簡(jiǎn)單介紹MOSFET的原理
2022-04-11 19:19:15
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下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
51動(dòng)畫(huà)講解，非常詳細(xì)的資料，開(kāi)發(fā)板里面帶的，親測(cè)好用
2014-03-13 15:49:32
51動(dòng)畫(huà)講解，非常詳細(xì)的資料，開(kāi)發(fā)板里面帶的，親測(cè)好用
2014-03-13 15:50:29
51動(dòng)畫(huà)講解，非常詳細(xì)的資料，開(kāi)發(fā)板里面帶的，親測(cè)好用
2014-03-13 15:51:27
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
高頻到低頻過(guò)程中），尤其是開(kāi)機(jī)過(guò)程中的頭幾個(gè)開(kāi)關(guān)周期，對(duì)于有些設(shè)計(jì)和方案，硬開(kāi)關(guān)是避免不了的。此時(shí)就需要對(duì)LLC串聯(lián)諧振電路以及MOSFET的失效機(jī)制進(jìn)行充分的了解，下一篇文章中會(huì)重點(diǎn)介紹。
2018-11-21 15:52:43
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
轉(zhuǎn)載文章來(lái)自：MOSFET理解與應(yīng)用：Lec 12—一篇文章搞定共源級(jí)放大電路https://baijiahao.baidu.com/s?id=1616701539915827630&wfr
2021-12-29 06:44:23
的項(xiàng)目或數(shù)值作為一般電源規(guī)格，其測(cè)量方法等已經(jīng)說(shuō)明。例如，輸出電壓設(shè)定條件后，先用電壓表測(cè)量電壓，測(cè)量值是設(shè)定上限和下限之內(nèi)側(cè)，就能判定符合規(guī)格。然而，實(shí)際測(cè)量必須再詳細(xì)一些，或是采用其他方式進(jìn)行評(píng)估
2018-11-27 16:50:30
MOSFET的失效機(jī)理至此，我們已經(jīng)介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過(guò)MOSFET規(guī)格書(shū)中的絕對(duì)最大
2022-07-26 18:06:41
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
一個(gè)非常詳細(xì)的CRC計(jì)算實(shí)例,保證你學(xué)會(huì)CRC from hellodsp
2011-09-18 15:22:01
一套非常詳細(xì)的arduino教程帶視頻源碼開(kāi)發(fā)環(huán)境，連接后1.81G
2015-06-10 21:42:18
看完第一篇文章應(yīng)該對(duì)步進(jìn)電機(jī)的結(jié)構(gòu)有所了解了，下面將詳細(xì)介紹一下步進(jìn)電機(jī)的細(xì)分控制。無(wú)論什么樣的電機(jī)，控制方法和其結(jié)構(gòu)是息息相關(guān)的。通過(guò)上一篇文章之后，我們知道按一定的順序給步進(jìn)電機(jī)的各相輪流
2021-07-07 06:51:04
不少剛購(gòu)買(mǎi)G1的朋友都能看到論壇里在討論有關(guān)root權(quán)限的話題。root權(quán)限跟我們?cè)趙indows系統(tǒng)下的administrator權(quán)限可以理解成一個(gè)概念 。root是android系統(tǒng)中的超級(jí)
2011-07-28 09:49:25
我們?cè)谡{(diào)節(jié)屏幕亮度時(shí)候可能會(huì)看到電源有三種計(jì)劃，分別是平衡，節(jié)能和高性能，那么各有什么特點(diǎn)呢?哪種計(jì)劃比較好。今日小編就來(lái)詳細(xì)跟你介紹一下3種電源計(jì)劃：三種電源計(jì)劃各有什么特點(diǎn)：在Win7中支持非常
2021-09-08 07:55:50
pulse -TLP）是一種通過(guò)測(cè)量時(shí)域的電流和電壓來(lái)研究集成電路的及其特性的ESD測(cè)試方法。 下面詳細(xì)介紹一下TLP測(cè)試相關(guān)的知識(shí)： TLP脈沖發(fā)生器的基本結(jié)構(gòu)：長(zhǎng)度為L(zhǎng)的充電線（TL1），開(kāi)關(guān)
