功率MOS管的損壞機理介紹
此文主要參考renasus功率二極管應用說明，考慮大部分人比較懶，有針對性的分成幾個部分，第一個部分是介紹，就是本文，以后會把對策
2009-11-21 10:48:58
2894 做開關電源尋找MOS功率管時，對其電流參數不理解，Continuous Drain Current (Package limited)=100A，Continuous Drain Current
2018-01-09 12:08:26
? 1、功率損耗的原理圖和實測圖 一般來說，MOS管開關工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現在“導通狀態”，而關閉狀態的損耗很小幾乎為0，可以
2018-11-09 11:43:12
請較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發生，最近一產品在家里面用從來沒有壞過！但是拿出去用很容易損壞！條件沒什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
本帖最后由 菜鳥到大神 于 2020-5-17 21:24 編輯
MOS管類型MOS管有N溝道型和P溝道型兩種，根據場效應原理的不同又可分為耗盡型和增強型。因此，MOS管可構成P溝道增強型、P
2020-05-17 21:00:02
損耗的限制形成一個工作區域，稱為安全工作區，如下圖所示。安全工作區可以避免管子因結溫過高而損壞。2、器件手冊SOA曲線圖:示波器的測試應用非常簡單，使用電壓、電流探頭正常測試開關管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
產生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產及品質測試中被察覺而排除
2017-08-22 10:31:15
元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產及品質測試中被察覺而排除，影響較少。如果
2017-06-01 15:59:30
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因
2016-07-21 10:55:02
驅動的使用，當然就是用它的開關作用。接下來我們來了解MOS管發熱五大關鍵技術。1、芯片發熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片
2015-12-16 15:53:00
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
MOS管，三極管屬于兩種不同類型管子， 它們的區別在于，MOS管是單極性管子而三極管屬于雙極性管子，這個單極性和雙極性
2012-07-09 17:03:56
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式，N溝道和P溝道都有增強型和耗盡型兩種。耗盡型與增強型的主要區別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時有導電溝道存在，而增強型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
mos管相比于三極管，開關速度快，導通電壓低，電壓驅動簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當設計，哪怕是小功率mos管，也會導致芯片燒壞，原本想著更簡單的，最后變得更加復雜。這幾年來一直做高頻
2018-11-21 14:43:01
大功率電源的PFC電路中，根據MOS管的Qg和導通時間計算柵極驅動電流約5A。按照一般的說法，如果驅動電流設計的太大，會引起電壓過沖和振蕩，除此之外，還會有什么不利后果？會損壞MOS管嗎？根據經驗一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
的正確的選擇方法。 第一步：選用N溝道還是P溝道 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成
2020-07-10 14:54:36
現在用全橋輸出拓撲較多經常看見在每個橋臂的MOS管G極前加一個阻值不大但是功率較大的電阻同時和MOS并聯的還有一個RCD（電阻+二極管+電容）電路現在知道這個RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓側的MOS管
2018-11-14 09:24:34
通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。五、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2019-12-10 17:51:58
今天小編給大家帶來的是步進驅動器MOS管損壞了我們應該怎么去解決，這個mos管在步進驅動器上也還是較重要的，一旦這個som管燒毀了步進驅動器外面的保險絲也會被燒毀，整個設備也會受到影響不能
2017-03-31 14:15:39
正式的產品設計也是不允許的。 1、MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型
2019-02-14 11:35:54
我們在規劃制作電子捕魚器時，有兩種器材是必不可少的，一種是高頻機的功率MOS管，首要用在高頻電子捕魚器中，另一種是低頻電魚機中的三極管，首要用于低頻捕魚器中，這兩種元器材在運用中究竟有些什么區別呢
2019-05-30 00:34:14
大體積和小體積兩種，主要區別在于電流值不同。DFN：體積上，較SOT-23大，但小于TO-252，一般在低壓和30A以下中壓MOS管中有采用，得益于產品體積小，主要應用于DC小功率電流環境中。MOS管
2019-01-11 16:25:46
