本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數并分析了這些電氣參數對電路設計的影響,并且根據SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環境特點,推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
2016-12-15 16:00:3417030 本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果,來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應的確認工作也基于上次內容,因此請結合
2020-12-21 14:25:457583 本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析,幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關斷的過程,然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線,來理解其開通關斷的過程,以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。
2023-12-04 16:00:48549 進行性能比較,確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討,如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗,并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗
2018-08-27 20:50:45
MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓嗎?
2023-05-16 14:26:16
請問以上電路三極管與MOSFET各用什么型號比較好?
2015-04-17 17:55:57
關于MOSFET的寄生容量和溫度特性關于MOSFET的開關及其溫度特性關于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
電壓尖脈沖。這些電壓尖脈沖會引起電磁干擾(EMI),并可能在二極管上導致過高的反向電壓。在硬開關電路中,如全橋和半橋拓撲中,與IGBT組合封裝的是快恢復管或MOSFET體二極管,當對應的開關管導
2021-06-16 09:21:55
MOSFET及MOSFET驅動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些應用?
2021-07-09 07:45:34
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET 晶體管是可以電壓驅動電流。常用的是N溝道MOSFET,P溝道的制作成本高。簡單功率MOSFET電機控制器。這是一個典型的 MOSFET開關電路。由于電動機負載是電感性的,因此在電感
2021-09-13 08:27:30
溫度依賴性。下面是實測例。下一篇計劃介紹ID-VGS特性。關鍵要點:?MOSFET的開關特性參數提供導通延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間。?開關特性受測量條件和測量電路的影響較大,因此一般確認提供條件。?開關特性幾乎不受溫度變化的影響。< 相關產品信息 >MOSFET
2018-11-28 14:29:57
如題。請問一下,MOSFET的手冊里面哪個參數能看的出來,當其作為開關管,完全打開的時候,Vgs的電壓?同事跟我講,默認12V大多數都可以完全打開(NMOS)。低于12V就有點懸,MOS打開不完全
2020-11-11 21:37:41
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中,讀取這個MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
MOSFET門 源極并聯電容后,開關可靠性得到提升開關電路如下圖電路解釋開關電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關,當MOS_ON 網絡拉低到地時,開關Q1導通;2.電路中D3作用為鉗位Q1門源
2021-12-30 07:40:23
內部二極管的反向恢復時間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列與標準型AN系列相比,trr速度提高至約1/5。同時,反向恢復電流Irr也降低至約1/3。這些特性的提升
2018-11-28 14:27:08
電路設計如圖;問題:MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V,漏極電壓+12V,但是源極電壓測量為+1V;分析:有可能是MOSFET壞了,除了這個可能性,不清楚是不是設計上有問題,希望大家幫忙,目前源極沒有接負載,這對電路有沒有影響呢?
2019-09-11 14:32:13
開關MOSFET中的噪聲(STGF20NB60S)以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。在
2017-01-09 18:00:06
開關電源MOSFET驅動電路介紹及分析(4)
2019-03-12 11:37:18
溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動IC。圖2:用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
開關電路怎么實現高低電平?半導體二極管開關特性是什么?二極管構成門電路的缺點是什么?
2021-09-29 07:19:27
電路應運而生。LLC諧振變換器能夠在較寬的電源和負載波動范圍內調節輸出,而開關頻率波動卻較小。在整個工作范圍內,能夠獲得零電壓開關(ZVS)半橋LLC諧振變換器LLC電路MOSFET應用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1:具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
。另外,這里提供的數據是在ROHM試驗環境下的結果。驅動電路等條件不同,結果也可能不同。關鍵要點:?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面,導通電阻特性的變化呈直線型,因此在低電流范圍優于IGBT。?SiC-MOSFET的開關損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