2023-03-29 10:44:47
Java相關(guān)無(wú)論什么級(jí)別的Android從業(yè)者，Java作為Android開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)語(yǔ)言。不管是工作還是面試中，Java都是必考題。如果不懂Java的話，薪酬會(huì)非常吃虧（美團(tuán)尤為重視Java基礎(chǔ)）詳細(xì)
2021-08-20 06:09:48
上一篇文章《電源分布網(wǎng)絡(luò)介紹》里已經(jīng)大概介紹了一下，由于CMOS電路的電流會(huì)隨著時(shí)間變化而變化，而電源分布網(wǎng)絡(luò)又對(duì)不同頻率的電流信號(hào)表現(xiàn)出不同的阻抗，這些變化的電流和變化的阻抗最終形成了電源噪聲
2021-12-29 06:26:39
詳細(xì)的EMC知識(shí)介紹！需要完整版的小伙伴可以下載附件保存哦~
2021-09-23 09:57:21
非常經(jīng)典的資料之詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路 13頁(yè) 1.2M.pdf資料分享來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源
2020-07-06 22:33:28
非常詳細(xì)的EDK實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)
2012-08-17 10:40:10
一、ESP32 GPIO簡(jiǎn)介1.ESP-WROOM-32 30 PIN 開(kāi)發(fā)板 PINOUT2.ESP32的基本引腳二、ESP32 GPIO 詳細(xì)介紹
2021-12-09 07:17:21
ESP8266使用詳細(xì)介紹目錄ESP8266使用詳細(xì)介紹1.工具準(zhǔn)備2.簡(jiǎn)介3.模式介紹4.具體代碼5.嵌入式開(kāi)發(fā)參考1.工具準(zhǔn)備串口助手2.簡(jiǎn)介本文使用的是安信可的ESP-12s。這種ESP8266有三種模式，分別為STATION模式，AP模式
2021-11-05 06:50:08
電流相位不對(duì)，MOSFET都存硬開(kāi)關(guān)，所謂硬開(kāi)關(guān)就是，當(dāng)MOSFET開(kāi)通時(shí)，電流沒(méi)有反向流過(guò)體二極管，也就是說(shuō)Vds的電壓不為零，那為什么硬開(kāi)關(guān)就會(huì)導(dǎo)致MOSFET失效呢？下面詳細(xì)介紹。首先看一個(gè)普通
2016-12-12 15:26:49
件存儲(chǔ)方式。 高級(jí)篇，介紹了應(yīng)用程序、VI和控件的引用、屬性和方法，以及各類(lèi)高級(jí)控件的運(yùn)用方法。第8章介紹了LabVIEW的文本編程方式以及DLL、C語(yǔ)言接口，第9章詳細(xì)介紹了基于Matlab語(yǔ)法
2016-07-15 11:45:43
MOS管原理_非常詳細(xì)
2018-06-25 11:34:32
絕對(duì)好東西，非常直觀詳細(xì)
2014-08-26 10:30:34
PT100詳細(xì)介紹，溫度阻值特性描述，可參考分析
2016-07-29 19:13:36
首先，重新整理一下SJ MOSFET做出貢獻(xiàn)的課題。第一個(gè)是效率改善，第二個(gè)是小型化－ 那么先從效率開(kāi)始談。為什么使用SJ-MOSFET可以改善效率？先稍微介紹一下SJ MOSFET。傳統(tǒng)型
2019-04-29 01:41:22
為什么要寫(xiě)這篇文章呢？這是一篇關(guān)于嵌入式入門(mén)的文章，因?yàn)槲以谶M(jìn)入嵌入式這個(gè)領(lǐng)域之前，也是遇到過(guò)非常多非常多的困難，所以呢，希望寫(xiě)下這篇文章，讓大家看看少走彎路。 首先，我打算先列舉一下大家問(wèn)得最多
2017-10-24 10:32:39
STM32嵌入式入門(mén)必看之文章-----介紹非常詳細(xì)！（學(xué)習(xí)STM32的理由！！！！）為什么要寫(xiě)這篇文章呢？這是一篇關(guān)于嵌入式入門(mén)的文章，因?yàn)槲以谶M(jìn)入嵌入式這個(gè)領(lǐng)域之前，也是遇到過(guò)非常多非常多的困難
2016-04-02 16:31:51
為什么要寫(xiě)這篇文章呢？這是一篇關(guān)于嵌入式入門(mén)的文章，因?yàn)槲以谶M(jìn)入嵌入式這個(gè)領(lǐng)域之前，也是遇到過(guò)非常多非常多的困難，所以呢，希望寫(xiě)下這篇文章，讓大家看看少走彎路。 首先，我打算先列舉一下大家問(wèn)得最多
