雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
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80路串口（230400波特率）同時采集，同時解析，怎么將采集到的字符串解析，目前的思路是一個線程專門讀串口采集將讀取的用連接字符串連接起來存在全局變量里，另一個線程專門解析全局變量。請問大神有沒有
2018-04-30 08:58:45
設計在欠驅動狀態。一般而言，對于功率型MOSFET，10V的驅動電壓是比較推薦的。另外Rds(on)也是Tj的函數，一般可用如下公式進行計算：a是依賴于溝道技術參數，工藝和使用技術定下來，a是常量
2018-07-12 11:34:11
MOSFET及MOSFET驅動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
MOSFET的新一代MOSFET，在給定的硅面積中具有更低電阻率（R DS(on)），以實現更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術將集成電路（IC）和MOSFET相互堆疊（見圖1），以提供能夠供應
2019-07-31 04:45:11
演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermalrunaway）。另外，MOSFET在線性區的壓控電阻
2020-07-06 11:28:15
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡介MOSFET的一些主要參數MOSFET的驅動技術
2021-03-04 06:43:10
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。MOSFET的開關特性一般提供導通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr
2018-11-28 14:29:57
繼上一篇MOSFET的開關特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
` MOSFET作為功率開關管，已經是是開關電源領域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅動器件，其驅動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析
2011-08-17 16:08:07
2個系列相關的技術信息鏈接。要想更深入了解產品，需要確認技術規格的規格值和特性圖表，這一點是很重要的。關鍵要點:?PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻、低柵極總電荷量特征、且
2018-11-28 14:27:08
我看mosfet的技術手冊，有兩個轉移特性曲線，但是不知道這兩個的區別在哪，為什么不一樣？
2015-10-23 20:51:09
mosfet沒有上電時，mosfet驅動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
以及 x86 和 x86-64 上運行。 ASan 的 CPU 開銷約為 2 倍，代碼大小開銷在一半到 2 倍之間，并且內存開銷很大（具體取決于您的分配模式，但約為 2 倍。沒有銀彈？軟件實現
2022-08-18 11:20:01
(和理想化的Fuzz驅動開發流程)可以處理下一層的bug. 有些內存bug可以通過靜態分析發現。基于軟件代碼加固技術使攻擊者發現內存安全問題越來越難。Stack cookies, 不可執行代碼的內存
2022-08-18 11:24:47
，serial.h 和 serial.cpp可以直接移植到產品開發中使用，serial.cpp中open函數是核心，片段代碼如下：zb_msgzb_msg主要是把串口協議進行解析，串口協議設計如下：start
2022-09-27 16:08:06
細說電流隔離低壓差分信號傳輸 （LVDS）接口，涉及到串行數據傳輸的既有接口標準 (TIA/EIA-644)
2020-12-18 06:01:32
好的傳感器的設計是經驗加技術的結晶。一般理解傳感器是將一種物理量經過電路轉換成一種能以另外一種直觀的可表達的物理量的描述。而下文我們將對傳感器的概念、原理特性進行逐一介紹，進而解析傳感器的設計的要點。
2020-08-28 08:04:04
的峰值電壓等于輸入電壓，降低了開關所承受的電壓應力。這種技術需要額外的MOSFET （Q2）和高端驅動器，且需要2個高壓低功率二極管（D3和D4），參見圖2。雙開關正激技術的每個開關周期包含3步：第1步
2022-01-06 06:30:00
也會出現一個與SWITCH同頻率的紋波，一般所說的紋波就是指這個。它與輸出電容的容量和ESR有關系。這個紋波的頻率與開關電源相同，為幾十到幾百KHz。另外，SWITCH一般選用雙極性晶體管或者MOSFET，不管是哪種，在其導通和截止的時候，都會有一個上升時間和下降時間。這時候在電路中就會出現一個與SW
2021-12-30 08:31:11
1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到
2019-03-06 06:30:00
1、rtthread運行libcs??v 庫的使用最近做一個，需要做數據存儲化的。一開始是，使用數據生成的目標文件格式為項目名稱，保存數據文件來為格式存儲，使用 cJSON庫進行數據解析，每個
2022-08-25 15:40:05
NFC的起源NFC技術的工作原理NFC與RFID區別NFC的技術特征NFC的工作應用模式NFC技術主要應用NFC技術在手機上的主要應用
2020-12-18 06:29:05
一文讀懂什么是NEC協議？
2021-10-15 09:22:14
` 本帖最后由 訊飛開放平臺 于 2018-7-2 08:55 編輯
語音識別是十年來發展最快的技術之一，隨著AI的不斷發展，深度學習讓語音識別技術得到了質的飛躍，開始從實驗室走向市場，并逐步
2018-06-28 11:27:08
清晰度或者解決各種各樣的音視頻問題。電子發燒友特意舉辦了這次音視頻技術博客大賽，給大家提供一個分享的平臺。所有涉及音視頻技術的博文，都可以在這里投稿，謝謝參與。本活動旨在建立一個技術交流平臺，鼓勵廣大
2013-11-12 19:50:40
