采用最新一代工藝，提高了電源效率 日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices Storage
2022-04-06 17:36:55
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N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結構
N
2009-09-16 09:41:4323374 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111114 采用超級接面結構設計不僅可克服現有功率MOSFET結構的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
中國上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15665 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸－ ? 中國上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大師 請教個問題本人有臺開關電源600V/3A。整流后經四個大容，四個場效應管組成的對管，后經變壓器，再經整流。開電沒問題。只要工作就燒開關管，大功率場效應管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
自 1980 年代中期以來，MOSFET 一直是大多數開關模式電源 （SMPS）中的首選晶體管技術。MOSFET用作初級開關晶體管，并在用作門控整流器時提高效率。MOSFET 的結構類似于FET。在
2023-02-02 16:26:45
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術◆40V/ 100A[tr]提供優異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
。TB9083FTG這款新產品能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。它非常適合用于滿足ISO 26262功能安全性標準第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
MOSFET，應用于高頻非隔離的DCDC變換器，以提高系統的效率，降低系統的體積。AOS的AON6240就是采用這種技術，電壓40V，Rdson=1.6m，廣泛的應用于通訊模塊電源的副邊同步整流。溝漕和平
2016-10-10 10:58:30
，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念，是DC-DC轉換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
電源，這樣就可以將N溝道同步整流功率MOSFET管放在高端。圖6：次級同步整流管放高端（左）、低端（4）通訊系統48V輸入系統的熱插撥如果是-48V的系統，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道類型，放在
2016-12-07 11:36:11
圖。為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有 不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。圖2是一種N溝道增強型功率場效應管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開發的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
減小RDS(on)的值，就需要找到一種對漂移區進行重摻雜的方法，并大幅減小epi電阻。圖2：平面式MOSFET的電阻性元件通常，高壓的功率MOSFET采用平面型結構，其中，厚的低摻雜的N-的外延層，即
2018-10-17 16:43:26
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設計，配有高端和低端驅動器，可廣泛適用于包括馬達控制、照明、開關電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標準和最終系統要求的推動，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應用電源的外形尺寸且有效解決方案是當下電源設計人
2012-04-28 10:21:32
LT1158上單個輸入引腳的典型應用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驅動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅動IC，提供兩個輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術
2021-11-23 13:57:47
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
具有高脈沖電流緩沖級的設計最小驅動器交叉傳導。漂浮的通道可用于驅動N通道電源高壓側配置的MOSFET或IGBT工作電壓高達600V。特性：欠壓鎖定，電壓高達600V耐負瞬態電壓，dV/dt柵極驅動電源
2021-05-11 19:40:19
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
對漂移區進行重摻雜的方法，并大幅減小epi電阻。圖2：平面式MOSFET的電阻性元件通常，高壓的功率MOSFET采用平面型結構，其中，厚的低摻雜的N-的外延層，即epi層，用來保證具有足夠的擊穿電壓
2017-08-09 17:45:55
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動，驅動電路復雜；P溝道可以直接驅動
2019-04-04 06:30:00
、效率高、成本低的優勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續可調（0～45V） 的小功率穩壓電源設計實例。總體結構與主電路為該電源的總體結構框圖。工作原理如下：基于MOSFET控制的大范圍連續可調(0～45V) 的小功率穩壓電源設計實例2圖1 原理方框圖全橋整流電路將電網
2021-11-12 08:50:12
和注釋會讓你一目了然！負載（Load）的連接方式決定了所選 MOSFET 的類型，這是出于對驅動電壓的考慮。當負載接地時，采用 P 溝道 MOSFET；當負載連接電源電壓時，選擇 N 溝道 MOSFET
2019-11-17 08:00:00
自1980年代中期以來，MOSFET一直是大多數開關電源（SMPS）首選的晶體管技術。當用作門控整流器時，MOSFET是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P
2021-04-09 09:20:10
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS?！ 〉谝徊剑哼x用N溝道還是P溝道 為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地
2011-08-17 14:18:59
耐壓為600V的 COOLMOS，使這一想法得以實現?！ ∨c常規MOSFET結構不同，內建橫向電場的MOSFET嵌入垂直P區將垂直導電區域的N區夾在中間，使MOSFET關斷時，垂直的P與N之間建立橫向
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好還是參閱技術規格的標準值和特性圖表?！緲藴蔛J MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
功率MOSFET的結構和工作原理功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技（EDOM Technology）代理的Qspeed半導體今日宣布推出H系列組件，協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰，同時也提
2009-11-11 10:49:22774 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能
為協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰， Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 600V MOSFET繼續擴展Super Junction FET技術
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 關注點一：功率半導體器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用"超級結"（Super-Junction）結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態電阻幾乎降低了
2010-12-14 12:06:40639 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優化
2011-10-13 09:03:46847 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通
2012-05-03 17:29:421433 日前，東芝開發了提高內置二極管恢復特性的構造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會上展示。據悉，該產品耐壓為600V，縮短了內置二極管反向恢復時間。
2013-05-20 11:40:33885 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導體&存儲產品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）柵極驅動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 功率開關應用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復二極管。MOSFET和恢復二極管對于采用全橋或零電壓開關／相移拓撲的電信和服務器電源、全橋電機控制系統、不間斷電源、和高強度放電鎮流器（HID
2018-04-08 09:18:454823 東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 新產品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463093 電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強型場效應管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中
2022-04-01 09:12:422802 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 如今，市場對于高效率電源的需求日益增漲，在此背景下，東芝拓展了新一代650V超結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676 優越的電氣參數，呈現出最佳效能 強茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32727 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。
2023-06-16 09:03:30228 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
電子發燒友網站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源，展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 （Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應用場景：適用于高效率開關電源、電機驅動器和照明應用等，可用于電源因數校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
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