2016-01-20 09:56:12
為什么要寫(xiě)這篇文章呢？這是一篇關(guān)于嵌入式入門(mén)的文章，因?yàn)槲以谶M(jìn)入嵌入式這個(gè)領(lǐng)域之前，也是遇到過(guò)非常多非常多的困難，所以呢，希望寫(xiě)下這篇文章，讓大家看看少走彎路。首先，我打算先列舉一下大家問(wèn)得最多
2017-04-03 11:29:04
為什么要寫(xiě)這篇文章呢？這是一篇關(guān)于嵌入式入門(mén)的文章，因?yàn)槲以谶M(jìn)入嵌入式這個(gè)領(lǐng)域之前，也是遇到過(guò)非常多非常多的困難，所以呢，希望寫(xiě)下這篇文章，讓大家看看少走彎路。首先，我打算先列舉一下大家問(wèn)得最多
2016-05-30 09:16:36
從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
[資料] 求 聲音與振動(dòng)模塊中的控件的詳細(xì)介紹，labview2012聲學(xué)與振動(dòng)模塊的控件。。謝謝啦
2016-08-19 14:16:02
`應(yīng)該最好的一個(gè) 介紹子VI 創(chuàng)建和調(diào)用的說(shuō)明非常詳細(xì)。 菜鳥(niǎo)專(zhuān)業(yè) 大蝦飄過(guò)、關(guān)鍵詞： labview 子VI創(chuàng)建調(diào)用教程今天補(bǔ)充一個(gè)范例：可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)一個(gè) 主界面的菜單按鈕 調(diào)用子Vi，而是顯示子
2012-02-04 11:46:31
pickit的電路及詳細(xì)介紹
2012-03-13 17:47:50
simulink模塊庫(kù)詳細(xì)介紹
2013-07-24 22:12:59
stm32f103rct6的詳細(xì)介紹在哪里能查到？在網(wǎng)上查了一下，相關(guān)的資料很少，感覺(jué)不夠詳細(xì)。
2020-05-12 20:01:34
哥的Linux私房菜:基礎(chǔ)學(xué)習(xí)篇》是最具知名度的Linux入門(mén)書(shū)《鳥(niǎo)哥的Linux私房菜基礎(chǔ)學(xué)習(xí)篇》的最新版，全面而詳細(xì)地介紹了Linux操作系統(tǒng)。全書(shū)分為5個(gè)部分：第一部分著重說(shuō)明Linux的起源
2016-06-28 13:42:10
MOSFET開(kāi)時(shí)米勒平臺(tái)的形成過(guò)程的詳細(xì)解析！純手工畫(huà)圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
如何選擇適合應(yīng)用的MOSFET驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)中文資料概述資料來(lái)自網(wǎng)絡(luò)
2019-11-08 22:52:10
介紹STM32開(kāi)發(fā)軟件的使用以及一些下載調(diào)試的技巧，并詳細(xì)地介紹了幾個(gè)常用的系統(tǒng)文件（程序）；第3篇為實(shí)戰(zhàn)篇，通過(guò)38個(gè)實(shí)例（絕大部分是直接操作寄存器完成的）帶領(lǐng)大家一步步深入STM32的學(xué)習(xí)。相較于第
2022-01-26 08:31:19
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)異特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36
MOSFET只需要柵極引腳上的電壓來(lái)允許電流在漏極和源極引腳之間流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET在實(shí)際設(shè)計(jì)中具有非常高的柵極阻抗，這就決定了MOSFET的一個(gè)特點(diǎn)，非常擅長(zhǎng)降低電路的運(yùn)行所需要的功率。先來(lái)簡(jiǎn)單介紹
2022-09-06 08:00:00
實(shí)例講解Multisim+10電路仿真,電路齊全，非常詳細(xì)。文件過(guò)大，已上傳到網(wǎng)盤(pán)。文件內(nèi)有下載鏈接和提取碼。一鍵分析設(shè)計(jì)隱患，首款國(guó)產(chǎn)PCB DFM分析軟件免費(fèi)用！地址下載（電腦端下
2020-02-27 21:48:00
也是不允許的。下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允許的。下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