什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型襯底、p 溝道，靠空穴的流動運送電流的 MOS 管。電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我么就需要
2020-11-16 09:22:50
網上查詢到的MOS管防過壓原理圖，求大神解析原理，跪謝！
2022-10-13 09:37:04
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。1，MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種
2011-11-07 15:56:56
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發熱也會增大，極易損壞MOS,所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面我們先來了解一下MOS管開關的基礎知識。1.MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
mos管的驅動電流如何設計呢
如果已經知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設計驅動管的電流
恒流模式下設置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
三極管選型要看功率結合進行選型，那么MOS管需要結合功率選型嗎？看了很多MOS管選型，就是考慮VDS ，VGS， 等效電阻，損耗，結溫，就是沒有考慮MOS管的功率，請問MOS選型是不是可以自動忽略功率這項參數，我用的是AO3400驅動150mA的電機。有老哥知道不，請解答下。
2020-11-27 22:58:39
號的MOS管，要考慮到其輸入電容這一參數。例如有一款42寸液晶電視的背光高壓板損壞，經過檢查是內部的大功率MOS管損壞，因為無原型號的代換，就選用了一個，電壓、電流、功率均不小于原來的MOS管替換
2019-04-11 12:04:23
式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發展到表面貼裝式封裝。TO-252(又稱之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。``
2019-04-12 11:39:34
來搭建H橋，一般常用的元器件是三極管，MOS管，三極管的電路比較簡單，但有一個問題，CE極導通的時候會有一個0.7V左右的壓降，從而使加到電機上電壓減小，采用MOS管可以很好的解決這個問題，MOS管導
2018-05-23 18:37:13
一個簡單的NPN+P_MOS開關控制，負載是850nm激光二極管，驅動MCU是STC15F2。現在出現mos管容易損壞的情況，本人菜鳥不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點一二
2018-08-29 18:06:20
，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀；過壓
2021-07-05 07:19:31
過程。 比如一個mos最大電流100a，電池電壓96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進入米勒平臺時）mos發熱功率是P=V*I(此時電流已達最大，負載尚未跑起來，所有的功率都降落在MOS管上)，P=96
2020-06-26 13:11:45
時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路： 二、器件發熱損壞 由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因
2018-10-29 14:07:49
功率最大（更粗線表示）。所以一定充電電流下，紅色標注區間總電荷小的管子會很快度過，這樣發熱區間時間就短，總發熱量就低。所以理論上選擇Qgs和Qgd小的mos管能快速度過開關區。導通內阻。Rds
2019-07-26 07:00:00
動作。2、另一種灌流電路灌流電路的另外一種形式，對于某些功率較小的開關電源上采用的MOS管往往采用了圖2-4-A的電路方式。圖2-4-A 圖2-4-B圖中 D為充電二極管，Q為放電三極管（PNP）。工作
2012-08-09 14:45:18
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 編輯
我在工作中遇到的一個案例，客戶端總是燒一個MOS 管的問題。參考附圖！為什么總是損壞MOSFETQ8212？同一片主板上用料五顆，請高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
`逆變器是一種DC-AC的變壓器，將直流電轉變成交流電，它其實與轉化器一樣，是一種電壓逆變的過程。電子設計工程師都知道，逆變器廣泛應用于各種家用電器中，包括電視、空調、冰箱、電腦等，而場效應管在其
2019-08-10 16:05:34
溝道為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管
2018-10-19 10:10:44
（1）為了安全使用MOS管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。 （2）各類型MOS管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守MOS
2020-06-28 16:41:02
正式的產品設計也是不允許的。 下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。 MOSFET管FET的一種（另一種是JEFT），可以
2016-12-26 21:27:50