電阻低,通道電阻高,因此具有驅動電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化(下降)逐漸減少,接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復特性MOSFET體二極管的另一個重要特性是反向恢復時間(trr)。trr是二極管開關特性相關的重要參數這一點在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
二極管的特征Si晶體管所謂晶體管-分類與特征所謂MOSFET-寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET-開關特性及其溫度特性所謂MOSFET-閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET-超級結
2018-11-27 16:38:39
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子
2021-01-30 13:20:31
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路,整個評估板提供了一個半橋電路,可以支持Buck,Boost和半橋開關電路的拓撲。SiC Mosfet的驅動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成,上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
MOSFET 因導通內阻低、 開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET 的驅動常根據電源 IC 和 MOSFET 的參數選擇合適的電路。 下面一起探討 MOSFET 用于開關電源的驅動
2022-01-03 06:34:38
什么是MOSFET驅動器?MOSFET驅動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
負載開關電路。圖3:典型負載開關電路尺寸優勢使用負載開關作為解決方案的一個優點在于組件數量和尺寸的縮減。負載開關的設計將組件整合成包,甚至比MOSFET自身還小。圖4對PMOS方案和等效的負載開關
2018-09-03 15:17:57
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關過程,也討論過開關電源的PWM及控制芯片內部的圖騰驅動器的特性和柵極電荷的特性,基于上面的這些理論知識,就可以估算功率MOSFET在開關
2017-02-24 15:05:54
二極管,多數情況下,因其特性很差,要避免使用。三、功率MOSFET的反向導通等效電路(2)1)等效電路(門極加控制):2)說明:功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通,也可用一電阻等效,該電阻與溫度
2021-08-29 18:34:54
二極管,多數情況下,因其特性很差,要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路(2)(1):等效電路(門極加控制)(2):說明功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通,也可用一電阻等效,該電阻與溫度
2021-09-05 07:00:00
,功率MOSFET很少接到純的阻性負載,大多數負載都為感性負載,如電源和電機控制;還有一部分的負載為容性負載,如負載開關。既然功率MOSFET所接的負載大多數為感性負載,那么上面基于阻性負載的開關特性
2016-12-16 16:53:16
開關電路的設計和類型非常龐大,但是許多小型電子項目使用晶體管和MOSFET作為其主要開關設備,因為晶體管可以從各種輸入源提供繼電器線圈的快速DC開關(ON-OFF)控制,因此這是一些更常用的繼電器開關方式
2020-09-17 10:17:57
與IGBT的比較中,開關特性與SJ MOSFET同樣優異。Hybrid MOS可高速開關,而這是IGBT的弱點。只要能提高開關頻率的速度,即可減少組成電路的電感和電容器的值和尺寸。另外,沒有損耗要因
2018-11-28 14:25:36
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關管,TL494做脈沖寬度調制 (Pwm) 控制電路,請問怎么驅動MOSFET,,,加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答!
2014-11-15 16:35:11
情況下,系統必須獨立控制哪些負載開啟,何時開啟,以什么速度開啟。利用分立MOSFET電路或集成負載開關便能完成這種功率切換,如圖1所示。圖1:從電源切換到多個負載分立MOSFET電路包含多個組件來控制
2022-11-17 08:05:25
MOSFET的開關特性是什么D類MOSFET在射頻功放中的應用MOSFET器件的維護和存儲
2021-04-22 07:08:48
混合SET/MOSFET 結構與特性是什么?如何利用SET/MOSFET 混合結構的傳輸特性去設計數值比較器?
2021-04-13 07:12:01
如何更加深入理解MOSFET開關損耗?Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響?
2021-04-07 06:01:07
請問如何通過MOSFET上的導通時間tdon,上升沿時間tr,關斷時間toff,下降沿時間tf 來確定 MOSFET 的開關頻率大概是多少?
2019-01-09 18:29:44
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。1、MOS管種類和結構MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。1、MOS管種類和結構MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
MOSFET的開關瞬態特性分析 利用升壓轉換器,評估了封裝寄生電感對MOSFET開關特性的影響。圖2所示為傳統的TO247 MOSFET等效模型的詳情,以及升壓轉換器電路和寄生電感的詳情。對于
2018-10-08 15:19:33
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。在
2021-10-28 06:56:14
MOS管具有哪些特性?模塊電源中常用的MOSFET驅動電路有哪些?
