第一個(gè)電路：二極管型防反接保護(hù)電路 防接反電路

防止接反電路

通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防 反接保護(hù)這種接法簡(jiǎn)單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以汽車 HID 安定器為例，安定器的輸入電流額定值達(dá)到 8A。

第二個(gè)電路：過(guò)壓保護(hù)電路

過(guò)壓保護(hù)電路

過(guò)壓保護(hù) (OVP) 器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受 甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞。器件通過(guò)控制外部串聯(lián)在電源線上的 n 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)。當(dāng) 電壓超過(guò)用戶設(shè)置的過(guò)壓門限時(shí)，拉低 MOSFET 的柵極， MOSFET 關(guān)斷，將負(fù)載與輸入 電源斷開(kāi)。過(guò)壓保護(hù)器件數(shù)據(jù)資料中提供的典型電路可以滿足大多數(shù)應(yīng)用的需求。

第三個(gè)電路：輸出短路保護(hù)電路

輸出短路保護(hù)電路

上電：C2 兩端電壓不能突變， Q2基極電壓由 VCC開(kāi)始下降，下 降到 Q2可以導(dǎo)通（ BE結(jié)壓降取 0.7V），這個(gè)時(shí)間大概是 0.12mS。但 是同時(shí) Q1也在起到阻止 Q2導(dǎo)通的作用，Q1導(dǎo)通的時(shí)間大概是：5.87mS 也就是說(shuō) Q2 在 5.87mS后才會(huì)導(dǎo)通，但是同時(shí) C3在阻止 Q3的導(dǎo)通， 阻止時(shí)間是 0.17mS。Q3在上電 0。17MS后導(dǎo)通，負(fù)載得電， Q3 C極電壓達(dá)到 13.3 左 右，迫使 Q2截至，由此可見(jiàn) Q1可以去掉。短路時(shí)， Q3 C極被拉低， Q2導(dǎo)通，形成自鎖，迫使 Q3截止， Q3 截至后面負(fù)載沒(méi)有電壓， 這時(shí)有沒(méi)有負(fù)載已經(jīng)沒(méi)有關(guān)系了， 所以即使 拿掉負(fù)載也不會(huì)有輸出。要想拿掉負(fù)載后 恢復(fù) 輸出，可以在 Q3得 C E 結(jié)上接一個(gè)電阻，取 1K左右。

第四個(gè)電路：過(guò)流保護(hù)電路

過(guò)流保護(hù)電路

電子保護(hù)電路具有高速斷流、 恢復(fù)容易的特點(diǎn)， 可應(yīng)用于任何直流電路中作過(guò) 流保護(hù)裝置。而采用普通熔絲的保護(hù)電路， 其過(guò)電流反應(yīng)是較遲鈍的， 因而不能 作為靈敏的保護(hù)裝置。

原理：電子保護(hù)電路如附圖所示。當(dāng)微動(dòng)開(kāi)關(guān)Ｋ接通時(shí)， 單向晶閘管ＳＣＲ導(dǎo) 通，直流電路也導(dǎo)通。當(dāng)用電量增大到超過(guò)規(guī)定的允許值時(shí)， 檢測(cè)電阻Ｒ１上的 電壓大于０． ７Ｖ時(shí)，晶體管ＢＧ導(dǎo)通， 此時(shí)晶體管集電極Ｃ和基極ｂ間的電壓 下降到低于scr的維持電壓，SCR關(guān)斷，切斷供電電路。

過(guò)流保護(hù)電路

圖 1 所示為集成運(yùn)算放大器輸出過(guò)流保護(hù)電路，在因某種原因 ( 如輸出短路 等) 使集成運(yùn)放輸出過(guò)流時(shí)，保護(hù)電路即成恒流源，使集成運(yùn)放不至因輸山過(guò)流 而損壞。圖中，場(chǎng)效應(yīng)管 3DJ7按在集成運(yùn)放輸出端，并采用近似恒流源的接法。當(dāng) 電路工作正常時(shí)， 場(chǎng)效應(yīng)管呈現(xiàn)低阻抗， 基本不影響電路的輸出電壓范圍。當(dāng)電 路輸出端短路時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管呈現(xiàn)高阻抗，使電路輸出電流得到了限制。

二極管 D1的作用是，在電能輸出負(fù)電壓時(shí)，與場(chǎng)效應(yīng)管一起構(gòu)成恒流源。D2與 D1相同，則是在電路輸出正電壓時(shí)，與場(chǎng)效應(yīng)管一起構(gòu)成恒流源。場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)取其飽和漏源電流 IDSS略大于集成運(yùn)放輸出電流的管子，因?yàn)?大多數(shù)集成運(yùn)放的輸出電流都不超過(guò)± 10mA，所以可選用如 3DJ6H、3DJ7G等管 子。Idss 不能取得過(guò)大或過(guò)小，如果 Idss 過(guò)大，保護(hù)作用則會(huì)減弱 Idss 過(guò)小， 在集成運(yùn)放輸出電流稍大時(shí)，恒流源阻抗增大，限制了電路的輸出幅度范圍。

第五個(gè)電路：鋰電池保護(hù)電路

鋰電池保護(hù)電路

如圖中所示，該保護(hù)回路由兩個(gè)MOSFET（V1、V2）和一個(gè)控制IC（N1）外加一些阻容元件構(gòu)成?？刂?IC 負(fù)責(zé)監(jiān)測(cè)電池電壓與回路電流， 并控制兩個(gè) MOSFET的柵極，MOSFET 在電路中起開(kāi)關(guān)作用，分別控制著充電回路與放電回路的導(dǎo)通與關(guān)斷， C3 為延時(shí)電容，該 電路具有過(guò)充電保護(hù)、過(guò)放電保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)與短路保護(hù)功能。

編輯：黃飛

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