大，這樣接觸到靜電就有一個充電的過程，產生的電壓較小，引起擊穿的可能較小，再者現在的大功率MOS管在內部的柵極和源極有一個保護的穩壓管DZ（如下圖所示），把靜電嵌位于保護穩壓二極管的穩壓值以下，有效
2018-11-01 15:17:29
` 通常，由于磷酸鐵鋰電池的特性，在應用中需要對其充放電過程進行保護，以免過充過放或過熱，以保證電池安全的工作。短路保護是放電過程中一種極端惡劣的工作條件，本文將介紹功率MOS管在這種工作狀態
2018-12-11 11:42:29
。例如有一款42寸液晶電視的背光高壓板損壞，經過檢查是內部的大功率MOS管損壞，因為無原型號的代換，就選用了一個，電壓、電流、功率均不小于原來的MOS管替換，結果是背光管出現連續的閃爍（啟動困難），最后
2019-02-23 16:23:40
關于怎樣確定MOS管是否會擊穿的問題。在網上有看到大概兩種說法：1.計算雪崩能量然后進行判斷MOS管是否會損壞；2.計算MOS管結溫然后查出對應的擊穿電壓。第一種不知道是要測所有的能量還是只是大于
2018-12-21 10:46:27
而影響后面的各項工作和事宜。立深鑫電子為大家總結出如何正確選取MOS管的四大法則。 法則之一：用N溝道orP溝道 選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中
2018-11-08 14:13:40
的四大法則。 法則之一：用N溝道orP溝道 選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側
2016-01-26 10:30:10
、MOS管電路工做原理：MOS管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件),具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小, MOS管是一種單極型晶體管,它只有一個P-N結,在零偏壓
2019-04-16 11:20:05
第一步：選用N溝道或是P溝道 為規劃挑選正確器材的第一步是決議選用N溝道仍是P溝道MOS管。在典型的功率使用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在
2021-03-15 16:28:22
與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。于是三極管的功率做的挺大，因此兩者組合后即得到了MOS管的優點又獲得了晶體三極管的優點。綜上所述的兩種晶體管，是目前電子設備使用頻率很高
2019-05-02 22:43:32
MOS管相比于三極管，開關速度快，導通電壓低，電壓驅動簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當設計，哪怕是小功率MOS管，也會導致芯片燒壞，原本想著更簡單的，最后變得更加復雜。這幾年來一直做高頻
2018-11-27 14:11:15
哪位大神能幫忙分析下這個電路，安裝電池的過程中MOS管會有20%的損壞。除開靜電的損壞，還有有其他可能沒有呢?
2018-09-11 13:36:23
` 1、MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道
2018-10-18 18:15:23
電流破壞元件絕緣層和導體，使元件不能工作（完全破壞）;（3）因瞬間的電場軟擊穿或電流產生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是
2018-10-22 15:35:34
的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種
2018-12-03 14:43:36
求各位大神推薦幾款MOS管,要求：1.低電壓導通2.中等功率，最大散耗功率5~50W均可3.價格適中，在市面上比較容易能買到NMOS PMOS均可
2017-10-25 14:32:14
Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運行，導致此二極管破壞的模式。第四種：由寄生振蕩導致的破壞此破壞方式在并聯時尤其容易發生在并聯功率MOS FET時未插入柵極電阻而直接連接時發生的柵極
2019-03-13 06:00:00
上面因素。 五、選取耐壓BVDSS 在大多數情況下，因為設計的電子系統輸入電壓是相對固定的，公司選取特定的供應商的一些料號，產品額定電壓也是固定的。 數據表中功率MOS管的擊穿電壓BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
下。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
`` 本帖最后由 王棟春 于 2018-10-19 21:32 編輯
在當今的開關電源設備中,當電源電壓在200v以下時,主開關功率器件一般都使用MOS管。所以深入了解MOS管的內部結構和工作
2018-10-19 16:21:14
` 1、MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
2018-10-26 14:32:12
時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發熱損壞 由超出安全區域弓|起發熱而導致的。發熱的原因
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受過高的di／dt而引起誤導通。為避免上述現象的發生，通常在MOS驅動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯一個電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。 2)防止柵源極間過電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