小白求助，求大佬詳細(xì)介紹一下EtherCAT運(yùn)動(dòng)控制器的PLC編程
2021-10-29 07:24:05
數(shù)碼相框方案詳細(xì)介紹
2012-08-20 13:12:16
有么有書(shū)詳細(xì)介紹過(guò)孔盲孔導(dǎo)孔詳細(xì)區(qū)別
2016-07-12 12:15:07
之間都可進(jìn)行通信，不易受陸地災(zāi)害的影響；只要設(shè)置地球站電路即可開(kāi)通，同時(shí)可在多處接收，能經(jīng)濟(jì)地實(shí)現(xiàn)廣播、多址通信電路設(shè)置非常靈活，可隨時(shí)分散過(guò)于集中的話務(wù)量；同一信道可用于不同方向或不同區(qū)間。下面本文將詳細(xì)介紹。
2019-07-11 06:09:50
最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
求大神詳細(xì)介紹一下FPGA嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)過(guò)程中的XBD文件設(shè)計(jì)
2021-05-06 08:19:58
求大神詳細(xì)介紹一下關(guān)于類(lèi)的封裝與繼承
2021-04-28 06:40:35
求大神詳細(xì)介紹一下基于FPGA的電子穩(wěn)像平臺(tái)的研究
2021-05-07 06:02:47
如今汽車(chē)電路圖分析可有詳細(xì)點(diǎn)的介紹介紹，感謝各位大神了
2015-05-05 16:55:12
最近在測(cè)一個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)光耦，型號(hào)為HCPL-3120，他內(nèi)部可以看成是2顆MOSFET組成的推挽電路。其原理是：當(dāng)VCC=20V當(dāng)輸入端LED發(fā)光時(shí)，上面一顆導(dǎo)通，電壓等于電源電壓 20VLED
2013-09-06 17:43:37
MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
`本書(shū)介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類(lèi)導(dǎo)電溝道槽結(jié)構(gòu)特殊的場(chǎng)效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新展開(kāi)起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。本書(shū)深入解讀了MOSFET的關(guān)鍵特性和指標(biāo)，通過(guò)圖表讓讀者
2019-03-06 16:20:14
為什么我們喜歡用sigmoid這類(lèi)S型非線性變換？萌新求助，求大佬詳細(xì)介紹一下stm32S型加減速算法
2021-11-19 07:07:27
發(fā)這個(gè)帖子之前，我糾結(jié)了很久……論壇里面有很多的高手，對(duì)MOSFET的結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)，選用，計(jì)算等等都開(kāi)過(guò)專(zhuān)門(mén)的帖子講解與討論，比如水蜘蛛大師，sometimes版主等人，講解的非常的詳細(xì)，帖子的質(zhì)量
2021-10-29 14:43:42
請(qǐng)問(wèn)哪位大佬可以詳細(xì)介紹一下ARM的發(fā)展歷程呀？
2021-08-30 06:33:20
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 16:42 編輯
TMS320F28069 各個(gè)寄存器的詳細(xì)介紹文檔在哪里下載？我現(xiàn)在想配置SPI 但是只知道寄存器沒(méi)有找到寄存器里面的詳細(xì)操作介紹。
2018-06-13 00:12:53
請(qǐng)問(wèn)哪里有介紹ST開(kāi)發(fā)的通過(guò)USB進(jìn)行ISP的流程詳細(xì)介紹嗎？
2019-03-04 07:35:01
零基礎(chǔ)學(xué)習(xí)，給大家推薦一下ARM裸機(jī)開(kāi)發(fā)實(shí)戰(zhàn)嵌入式Linux驅(qū)動(dòng)篇——深度開(kāi)發(fā)之現(xiàn)場(chǎng)從零編寫(xiě)工作中的驅(qū)動(dòng)嵌入式Linux項(xiàng)目篇：數(shù)碼相框&視頻監(jiān)控&電源管理
2014-01-01 20:56:54