）文章小結（5%） 2.參賽博文格式要求 （1）字數在1500-3000字之內，內容完整，有條理，能提供2到3張清晰的技術圖表， （2）對文、圖、表中的專業英文縮略詞作中文注解 （3）提供100字左右
2013-10-22 00:10:25
了門極信號；如同直通電流一樣，它會影響到該開關電源。這會產生很大的反向恢復dv/dt，有時會擊穿MOSFET Q2。這樣就會導致MOSFET失效，并且當采用的MOSFET體二極管的反向恢復特性較差
2019-09-17 09:05:04
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一
2019-07-08 08:28:02
一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
電子發燒友總結了以“ MOSFET”為主題的精選干貨，今后每天一個主題為一期，希望對各位有所幫助！（點擊標題即可進入頁面下載相關資料）如何讀懂并理解MOSFET的Datasheet ? （中英雙
2019-04-19 17:45:32
的。那么下管導通瞬間，是發生在下管的Rdson從無窮大到很小的過程中的。那么下管突然導通，M點的電壓肯定會被拉低，既然被拉低，必然有一個回路存在。如下圖所示：上期回顧：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（八）
2021-07-09 09:55:28
MOSFET來說，GS內部有一個電容存在的。充滿電后，維持住這個電壓，那么就持續導通了。在充電過程中，是消耗電流和產生功耗的；當充電完成后，電容上是沒有電流的，沒有電流，則沒有損耗。那么，這個時候功耗很低
2021-04-30 09:47:07
個管子的時候，我們也不知道這個管子GS有沒有電，這個管子有可能是導通的，放到電路上去焊接的時候，可能會出現問題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設計的時候，在MOSFET的G和S之間要加一個電阻，這樣
2021-05-10 09:52:22
功率并不小，因為電壓高啊。低壓MOSFET，Rdson小，一般幾mΩ，比如3mΩ，可以做到幾十，甚至100A。下篇文章我們來講一下MOSFET的開通和關斷上期回顧：從無到有，徹底搞懂MOSFET講解（一）
2021-05-07 10:11:03
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-9-1 17:15 編輯
接下來接著看12N50數據手冊。上面這個參數是MOSFET的熱阻，RBJC 表示MOS管結溫到表面的熱阻，這里我們知道
2021-09-01 17:10:32
穩定一些。這也就是為什么過了平臺區之后，管子不怎么震蕩了，這也和上面這幅圖表達的含義有關系的。上面這幅圖相對來說比較關鍵。它是MOSFET工作的一個安全區域。MOSFET選型的合適與否，就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
MOSFET開時米勒平臺的形成過程的詳細解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
新手求教，串口通訊接收內容能收到，但是不能實時被解析，運行時，解析程序沒反應。如果將接收的內容復制到字符串常量中，解析程序有結果，怎么做能實時解析呢？誰能給解答一下.
2019-04-08 20:06:54
。設計挑戰然而，SiC MOSFET 技術可能是一把雙刃劍，在帶來改進的同時，也帶來了設計挑戰。在諸多挑戰中，工程師必須確保：以最優方式驅動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導和開關損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
從IPv4到IPv6組播過渡技術解析
2021-05-27 06:37:15
就小了。假設MOSFET的導通閾值是1V 或者2V，那么一個3.3V的單片機就可以搞定了。那么，我們也知道，高閾值的管子開通的上升沿是很長的，從關斷到完全開通需要t0-t4這個時間。那么低閾值
2021-08-11 16:34:04
結溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過上面公式可以計算一下，表面溫度在25
2021-08-16 11:07:10
光耦PC817中文解析
2012-08-20 14:32:28
扔掉電源線，給自己的智能手機進行無線充電。這對于許多人來說可能有點天方夜譚。但事實上，無線充電技術很快就要進入大規模的商用化，這項此前不為大眾所熟悉的技術，正悄然來到我們的面前。全面解析無線充電技術
2016-07-28 11:13:33
六大汽車安全技術全解析
2012-08-20 13:15:06
Google 擊敗了甲骨文（Oracle），關于 Android 是否屬于 Java API 的技術抄襲的版權糾紛告一段落。Google 與甲骨文在 Android 智能手機系統軟件應用方面
2016-06-07 11:36:18
語句對GPS信號進行解析，最后再將解析后的語句通過串口1傳送給上位機。但是，經多次調試和仿真后發現程序會卡在解析函數nmea_decode_test()函數中，或者說是只要執行到該函數程序就會跑飛，但是一直找不到原因是為什么？急~求大佬指導:(（PS:此處附上整個工程的代碼）
2019-06-03 15:57:28
關于TFT-LCD的三種廣視角技術解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:09:29
關于汽車電子功率MOSFET技術，總結的太棒了
2021-05-14 06:13:01
，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念，是DC-DC轉換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET數據表都包括一組熱電阻數字，以便為客戶提供器件熱性能的參考點。功率MOSFET數據表中提供的最常見的兩種熱電阻是結到環境和結到管殼的熱阻抗。結到管殼的熱電阻定義為“從半導體器件的工作部分到封裝外部
2018-10-18 09:13:03
樣的。（3）由于我們是410c 的平臺我們cd 到device/qcom/msm8916_64下新建一個文件夾叫Tem/ 接著我們把我們需要內置的文佳復制到Tem/中 （4）在device/qcom
2018-09-25 16:51:36