的MOS管，而不會使用以前的三極管。但是性能再優越，也會出現損壞的情況，那作為廠家來說應該怎么檢測MOS管是否損壞呢？ 電路中，如何判斷MOS管的完好或失效，與單獨鑒別MOS好壞不完全相同，電路中完好
2018-12-27 13:49:40
一些過壓，過流和過載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個驅動板的失效，甚至存在起火的風險。本文提出兩個冗余驅動線路，可以有效避免MOS單點失效的負面影響。圖1：典型的有刷電動工具驅動系統如圖2所示
2022-01-18 07:00:00
`上圖為電路圖。1、2是兩個控制端，連接在一個phoenix ups上面，輸出類型為繼電器輸出，兩種狀態 24V和懸空；這個電路是通過UPs輸出的兩種狀態控制兩個LED燈點亮。1 輸出高時，兩個燈
2019-12-30 10:30:50
萌新求助，求一種簡單的MOS管直流電機驅動電路
2021-10-19 06:49:59
的時候，為了測試實際情況，采用空氣開關，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動的時候，因為柵極平臺電壓時間過長，導致此時電流很大，但是同時Vdc又有110VDC電壓，因此導致MOS管過功率損壞短路。。2
2020-04-26 14:17:30
的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發熱損壞由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
正式的產品設計也是不允許的。下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成
2017-12-05 09:32:00
的，作為正式的產品設計也是不允許的。下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT
2017-08-15 21:05:01
正式的產品設計也是不允許的。 1、MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型
2018-11-27 13:44:26
請問我用一個tlp250可以同時驅動幾個功率MOS管嗎
2017-03-03 16:39:07
，為了測試實際情況，采用空氣開關，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動的時候，因為柵極平臺電壓時間過長，導致此時電流很大，但是同時Vdc又有110VDC電壓，因此導致MOS管過功率損壞短路。。2、還有可能就是
2020-05-20 10:06:20
12V；；；請問各位大佬MOS管的這種損壞屬于什么損壞，是什么導致的，感覺GS有2M應該是沒事的，這個管子以前遇到的損壞都是GS直接短路了，這個現象不一樣
2021-05-25 08:21:12
如何選擇高性能的MOS管呢？ 1.選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側
2019-01-10 11:52:27
關于STM32 GPIO的配置等問題一、GPIO的基本結構圖示二、模式直接上圖：圖表數據解析：三、配置等問題問題一、GPIO的基本結構圖示提示：圖片來自STM32中文參考手冊P176STM32英文
2022-02-28 07:26:08
增加到幾百安培，在這種情況下，功率MOS管容易損壞。 磷酸鐵鋰電池短路保護的難點 （1）短路電流大 在電動車中，磷酸鐵鋰電池的電壓一般為36V或48V，短路電流隨電池的容量、內阻、線路的寄生電感
2018-12-26 14:37:48
其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。 靜電擊穿有兩種
2022-05-14 10:22:39
產品在某一個批次的生產中突然發現20%的DC-DC芯片不通電，并且都表現為下MOS損壞。外圍硬件設計，有什么因素可能導致下MOS管損壞呢？如何去分析對比電源IC批次性差異呢？
2023-01-12 17:01:27
結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效
2013-09-26 14:54:23
92 主要介紹電源中功率MOS損壞分析，為從事此方面的模擬故障診斷工程師提供參考。
2015-10-28 11:07:2315 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發熱損壞、內置二極管破壞、由寄生振蕩導致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。
典型電路：
第二種：器件發熱損壞
由超出安全區域引起發熱而導致的。...
2022-02-11 10:53:295 Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發導通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
管為什么會燒呢？本文將從電路設計、應用環境、管子自身三個方面進行詳細解析和分析。 一、電路設計方面的問題 1、電流過大 功率MOS管的特點之一就是帶有大電流，但過大的電流可能會導致管子過熱而燒毀。因此，電路設計中需要嚴格控制電流值，選擇合適的電
2023-10-29 16:23:501018 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種常見的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。然而，在實際應用中，MOS管可能會因為各種原因而損壞。本文將對MOS管損壞的原因進行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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