傳統的EMI低通濾波器，如RC濾波器或LC濾波器，將很快達到濾波器的極限值，因此為適應這些新的應用發展趨勢，我們必須開發新一代保護芯片。ECMF新系列保護芯片是以高性能濾波器享譽業界的意法半導體為滿足最新的超高速差分信號濾波和ESD保護要求而專門設計的新一代保護產品。

　　全新的共模濾波器

　　過去，ESD保護或EMI濾波功能以使用RC或LC解決方案為主，例如 LTTC或硅芯片。但是，數據速率更高的總線的問世，以及差分信號傳輸替代并行總線的發展趨勢，自然迫使設計人員提高整個系統的EMC抗干擾性，尋求新的解決方案。毋庸置疑，考慮到LC或RC濾波器是由電感或電阻與接地電容器組成，特別是內在電容效應本身將會影響信號的完整性，這兩類濾波器將無法適應數據總線不斷提高速率的趨勢。因此，只要抑制電容即可避免濾波器出現電容效應;但是這種方法意味喪失濾波器芯片的濾波屬性。當數據速率提高到每秒幾百兆位以上時，這種方法是一個進退維谷的問題。

　　CMF濾波器又稱共模濾波器，是解決這個進退兩難問題的好辦法，不僅支持受最高的數據速率，還是差分信號傳輸技術如USB、HDMI和MIPI的最佳保護方案。

　　保護USB2.0接口的共模濾波器

　　高速USB 2.0接口利用差分信號方法在兩條數據線上傳輸數據，最高傳輸速率達到480 Mbps。差分信號是指信號不以地線為基準電壓，而是一個信號以另一個信號為基準電壓。差分信號在兩條線上傳輸，每條線上的信號相位差180度，這意味著必須使用一個恰當的濾波拓撲，才能正確地濾除無用頻率，同時不會破壞目標差分信號的完整性。

　　新款CMF濾波器讓目標差分信號通過濾波器，但不會破壞差分信號的完整性，同時還能濾除共模信號。共模濾波器的電感特性為差分信號產生最大7 GHz的寬頻帶，同時為共模信號產生小于100 MHz的窄頻帶。

　　一個理想的共模濾波器可有選擇地抑制共模信號，同時放行差分信號，而不會對差分信號有任何影響。

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　　差分模式的電流方向相反，產生的磁場的極性相反，磁場被相互抵消，在這種情況下，經過CMF濾波器的信號沒有遇到任何阻抗，更談不上信號衰減問題。

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　　共模信號的電流向同一個方向流動，在濾波器上產生一個同相磁場，兩個磁場相互疊加。結果，軛流圈對于共模信號是一個很大的阻抗，因此會降低共模信號的完整性。

　　SCC21標準描述了共模衰減的基本特性，如下圖所示:

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　　USB 480 Mbps信號可產生240 MHz基頻。因為該信號本身是方波，我們不難估算出傳送信號所需的帶寬。利用傅利葉級數逼近算法，最后所需帶寬大約是基頻的三倍。因此，差分信號傳輸至少需要720 MHz的帶寬。從SCC21標準的共模濾波圖中不難看出，為了讓三次諧波通過濾波器，部分符合的要求的頻率被濾除。

　　我們對一個內置意法半導體的ECMF濾波器的USB接口進行測試，從USB 480Mb/s的眼狀圖中可以看出，該接口設計100%符合USB高速數據傳輸標準，同時信號衰減度測量值在900MHz時達到30db。

　　這個原理還適用于更高速度的接口，例如，MIPI 或HDMI/MHL接口。

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　　上圖顯示的測試結果與在USB 2.0上所做的測試完全相同，現在，我們在數據傳輸速率更高的接口如HDMI720p上再做一次測試。

　　下圖是一個MIPI接口的諧波測量結果，濾波器放行的MIPI信號的最高頻率800Mhz(200Mhz 時鐘信號的四次諧波) ，同時濾除900Mhz到 2.2Ghz的噪聲。

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　　鑒于共模濾波器支持高達千兆位級(Gb/s)的數據速率，同時可抑制高達千兆赫茲(GHz)的共模噪聲，我們得出結論，共模濾波器是差分信號傳輸技術的最佳濾波解決方案。

　　MIPI和HDMI接口EMI濾波器

　　內置ESD保護功能的濾波器

　　濾除EMI/RFI噪聲很重要，防止ESD損壞甚至損毀內部電路同樣也很重要。顯然，前述的所有接口都安裝在外部端口內，當用戶插入或拔除插頭時，ESD事件很容易損壞這些接口。通常情況下，把CMF濾波器與附加的外部器件如保護型芯片配合使用，可以有效防止主芯片被擊穿，如下圖所示(15kV接觸放電電壓在芯片氧化層產生的熔點)。

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　　意法半導體的新款ECMF濾波器在同一顆芯片上整合了ESD保護電路，如下圖所示：