基于嵌入式的遠程測試控制技術解析，不看肯定后悔
2021-05-27 07:02:58
基于泰克MSO64的全新時頻域信號分析技術解析，看完你就懂了
2021-06-17 08:04:35
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
【追蹤嫌犯的利器】定位技術原理解析（4）
2020-05-04 12:20:20
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。1、MOS管種類和結構MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。1、MOS管種類和結構MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
工業互聯網的核心是數據的價值發現問題，但由于歷史原因，“信息孤島”現象在企業內部、企業之間大量存在。標識解析技術是目前可見解決“信息孤島”、完成工業大數據匯聚以及在此基礎上形成信息融合理解的關鍵技術。分析了標識解析在工業互聯網領域應用要解決的幾個關鍵環節，并且給出了進行工業互聯網數據理解的研究思路。
2023-09-19 06:07:17
新型低功耗無線標準ZigBee技術解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:28:11
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優勢，可以突破現有電動汽車電機設計上因器件性能而受到的限制，這是目前國內外電動汽車電機領域研發
2018-11-02 16:25:31
步進電機重要的相關技術解析，步進電機已經滲透入我們生活的方方面面，本文介紹了一些重要的步進電機相關技術，為開發人員基本了解步進電機的工作原理提供了足夠的信息，同時也介紹了用微控制器或數字信號處理器
2021-07-09 06:46:23
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
最近我們在弄一個TTL解析程序我用51做了一個PWM的電機控制，再通過傳感器測速的出來的TTL電平數據讀到51單片機里面。再顯示到12864上面。現在是這個TTL的解析程序沒有壇子里面有沒有同學有這方面的程序呀能不能共享一下，或者在這方面指點一下。謝謝了
2013-08-02 13:01:19
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內某知名公司了解到，一旦國內品牌誰先成功掌握這種技術，那它就會呈暴發式的增加。在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一
2012-12-06 14:32:55
`本書介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類導電溝道槽結構特殊的場效應管，它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關器件。本書深入解讀了MOSFET的關鍵特性和指標，通過圖表讓讀者
2019-03-06 16:20:14
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
`藍牙模塊詳細解析物聯網在智能家居、電子產品等領域全面發展，使近距離通信的無線連接技術越來越多的應用在物聯網新興產品中，為設備提供穩定和低功耗的數據傳輸服務的藍牙模塊更是成為物聯網市場的寵兒，被
2018-06-13 17:24:08
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現電流源。
2018-08-02 08:55:51
`·隨著制造技術的發展和進步，系統設計人員必須跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
嗨嘍，各位工程師們我們今天說點啥呢？無意間發現發現一塊集成MOSFET的Buck電源的Demo板，雖然電路很簡單，但是布局頗有教科書的意味。我們換個思考方向，看看是不是很容易去理解呢？廢話不說，切入正題！在電路設計的時候，這個2A~10A這個范圍內的DCDC一般都采用這種電源解決方案。
2020-11-02 07:40:06
美國ALLEGRO文丘里風機，氣動風機，氣動通風機，文丘里風機應用于：煉油廠、發電廠、造船廠、造紙和紙漿廠、海洋艦船、鋼鐵工業以及人孔（沙井）的通風換氣。文丘里風機特別適用于有毒煙霧
2022-10-18 16:30:36
泛亞電池技術解析
2009-10-30 10:24:45492 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:135530 
《mosfet的應用_mosfet品牌-精華匯總》技術專題包括mosfet品牌、mosfet的應用、mosfet基礎知識（含mosfet工作原理和mosfet參數）、mosfet驅動（含驅動電路
2012-08-10 14:30:46
全面解析多點觸控技術
2017-01-14 12:30:41
15 功率MOSFET在上世紀80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無疑成為了最重要的主角器件。
2021-04-12 17:03:153756 
MOSFET作為功率開關管，已經是開關電源領域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅動器件，其驅動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅動技術，以及在不同的應用，應該采用什么樣的驅動電路。
2023-04-18 09:19:31604 MOSFET數據手冊常見參數解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
2023-06-19 09:53:14759 
功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06552 
鎖相環技術解析（下）
2023-11-29 16:39:56216 
鎖相環技術解析（上）
2023-11-29 16:51:25327 
電子裝聯技術解析
2023-11-23 16:18:10322 
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