MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。
2024-02-26 11:40:04
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造成損壞的原因可能有幾個： 1.缺少保護電路。一般來說電路中應適當設置保護電路。以吸收電路中的瞬間高壓。浪涌電壓。保護關鍵元件。 2.參數(shù)選取不合理。沒有余地。效應管的耐壓。電流都應該流有
2020-06-30 14:41:49
請較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發(fā)生，最近一產(chǎn)品在家里面用從來沒有壞過！但是拿出去用很容易損壞！條件沒什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質測試中被察覺而排除，影響較少。如果
2017-06-01 15:59:30
有誰用過IRLML6401，接法如下圖，但是mos管不能導通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-31 13:59:26
MOS管的半導體結構MOS管的工作機制MOS管的驅動應用
2021-03-08 06:06:47
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅動時柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
DS間加電容，測試兩種差不多的MOS管，發(fā)現(xiàn)MOS里面芯片大的反而沖擊電流小，這是為什么，兩種級別差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而沖擊電流小？，這是什么原因，耐沖擊電流與MOS管的DIE大小有關系嗎
2018-01-19 09:54:42
的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易
2019-02-14 11:35:54
型號，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動
2021-01-11 20:12:24
我們在規(guī)劃制作電子捕魚器時，有兩種器材是必不可少的，一種是高頻機的功率MOS管，首要用在高頻電子捕魚器中，另一種是低頻電魚機中的三極管，首要用于低頻捕魚器中，這兩種元器材在運用中究竟有些什么區(qū)別呢
2019-05-30 00:34:14
電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護電路，達到即使接反電源，也不會損壞的目的。 一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管
2021-12-31 07:01:52
什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型襯底、p 溝道，靠空穴的流動運送電流的 MOS 管。電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我么就需要
2020-11-16 09:22:50
為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主
2011-11-07 15:56:56
，發(fā)熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發(fā)熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發(fā)熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
最近在做一個Mos管驅動產(chǎn)品，發(fā)現(xiàn)發(fā)燙得厲害，然后參考了其他競品發(fā)現(xiàn)都有增加這么一個二極管，依樣增加上去后就不燙了，這就是是什么原因呢？在網(wǎng)上找到了原因，如下：再看MOS管本身DS極間也有個二極管
2021-09-14 07:49:42
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全
2020-10-10 11:21:32
`MOS管電路在通斷過程中，Vgs的波形是一個完整的方波，但是Vds的波形是一條5v的直線，這是什么原因`
2021-03-15 16:48:53
使用ti的tps51621buck控制器，12V輸出1V輸出，高側的mos管會出現(xiàn)損壞造成12V對地短路的情況，MOS管高側選用的CSD16322Q5，參數(shù)滿足要求，板子放在機箱中，測試MOS管的表面溫度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路： 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；過壓----------源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；靜電----------靜電擊穿。CMOS電路都怕
2019-07-26 07:00:00
一個簡單的NPN+P_MOS開關控制，負載是850nm激光二極管，驅動MCU是STC15F2。現(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，本人菜鳥不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點一二
2018-08-29 18:06:20
我需要設計這樣一個控制電路，電路的結構如圖所示，由三極管控制MOS管通斷的電路，現(xiàn)在我大概需要三種規(guī)格的控制電路；輸入電壓都是12V左右，可提供輸出電流3種規(guī)格，分別是10A、5A、1A，希望大佬給個推薦，可以用哪三種MOS管實現(xiàn)呢！
2019-10-12 09:54:33
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 編輯
我在工作中遇到的一個案例，客戶端總是燒一個MOS 管的問題。參考附圖！為什么總是損壞MOSFETQ8212？同一片主板上用料五顆，請高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-25 14:40:18
` 我們在規(guī)劃制作電子捕魚器時，有兩種器材是必不可少的，一種是高頻機的功率MOS管，首要用在高頻電子捕魚器中，另一種是低頻電魚機中的三極管，首要用于低頻捕魚器中，這兩種元器材在運用中究竟