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　　像意法半導體的ECMF一樣，集成低電容ESD保護電路的共模濾波器能夠為高速數據接口提供完美且安全的ESD防護功能，使最終產品設計達到要求最嚴格的IEC61000-4-2半導體元器件15kV空氣放電和8kV接觸放電標準。

　　濾除和保護功能比較

　　談到ESD保護問題，有一個重要因素需要注意，當施加靜電放電脈沖時，直接連在保護電路后面的被保護芯片不能接受過高的電壓，這個參數被稱為鉗位電壓。

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　　為了評估不同的共模濾波器拓撲，測量ESD保護性能，我們圍繞鉗位電壓值，進行了幾次ESD測試。下面的圖示描述了測試過程。我們使用一支靜電槍對被測器件進行8kV接觸放電測試，同時在CMF濾波器后面連接示波儀捕捉電壓波形變化。

　　這種實驗方法可精確地模擬在一次ESD靜電放電事件后印刷電路板所承受的電壓值。在這些條件下，在8kV靜電放電后，輸出電壓測量值為50V，這是目前最低的鉗位電壓，因此是ECMF當前市場上最安全的CMF濾波器+TVS瞬變電壓抑制解決方案。

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　　為使用共模濾波器獲得最佳的RFI/EMI噪聲衰減度，設計人員必須參考幾個重要參數，其中帶寬是一個至關重要的參數。這個數值是對諧波頻率的估算結果，對應濾波器準許通過的最大信號頻率。傳送1 GHz信號的三次諧波至少需要3-4 GHz的帶寬，這是避免數據完整性被破壞的一個要素。

　　下表是ECMF濾波器與市場上其它品牌濾波器的帶寬比較表。 我們假設帶寬是在SDD21參數的最大衰減度-3db下取得的。

　　濾波器帶寬

　　解決方案1

　　有/無保護器件的LTTC濾波器4Ghz

　　解決方案 2

　　內置變阻器的LTTC濾波器3Ghz

　　解決方案 3

　　內置TVS的硅濾波器3Ghz

　　解決方案 4

　　意法半導體的內置TVS的硅濾波器7Ghz

　　解決方案1和2表明，在一個LTTC結構內增加變阻器，將會提高濾波器固有電容，導致帶寬降低。雖然硅技術可以提升性能，但是，通過比較解決方案3和4，我們發現意法半導體的單片解決的性能優于雙片解決方案(解決方案3)。

　　系統級優化

　　除比較濾波性能外，我們還需比較ESD保護性能。通過測量不同解決方案的鉗位電壓值，設計人員可評估并找出最適合保護整個系統的達到IEC安全要求的技術和拓撲。

　　為了更好地評估比較內置變阻器的LTTC濾波器的性能和在印刷電路板上外接齊納二極管的LTTC濾波器的性能，我們又做了幾項ESD測試。

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　　紅色測量值表示外接齊納二極管的LTTC共模濾波器。在施加一次8kV接觸靜電放電脈沖后，鉗位電壓上升到250V，幾乎是內置TVS保護二極管的硅濾波器解決方案的5倍。

　　藍色測量結果代表內置變阻器的LTTC共模濾波器。因為集成在濾波器內部，寄生電容值被降低，該濾波器的鉗位電壓較紅色測量數值明顯改進。但是，鉗位電壓上還是上升到150V，依然是意法半導體的內置TVS保護二極管的單片共模濾波器的3倍。

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　　便攜應用設計人員最關心的問題是減少元器件的數量，優化印刷電路板的空間和系統成本。在這個方面，集成技術給設計人員帶來多個好處，促使設計人員在設計中選擇共模濾波器，從而推動新的共模濾波器發展。正前文所述，因為集成技術抑制寄生電感，使數據帶寬和衰減度都得到提升，所以，通過在一顆芯片上集成多個功能，共模濾波器的ESD和濾波性能均大幅提升。事實上，保護二極管被集成到濾波器結構內，有助于簡化系統設計，減少印刷電路板上的連接線;因此，沒有寄生電感影響濾波抑制效果和保護性能。

　　從優化電路板空間角度考慮，集成技術是必選技術。內置保護器件的共模濾波器大幅縮減印刷電路板空間，同時減少元器件的數量。下圖是一個外接兩個保護芯片(采用0402封裝的TVS二極管)的雙線LTTC共模濾波器與實現同一功能的意法半導體單片ECMF濾波器的比較圖。

　　基于LTTC濾波器的解決方案在印刷電路板上占用大約4.5mm2的空間，而ESD保護濾波二合一芯片CMF占板僅為2.8mm2，節省印刷電路板空間40%。考慮到元器件的間隙，意法半導體解決的優勢就更加明顯，節省空間超過50%。

　　此外，這個采用意法半導體的CMF濾波器的設計范例還能使元器件數量節省70%。

　　結論

　　這個內置保護芯片的新一代共模濾波器為設計人員帶來多重好處。除特別適合在高速差分信號應用中濾除擾動和抑制噪聲外，新產品還特別適合加強EMC抗干擾性能，大幅度縮減印刷電路板上的元器件數量，最終縮減印刷電路板的面積。