拓寬了這種主力電源開關技術的應用范圍。IGBT的基本概念是雙極性（高電流密度）的開關器件，以及如MOSFET器件上的高阻抗柵極。盡管人們早在
2018-12-03 13:47:00
IGBT 的柵極驅動是IGBT 應用中的關鍵問題。本文闡明構成IGBT 柵極驅動電路的注意事項，基本電路參數的選擇原則，還介紹丁幾種驅動電路實例。
2010-08-31 16:33:41
213 單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Toshiba推出低功率柵極驅動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設計用來驅動需要輸出電流高達±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅動器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅動光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器，用于直接驅動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061449 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導體&存儲產品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）柵極驅動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 東芝推出采用DIP4封裝的大電流光繼電器，具有低導通電阻和大額定導通電流，更易使用。
2018-09-29 15:35:354448 不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設計人員首先根據數據表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅動電路設計。基于柵極對源電容的RC值通常會導致柵極驅動嚴重不足。雖然柵極對源電容是一個重要
2020-03-09 08:00:0024 新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:001180 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、導通和關斷、功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路
2021-06-14 03:51:003144 
MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 器件于今日開始支持批量出貨。 TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現在可直接通過該光耦驅動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少
2021-12-10 18:19:354266 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已經推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅動集成電路(IC)的首款產品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:511289 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅動器IC 的產品陣容增加面向可穿戴設備等移動設備的五款新品。該系列的新產品配備了過壓鎖定功能，并根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301635 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴大其智能柵極驅動光耦產品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該產品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 柵極驅動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器 ,來控制功率MOSFET或IGBT的柵極 。它為 MOSFET或 IGBT的柵極輸入供應所需的峰值充電電 流 ,來打開器件。該目標通過
2022-10-24 09:00:07920 
設備驅動程序 緊湊型單通道隔離柵極驅動器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。
2022-11-02 16:47:09974 本文介紹了三個驅動MOSFET工作時的功率計算 以及通過實例進行計算 輔助MOSFET電路的驅動設計中電流的計算 不是mosfet導通電流 是mosfet柵極驅動電流計算和驅動功耗計算
2022-11-11 17:33:0335 CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅動器，可用于驅動MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級達到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。
2022-12-05 10:00:45697 新品速遞 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:02906 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:39991 瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 柵極驅動參考 1.PWM直接驅動2.雙極Totem-Pole驅動器3.MOSFET Totem-Pole驅動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅動 在電源應用中，驅動主開關
2023-02-23 15:59:0017 SLM27517 單通道，高速，低側柵極驅動器器件可以有效地驅動MOSFET和IGBT功率開關。使用設計其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉換為電容性負載軌對軌驅動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 寬供電電壓、雙通道、高速、低測柵極驅動器，包括功率MOSFET，IGBT。單個通道能夠提供高達4A拉電流和4A灌電流的軌到軌驅
2023-07-18 09:01:27330 
驅動光耦產品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該器件主要用來實現逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
igbt的柵極驅動條件 igbt的柵極驅動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關器件，常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
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