殘余電壓1、實(shí)際上Δe不完全等于零，那時(shí)的Δe稱為殘余電壓.GPS測高包括機(jī)載GPS測高和浮標(biāo)GPS測高，它利用GPS全天候、覆蓋面廣、重復(fù)性好和差分精度高的特性，以間接或直接的方式測量海平面到橢球面的高度

　　2、該感應(yīng)電壓并不立即下降，而且能保持相當(dāng)長時(shí)間，此電壓稱為殘余電壓。由于殘余電壓的存在，如果電源斷開后，很快又再次合閘，將出現(xiàn)較大的合閘沖擊電流及沖擊轉(zhuǎn)矩，沖擊大小由合閘瞬間電動機(jī)的殘余電壓大小及相位決定

　　3、殘余電壓Ur：當(dāng)電涌保護(hù)器導(dǎo)通時(shí)，其兩端的電壓稱為殘余電壓。其值決定于保護(hù)器的電阻下降時(shí)，在其上通過的電流的大小

　　殘余電壓保護(hù)復(fù)位電路

　　很多產(chǎn)品要求輔助直流輸出，為外部器件或子系統(tǒng)提供電源。如果這些子系統(tǒng)是熱連接的，一定要做好輔助輸出免于短路的相關(guān)措施。采用熔絲的方案并不是最佳的，而且內(nèi)部直流電壓軌電壓下降，很有可能影響到主系統(tǒng)。本文將分享一款利用自動復(fù)位電路來保護(hù)輔助輸出的設(shè)計(jì)。

　　圖解：電路圖

　　如圖所示的電路，提供了脈沖電流將其限制在非常低的成本。它可以處理輸出的瞬間或持續(xù)短路。輸入范圍的影響僅僅是很小的干擾（glitch）（在數(shù)百微秒內(nèi)的幾百毫伏）。U1是施密特觸發(fā)脈沖反相器（74HC14），Q2是開關(guān)，而RSENSE是電流感應(yīng)電阻。對該電路而言，VIN=12 V，并且該電路被設(shè)計(jì)成負(fù)載電流最大為0.6A。

　　在通常條件下（負(fù)載電流小于500mA）Q1關(guān)閉，V1=0 V，V2=0V，C1放電，而V3=5V，Q3、Q2打開，并且VOUT=12V。

　　如果負(fù)載電流上升到大于0.6A，Q1打開，V1增大，而C1在很小的時(shí)間常數(shù)（C1×R1）下通過D1充電。當(dāng)V2增大到大于74HC14的斷路點(diǎn)上限時(shí)，V3下降，并且Q3、Q2關(guān)閉，而負(fù)載電流變?yōu)榱恪Ｈ缓螅琎1關(guān)閉，V1開始下降，而C1在較大的時(shí)間常數(shù)（C1×R2）下放電。在較長的周期（依賴于C1和R2）以后，V2變低，V3的開關(guān)變高，而串聯(lián)的開關(guān)管（Q2）打開。

　　如果持續(xù)短路，該脈沖開關(guān)連續(xù)打開和關(guān)閉。對于高電流的應(yīng)用而言，RSENSE上的功耗成為問題。所以，Q1可以用高端電流傳感器來代替，該傳感器有放大作用（類似Zetex的ZXCT1021），具有適當(dāng)?shù)碾娐犯倪M(jìn)。D2是用于當(dāng)電源被關(guān)閉時(shí)C1放電的保護(hù)二極管。Q2具有足夠的額定電流（4到5A）。設(shè)計(jì)師也可以考慮施密特觸發(fā)器短路點(diǎn)的容差。Q2也可以用P溝道MOSFET來代替，從而具有更低的正向壓降。對更高的電壓（例如24V），MOSFET柵 -源應(yīng)該被保護(hù)：其不可以超過齊納二極管的擊穿電壓。

　　當(dāng)輸出被1Ω電阻短路時(shí)，得到的V2是2到3.2V之間的鋸齒波，其上升時(shí)間是500μs，延遲時(shí)間是1s。輸出電流脈沖的幅度大約是1.5A持續(xù) 500μs，而在輸入幅度的干擾是0.2V持續(xù)500μs。C1可以是一個(gè)較低的值（如0.47μF），以此來減小短路電流的脈沖寬度。