2018-12-10 15:04:30
，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；過壓
2021-07-05 07:19:31
還是換上原來一樣型號的才解決問題。檢測到MOS管損壞后，更換時其周邊的灌流電路的元件也必須全部更換，因為該MOS管的損壞也可能是灌流電路元件的欠佳引起MOS管損壞。即便是MOS管本身原因損壞，在MOS
2019-02-23 16:23:40
關于怎樣確定MOS管是否會擊穿的問題。在網(wǎng)上有看到大概兩種說法：1.計算雪崩能量然后進行判斷MOS管是否會損壞；2.計算MOS管結溫然后查出對應的擊穿電壓。第一種不知道是要測所有的能量還是只是大于
2018-12-21 10:46:27
1.MOS管并聯(lián)的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導致
2018-10-12 16:47:54
MOSFET的擊穿有哪幾種？如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴重情況？MOS管小電流發(fā)熱的原因MOS管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決MOS管為什么可以防止電源反接？
2021-03-29 08:19:48
大家在電路設計時，經(jīng)常需要通過主電源給各個模塊供電，而且這些模塊的供電經(jīng)常是需要可以控制的。如何控制電源的通斷，我想最簡單的就是選用MOS管去控制，主要兩個方面的原因：1.MOS管導通電
2023-02-28 16:32:33
過熱燒毀。四、快恢復二極管規(guī)格型號不符。更換新二極管時錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成二極管管擊穿損壞。五、電路板短路，用蒸汽清潔的電路板后，沒有晾干，由水造成電路短路故障而造成的。請在用蒸汽清潔后，再用壓縮空氣吹一遍再檢測應該可以避免這種損壞。?快恢復二極管規(guī)格書下載：
2021-05-13 17:27:00
哪位大神能幫忙分析下這個電路，安裝電池的過程中MOS管會有20%的損壞。除開靜電的損壞，還有有其他可能沒有呢?
2018-09-11 13:36:23
`<p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案 一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上
2018-11-05 14:26:45
MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
。 至于為什么不適用號耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也
2018-12-03 14:43:36
`肖特基二極管用久了，難免會磕磕碰碰，但是一般情況下肖特基二極管損壞的原因是什么呢？今天就由立深鑫就給大家普及一下肖特基二極管損壞常見的原因。 一、運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外
2018-12-18 14:02:04
整流二極管的損壞原因整流二極管的檢查方法整流二極管的代換
2021-04-02 06:17:32
導通給電機加電。請問各位大神，這是什么原因造成的？查了資料，有說是因為正轉突然反轉會使得直流母線電壓升高，超過了MOS繼電器開關的耐壓值，MOS管被擊穿。也有說是因為正轉突然反轉會使得電機輸出大電流
2020-06-28 10:18:32
是什么原因導致了MOS管發(fā)熱？
2021-06-07 06:21:08
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2019-03-13 06:00:00
1.MOS管并聯(lián)的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導致
2018-11-28 12:08:27
上面因素。 五、選取耐壓BVDSS 在大多數(shù)情況下，因為設計的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對固定的，公司選取特定的供應商的一些料號，產(chǎn)品額定電壓也是固定的。 數(shù)據(jù)表中功率MOS管的擊穿電壓BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源
2018-10-26 14:32:12
時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
的MOS管，而不會使用以前的三極管。但是性能再優(yōu)越，也會出現(xiàn)損壞的情況，那作為廠家來說應該怎么檢測MOS管是否損壞呢？ 電路中，如何判斷MOS管的完好或失效，與單獨鑒別MOS好壞不完全相同，電路中完好
2018-12-27 13:49:40
把這些損耗控制在MOS管承受規(guī)格之內，MOS管即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。 而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒完全打開，處于脈寬調制狀態(tài)時（對應電動車的起步加速狀態(tài)），而最高
2019-02-28 10:53:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 編輯
MOS管被擊穿的原因及解決方案如下： 第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或
2012-07-14 15:34:14
UCC21225A的其他部分工作正常；由于自舉二極管的存在，功率回路的高壓不會傳導到驅動供電軌，對系統(tǒng)其他部分無影響。任意MOS的GS短路系統(tǒng)功能正常；如果失效發(fā)生在上橋臂MOS，高壓會損壞
2022-01-18 07:00:00
電源開關管損壞的原因分析
2019-05-28 11:27:38
電源開關管損壞的主要原因有以下13種：1．軟啟動電路失效2．開關管集成電路板反峰吸收電路失效3．正反饋過強4．定時電容失效漏電5．穩(wěn)壓電路中的去耦電容失效6．穩(wěn)壓電路的負反饋開環(huán)7．開關管發(fā)射極
2011-08-09 11:51:44