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
Linux指令教程 (非常詳細(xì))
2009-03-28 09:44:14
29 功率MOSFET的工作原理，規(guī)格和特性均與變極式功率電晶體有所不同。
2009-11-20 11:02:2950 示波器的帶寬 (概念-非常詳細(xì))
帶寬被稱(chēng)為
2009-08-25 09:29:3414970 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程
2011-09-14 17:39:1765 C語(yǔ)言中指針的介紹非常詳細(xì) C語(yǔ)言中指針的介紹非常詳細(xì)
2015-12-25 10:39:4757 關(guān)于MOS管非常詳細(xì)的介紹，適合絕大部分的初學(xué)者
2016-02-24 16:31:08152 MOS管原理應(yīng)用非常詳細(xì)、功率MOS及其應(yīng)用應(yīng)用指南技術(shù)原理與方法，讓你知道如何MOSFET原理、功率MOS及其應(yīng)用
2016-08-30 18:11:470 C指針詳解-經(jīng)典-非常詳細(xì)
2017-10-23 17:39:2279 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是TK40P03M1 MOSFET硅N溝道MOS的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2018-10-26 08:00:0018 、汽車(chē)和電機(jī)控制。不斷的研究和改進(jìn)為它提供了替換BJT（雙極性結(jié)晶體管）的理想特性。本申請(qǐng)說(shuō)明是對(duì)功率MOSFET的一般描述和FSC數(shù)據(jù)簿規(guī)范的詳細(xì)介紹。
2018-11-29 08:00:005 MOSFET 作為功率開(kāi)關(guān)管，已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然 MOSFET 作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單，但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。
2019-03-22 08:00:0079 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是如何理解功率MOSFET規(guī)格書(shū)之雪崩特性和體二極管參數(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。
2020-03-07 08:00:0019 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AO系列MOSFET管的詳細(xì)資料說(shuō)明。
2020-03-14 08:00:0014 本文用圖片向你詳細(xì)講解MOSFET參數(shù)的各種知識(shí)，通俗易懂，且易于學(xué)習(xí)，希望能幫助你的學(xué)習(xí)。
2021-04-13 11:56:043073 
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2021-12-06 15:09:0260 非常詳細(xì)全橋LLC諧振電源計(jì)算
2021-12-06 15:10:34100 MOSFET門(mén)級(jí)電路的深入介紹。
2022-10-24 15:01:290 從本文開(kāi)始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件，常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 非常詳細(xì)的PCB設(shè)計(jì)規(guī)范
2023-10-11 18:06:4126 是MOSFET的控制電路，它對(duì)于MOSFET的工作狀態(tài)和性能有著重要的影響。以下是關(guān)于MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用以及電壓對(duì)電流的影響的詳細(xì)介紹。 1. 控制MOSFET的導(dǎo)通與截止： MOSFET的柵極電壓決定了通道電流的大小，從而決定MOSFET的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，
2023-11-29 17:46:40571
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