2021-11-01 06:45:05
求一個適用于高頻開關電路的mosfet,極間電容要小一點,越小越好
2019-08-19 13:47:23
您好,我想知道 NXP UCODE 7 芯片內部使用的 MOSFET 的 IV 特性,該 MOSFET 開關用于數據輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數據嗎?非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
盡管MOSFET在開關電源、電機控制等一些電子系統中得到廣泛的應用,但是許多電子工程師對于MOSFET開關過程仍然有一些疑惑,本文先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關斷
2016-11-29 14:36:06
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性,然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求,
2010-11-11 15:34:22201
采用N溝MOSFET的源極跟隨型開關電路圖
2009-08-15 16:28:492323
采用N溝MOSFET的源極接地型開關電路圖
2009-08-15 16:31:452763
采用P溝MOSFET的源極接地型開關電路圖
2009-08-15 16:36:242512 MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料,非全部原創。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。開關過程中,功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在
2011-03-15 15:19:17557 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程
2011-09-14 17:39:1765 為了使MOSFET整個開關周期都工作于ZVS,必須利用外部的條件和電路特性,實現其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側續流管,由于其寄生的二極管或并聯的肖特基二極管先導通,然后續流的同步
2012-04-12 11:04:2359180 MOSFET管開關電路設計MOSFET管開關電路設計
2015-12-23 15:03:45204 為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題,通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖,定位了MOSFET 開關損耗的來源,進而為緩啟動電路設計優化,減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:0538 開關電容電路及MOSFET_C連續時間電路——原理與應用
2017-09-11 16:53:4621 MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
2018-05-07 10:38:0011262 基于漏極導通區特性理解mosfet開關過程資料
2018-05-10 10:53:114 電力MOSFET開關概述及工作原理
2019-04-19 06:33:005175 元件,同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由于MOS管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態。圖下(a)為由NMOS增強型管構成的開關電路。 2、 漏極特性 反映漏極電流iD和漏極-源極間電壓uDS之間關系的曲線族叫做漏極特性曲線,簡稱為漏極特性,也就
2021-07-23 09:44:397320 MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路
2021-10-21 20:06:1219 MOSFET門 源極并聯電容后,開關可靠性得到提升開關電路如下圖電路解釋開關電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關,當MOS_ON 網絡拉低到地時,開關Q1導通;2.電路中D3作用為鉗位Q1門源
2022-01-10 10:14:0911 與數字電路的場效晶體管,MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好;制造工藝簡單、輻射強,因而通常被用于放大電路或開關電路。確定MOSFET的主要特性是其漏源電壓VDS,或“漏源擊穿電壓”,這是在柵很短路到源極,漏極電流在250μA情況下,MOSFET所能承受
2022-06-13 18:31:1114438 內容主要包括
一、MOSFET的分類
二、MOSFET的內部結構以及技術升級過程介紹
三、MOSFET的工作原理
四、MOSFET的主要特性(轉移特性、開關特性、輸出特性
2022-11-15 17:10:270 MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統中,MOSFET可被看成電氣開關。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時,MOSFET導通等同開關導通,有IDS通過,實現功率轉換。
2022-11-28 15:53:05666 對于MOS管,我們在電路設計中都會遇到,那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢?
2022-12-08 09:54:212023 繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開關被廣為應用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結構上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241995 前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性:在功率轉換中,MOSFET基本上被用作開關。
2023-02-09 10:19:242518 繼上一篇MOSFET的開關特性之后,本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 在SiC MOSFET的開發與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,另由于其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 16:13:002570 關于IGBT、MOSFET、BJT的開關工作特性的基本思想 最近一直在弄實驗室一個金屬離子源的控制板,其中有一個模塊需要完成一個恒流源的可控輸出,其負載是金屬離子源的遠控電流輸入口,考慮到金屬離子源
2023-02-23 09:55:292 用光敏電阻制作一個小裝置,該裝置在強光下無電流輸出,在弱光下有電流輸出。其實就是一個簡單的光控開關電路,結構比較簡單,操作很方便。
以下是一款采用光敏電阻及P-MOSFET設計的光控開關電路,如下圖所示:
2023-05-30 16:00:492898 SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同,這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說,輸出電容的影響較大,而PN
2023-01-04 10:02:071113 探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
2023-01-12 14:33:03991 mos管開關電路原理是什么? MOS管開關電路原理是指一種基于金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的開關電路。該電路利用MOSFET的過渡區域中的靜電場來控制電流的流動,實現開關控制的功能。由于
2023-08-25 15:11:271343 MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓的原理?? MOSFET(MOS管)是一種廣泛使用的半導體器件,它可以作為電路中的開關來控制電流的通斷狀態。MOSFET有很多種,但是最常
2023-09-05 14:56:291589 為什么buck電路中開關器多用mosfet而不用bjt?? Buck電路是一種常見的DC-DC轉換電路,可實現輸入電壓向輸出電壓的降壓轉換。在Buck電路中,開關器是其中最重要的組件之一,它決定
2023-09-12 15:26:31686 繼電器開關電路的設計和類型非常龐大,許多小型電子項目都使用晶體管和MOSFET作為其主要開關設備。
2023-11-14 16:49:29582 碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 MOSFET的基本結構。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導類型晶體管。與傳統的硅MOSFET相比,SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓,以及更低的導通電阻和開關損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用: 1. 電源開關
2023-12-21 11:27:13686 漏極和源極之間形成導電通路,從而形成電流。當柵極施加的電壓為負時,電場會被抑制,導致漏極和源極之間的電流無法流通。因此,MOSFET在電路中起到開關的作用,可以控制電路的通斷。
2024-01-03 17:13:00515
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