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電子發燒友網>電源/新能源>納微半導體下一代GaNFast技術,10分鐘內實現100%充電

納微半導體下一代GaNFast技術,10分鐘內實現100%充電

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納微半導體推出智能GaNFast氮化鎵功率芯片

領導者納微半導體(Navitas Semiconductor)(納斯達克股票代碼:NVTS)宣 布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路, 進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性,同時增加了
2023-02-22 13:48:053

納微半導體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級閃充上市

? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者 — 納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)宣布旗下
2023-02-28 17:57:13823

下一代 NXP 低 VCEsat 晶體管:分立半導體的改進技術-AN11045

下一代 NXP 低 VCEsat 晶體管:分立半導體的改進技術-AN11045
2023-03-03 20:10:470

三星電機宣布下一代半導體封裝基板技術

三星電機是韓國最大的半導體封裝基板公司,將在展會上展示大面積、高多層、超薄型的下一代半導體封裝基板,展示其技術
2023-09-08 11:03:20241

納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用

從三星S22到S23,下一代GaNFast技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布再度
2023-11-03 14:06:31609

意法半導體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

2023年12月15日,中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計,實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:11462

納微半導體下一代GaNFast?氮化鎵技術為三星打造超快“加速充電

加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:04307

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