9V的電壓。更換下方MOS，恢復正常。器件型號，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于問題故障率太大，不能進行生產(chǎn)。請各位大大幫忙看看到底為什么會導致MOS損壞。怎么解決？謝謝`
2019-12-30 10:30:50
萌新求助，求一種簡單的MOS管直流電機驅動電路
2021-10-19 06:49:59
電路是這樣，輸入電壓110V，緩啟動后面接了兩個220uf電容。以前同樣的電路實驗沒有問題，后來幾年后也是同樣的電路拿出來用，結果燒MOS管。我猜測原因如下，不知道對不對，請各位大神指教。電源上電
2020-04-26 14:17:30
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個管教之間有
2017-12-05 09:32:00
的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個
2017-08-15 21:05:01
的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS
2018-11-27 13:44:26
輸入電壓110V，緩啟動后面接了兩個220uf電容。以前同樣的電路實驗沒有問題，后來幾年后也是同樣的電路拿出來用，結果燒mos管。我猜測原因如下，不知道對不對，請各位大神指教。電源上電的時候
2020-05-20 10:06:20
12V；；；請問各位大佬MOS管的這種損壞屬于什么損壞，是什么導致的，感覺GS有2M應該是沒事的，這個管子以前遇到的損壞都是GS直接短路了，這個現(xiàn)象不一樣
2021-05-25 08:21:12
小弟是電子初學者，經(jīng)常在設計電路時MOSFET管出現(xiàn)損壞，請問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。 靜電擊穿有兩種
2022-05-14 10:22:39
產(chǎn)品在某一個批次的生產(chǎn)中突然發(fā)現(xiàn)20%的DC-DC芯片不通電，并且都表現(xiàn)為下MOS損壞。外圍硬件設計，有什么因素可能導致下MOS管損壞呢？如何去分析對比電源IC批次性差異呢？
2023-01-12 17:01:27
行輸出管損壞是彩電最常見的故障,造成行輸出管損壞的原因不外乎以下幾種原因. 1.過壓擊穿:行輸出管
2006-04-17 22:19:162017
晶閘管損壞原因判別
....當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是
2009-07-28 08:15:261536 如何判別晶閘管損壞原因
....當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后
2010-03-08 09:47:31676 MOS管損毀原因總結
2017-06-19 14:22:32
26 mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。
2019-07-27 08:08:007470 Mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。
2019-08-01 16:45:587262 什么是MOS管？它有什么特點？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對應這幾個狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態(tài)、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態(tài)。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在Mos承受規(guī)格之內，Mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態(tài)損耗，不同Mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內置二極管破壞、由寄生振蕩導致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
MOS是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為MOS內阻，就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了MOS芯片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻），內阻越小承受電流越大（因為發(fā)熱小）。
2022-04-14 08:34:1518858 過快的充電會導致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關從而增加開關損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻（導通內阻一般低壓mos只有幾毫歐姆）的一個轉變過程。
2022-08-17 14:37:411134 Mos主要損耗也對應這幾個狀態(tài)，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內阻，就是導通電阻。
2023-02-07 09:46:111584 電阻損壞的原因有哪些？ 電阻是電子元器件中最基礎、最常見的一種元件，用于控制電路中的電流和電壓。但是，電阻也會出現(xiàn)損壞的情況。電阻損壞的原因有以下幾點： 1. 過載使用：過載是電阻損壞最常見的原因
2023-08-29 16:46:444998 光耦損壞故障原因有哪些 光耦怎么測好壞？ 光耦（Opto-Coupler）是一種將光電設備和電子設備相互隔離或耦合的器件，它通常由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（光電二極管或光敏三極管）組成
2023-11-20 16:16:282522 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常見的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。然而，在實際應用中，MOS管可能會因為各種原因而損壞。本文將對MOS管損壞的原因進行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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