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淺析氮化鎵器件驅動設計技術
- 氮化鎵(114707)
- 驅動電源(42009)
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氮化鎵: 歷史與未來
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵技術在半導體行業中處于什么位置？
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化鎵技術推動電源管理不斷革新
。與典型的PN結MOSFET不同，GaN器件的雙向結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術促進電源管理的發展
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
氮化鎵GaN技術助力電源管理革新
結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應用(如集成電機驅動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設計方案
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵一瓦已經不足一元，并且順豐包郵？聯想發動氮化鎵價格戰伊始。
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現更高的效率？
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優勢
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發展評估
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵激光器的技術難點和發展過程
激光器是20世紀四大發明之一，半導體激光器是采用半導體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優勢，是應用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設計從入門到精通的方法
氮化鎵電源設計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規模化、供應安全和快速應對能力
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率 基于晶體管
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出
充電器變得高效起來，發熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅動電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導致了應用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用。”意法半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優勢
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現在已經在用8英寸晶圓生產氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設備生產碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術用途廣泛，在雷達、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
MACOM：適用于5G的半導體材料硅基氮化鎵（GaN）
的各個電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實現更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉換時間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關、更低的功率損耗及更低的成本優勢。由于氮化鎵技術在低功耗、小尺寸等方面具有獨特
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
系列光隔離探頭現場條件因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。現場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD
`明佳達優勢供應NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印：NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
aN2 Pro氮化鎵充電器的選購過程和使用
由于換了三星手機，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵發展技術
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
【技術干貨】氮化鎵IC如何改變電動汽車市場
）行業標準。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標準的先進半導體器件和主動組件的供應商網絡中。對于氮化鎵來說，在更關鍵的電子子系統之一，符合AEC標準的器件已經存在，即電源開關器件和柵極驅動
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用呢？
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是氮化鎵技術
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵功率芯片？
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵（GaN）？
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵（GaN）？
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發展
帶寬更高，這一點很重要，載波聚合技術的使用以及準備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
使用寬帶隙器件做電路設計時的注意事項
易于驅動，不應產生高電磁干擾等不利影響，而且要耐用，當然還要成本低。柵極驅動至關重要驅動碳化硅和氮化鎵器件的柵極可能是最重要的考慮因素，在大多數情況下，這比驅動IGBT和MOSFET更難。這兩種成熟
2023-02-05 15:14:52
供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
光隔離探頭應用場景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
如何利用氮化鎵實現高性能柵極驅動？
氮化鎵技術是功率級的真正推動者，如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當柵極驅動器與晶體管具有相同程度的性能和創新時，才能獲得GaN的最大性能和優勢。經過多年的研發，MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
如何學習氮化鎵電源設計從入門到精通?
精通，這個系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設計，帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何完整地設計一個高效氮化鎵電源？
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現氮化鎵的可靠運行
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅動器優化氮化鎵性能
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
實現更小、更輕、更平穩的電機驅動器的氮化鎵器件
獲得無與倫比的正弦電壓和電流波形，讓電機實現更平穩、更安靜的運行和更高的系統效率。由基于氮化鎵器件的逆變器以更高的PWM頻率和最短促的死區時間驅動時，電機變得更有效率。把輸入濾波器中的電解電容器改為
2023-06-25 13:58:54
對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題？
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
射頻GaN技術正在走向主流應用
手機上還不現實，但業界還是要關 注射頻氮化鎵技術的發展。“與砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性
2016-08-30 16:39:28
將低壓氮化鎵應用在了手機內部電路
OPPO公司分享了這一應用的優勢，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續時間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
展嶸電子助力布局氮化鎵適配器方案攜手智融SW351X次級協議45W69W87W成熟方案保駕護航
30W超薄氮化鎵充電器ANKER Powerport Atom III Slim因為內置了氮化鎵元器件，體型可以做的非常的纖薄，只有0.63英寸（約1.6cm）厚，并且是可折疊插腳設計，可以輕松裝進
2021-04-16 09:33:21
微波射頻能量:工業加熱和干燥用氮化鎵
這樣的領導者正在將氮化鎵和固態半導體技術與這些過程相結合，以更低的成本進行廣泛使用，從而改變行業的基礎狀況。采油與傳統的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
想要實現高效氮化鎵設計有哪些步驟？
和功率因數校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務（關閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅動
2023-02-21 16:30:09
拆解報告：橙果65W 2C1A氮化鎵充電器
功率，降額使用。
PI官方的資料顯示，INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族，它采用了PI獨家的PowiGaN技術，也就是內置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術介紹
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢？
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
硅基氮化鎵在大功率LED的研發及產業化
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
第三代半導體材料氮化鎵/GaN 未來發展及技術應用
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側氮化
2019-04-13 22:28:48
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
誰發明了氮化鎵功率芯片？
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
轉載 | 推高功率密度，茂睿芯發布氮化鎵合封快充芯片MK2787/MK2788
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域得到了廣泛關注。作為國內領先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發
2021-11-12 11:53:21
迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高是為什么？
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
針對電機控制應用如何選擇寬帶隙器件？
和MOSFET技術也在不斷得到提升。因此，我們應當先思考一下，改用寬帶隙器件是否有意義，什么時候改用寬帶隙器件比較好，然后再決定是選用碳化硅器件還是氮化鎵器件。IGBT其實很好用IGBT在電機控制方面有很多
2023-02-05 15:16:14
集成氮化鎵直驅的高頻準諧振模式反激控制器
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
工商網監
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