所有現代硅功率器件都基于溝槽技術，并已取代了平面技術，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設計在性能優勢方面與Si功率MOSFET技術的發展有許多相似之處。采用碳化硅溝槽設計還有一個顯著優勢，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優化潛力。

安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術繼承了G1的高可靠性。基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工業級模塊的DPM（百萬分之一缺陷率）數據顯示，SiC的產品失效率甚至低于Si功率開關這一非常成熟的技術。英飛凌還率先開展了應用壽命測試，如今某些測試已被納入JEDEC標準。CoolSiC 溝槽式MOSFET設計推動了現在和未來在能效方面的可持續競爭力。

基于英飛凌CoolSiC MOSFET，安富利推出3.3KW碳化硅高功率密度雙向PFC電源方案，能夠提升能源轉換效率，為電力系統的穩定運行提供堅實保障。

此安富利自研方案中，離線式DC/AC設計不僅提高了電能的轉換效率，還帶來了靈活性和廣泛適用性。這套全面系統方案采用英飛凌CoolSiC碳化硅，結合了高集成度、高功率密度和高效率的優勢，能夠靈活適應風能和太陽能的不規則供應，適用于電信、服務器SMPS、光伏逆變、儲能、工業用電、充電樁等應用。

新型CoolSiC MOSFET G2溝槽式MOSFET可以將SiC產品性能提升到一個新高度，同時滿足所有常見電源方案的最高質量標準：AC-DC、DC-DC和DC-AC。在光伏逆變器、儲能系統、電動汽車充電、電源、電機驅動等眾多應用中，SiC MOSFET都能提供比Si MOSFET更高的性能。

CoolSiC MOSFET G2產品具有一系列新的魯棒性，可在長期實際運行中達到最佳性能。

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每處理一瓦特電能的能率

功耗是關鍵。探索新型CoolSiC MOSFET G2溝槽技術如何改善AC-DC、DC-DC、DC-AC等電源方案中常用拓撲結構的功率傳輸。與上一代產品相比，MOSFET在硬開關和軟開關運行時的關鍵性能指標都提高了20%以上。此外，快速開關能力（即SiC MOSFET的特征）也提高了30%以上。因此，G2系列在光伏逆變器、儲能裝置、電動汽車充電、UPS等所有運行模式下的功耗都較低。

提高特定外形尺寸下的功率標準

集SiC的優點于一身：外形小巧，功耗低。SiC MOSFET的導通電阻越低，傳導損耗也就越低，從而提高了能效、功率密度并減少了器件數量。CoolSiC G2 MOSFET產品組合降低了SiC MOSFET市場的最低Rdson。采用SMD封裝的同類最佳產品，使TO263-7封裝的耐壓650V和1200V的導通電阻額定值分別達到7 mOhm和8 mOhm。采用.XT改進封裝互連，使器件熱阻更小，輸出功率更大，工作溫度更低。SMD封裝可提供的功率提高了60%以上，提升了功率轉換方案的功率密度標準。

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為使用碳化硅性能設定新標準

650V CoolSiC MOSFET 分立器件G2

適用于硬開關和諧振開關拓撲結構

英飛凌650V CoolSiC MOSFET G2系列可優化大電流和低電容條件下的開關性能，適用于各種工業應用場合，包括服務器、電信設備、電機驅動等。

1200V CoolSiC MOSFET 分立器件G2

在長期實際運行中達到最佳性能

1200V MOSFET G2系列適用于工業和汽車領域，如車載充電器/PFC、輔助逆變器和不間斷電源（UPS）。以三相電源方案為例，與上一代1200V CoolSiC產品相比，根據負載情況，G2系列運行時的功耗降低了5-30%，從而提高了功率傳輸中的每瓦特電能的利用率。

EICEDRIVER?柵極驅動器IC

適合 CoolSiC MOSFET的柵極驅動器IC

集成電氣隔離功能的柵極驅動器IC是CoolSiC MOSFET等650V和1200V超快速開關功率晶閘管的理想驅動方案。這些柵極驅動器具備驅動碳化硅MOSFET所需的最重要的關鍵功能和參數，比如傳播延遲精準匹配、精確的輸入濾波器、寬范圍的輸出側電源、負柵極電壓能力、有源米勒鉗位、擴展的共模瞬態抗擾度（CMTI）能力、退飽和（DESAT）保護以及輸入-輸出電氣隔離。

CoolSiC MOSFET G2功率器件

保證高能效的電源轉換解決方案是實現脫碳目標和無限綠色能源的關鍵。在許多情況下，基于碳化硅的電力電子器件比碳化硅替代品能效更高。為了加快全球清潔能源和能源效率的實施，英飛凌發布了第二代CoolSiC MOSFET。

英飛凌CoolSiC MOSFET 650V G2介紹

熟悉英飛凌的CoolSiC MOSFET 650V G2第二代產品，了解其主要特性、目標應用和優勢，并理解其與其他技術相比的定位。