（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:53
3168 
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:581784 SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:261373 、載帶成型機、檢測設備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設備、水處理等第三代半導體專區(qū)第三代半導體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測試
2021-12-07 11:04:24
半導體器件具有導通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點。隨著SiC基半導體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場合下的--寬禁帶半導體材料。近年來隨著電力電子技術在電動汽車、風力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
電導率調制，向漂移層內注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高
2019-08-12 06:59:10
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
了厚實的研發(fā)設計能力，同時還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:15:56
在Tech Web的“基礎知識”里新添加了關于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是
2018-11-29 14:39:47
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
原理,采取靜電接地、穿戴防靜電工作服、使用防靜電臺面、地面、工具及周轉箱、防靜電包裝袋等措施,建立一個完整的靜電防護體系。生產(chǎn)廠還應建立防靜電系統(tǒng)的周期測試和監(jiān)控制度,保證防靜電設施起到有效的防護作用,避免和減少器件在生產(chǎn)過程中的靜電損傷,交付用戶高質量高可靠的產(chǎn)品。
2013-07-03 14:25:06
大陸轉移的歷史浪潮之下，半導體材料進口替代將成為必然趨勢，國內半導體材料研究未來成長空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測試工程師選擇。半導體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉移，中國正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
半導體泵浦固體激光器的種類很多，可以是連續(xù)的、脈沖的、調Q的，以及加倍頻混頻等非線性轉換的。工作物質的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
、635nm、650nm、670nm）。這些器件的特征是：單頻窄線寬、高速率、可調諧、短波長、光電單片集成化等。 大功率半導體激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系統(tǒng)、印刷行業(yè)、生物醫(yī)療等領域
2016-01-14 15:34:44
激光器作為光纖激光器泵源的時候，通過提高單元功率能夠從根本上簡化泵浦系統(tǒng)的結構，和提高泵浦功率水平。隨著光纖激光器和固體激光器對輸出功率要求越來越高，對半導體泵浦源的功率也提出了更高的要求。由于光束質量的限制
2019-05-13 05:50:35
測試半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號來判斷半導體材料的導電類型，是N型還是P型；霍爾效應從本質上講是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉
2020-05-12 13:54:52
的動態(tài)特性: 1、器件在不同溫度的特性 2、短路特性和短路關斷 3.柵極驅動特性 4.關斷時過電壓特性 5.二極管回復特性 6.開關損耗測試等二、測試平臺搭建 泰克推出了IGBT Town功率器件支持
2021-05-20 11:17:57
請問泰克示波器如何使用？
2023-11-01 08:02:32
。深圳市太古半導體有限公司自公司成立以來，以穩(wěn)定的步伐飛速發(fā)展，成為國內電子元器件知名的供應商之一。在研發(fā)-生產(chǎn)-銷售的過程中，整合整個產(chǎn)品鏈上的品質標準及流程，建立一整套品質保證體系。為滿足客戶及時
2015-11-19 12:56:10
美信半導體：美信半導體是全球領先的半導體制造供應商，Maxim的電能計量方案提供全面的SoC器件選擇， 是多芯片方案的高精度、高性價比替代產(chǎn)品。 無與倫比的動態(tài)范圍和獨特的32位可編程測量引擎，使
2011-08-25 10:03:05
DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)西安天光測控DCT1401半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
2022-02-17 07:44:04
額定擊穿電壓器件中的半導體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認為是提高功率轉換器效率的最佳解決方案。 SiC的設計障礙是低水平寄生效應，如果內部和外部
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
的低電感封裝具有出色的開關特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出。” 市場研究機構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場預計在2021年前達到大約
2018-10-23 16:22:24
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
實現(xiàn)了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導體功率元器件領域，實現(xiàn)了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進企業(yè)，能夠提供與柵極驅動器IC相結合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領域取得了巨大的技術領先優(yōu)勢。我們將與
2023-03-29 15:06:13
，2022年由于存貨、庫存保持高位，項目重復建設，產(chǎn)能出現(xiàn)負增長。2023年下半年隨著庫存消耗，產(chǎn)能將出現(xiàn)提升，預計增長6%達到3,400億塊。本土功率半導體廠商迎來發(fā)展新契機以深圳市薩科微半導體
2023-03-17 11:08:33
在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結效應，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電子技術的誕生。從此功率半導體器件的研制及應用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
5-wins+5-PWR+TIVM02+TIVH08+TCP0030A+IGBT town軟件。方案特點1、可靠、可重復地測試IGBT及MOSFET（包括第三代半導體器件SiC、GaN）功率半導體動態(tài)特征。2、測量的特征
2020-02-14 11:16:06
年8月22日 上午10:00講義作者：謝健佳（羅姆半導體設計中心工程師，功率器件專家）報名入口：http://webinar.elecfans.com/399.html參與研討會還將就機會獲得精美禮品！學習知識，與專家在線互動，還贏好禮！快來報名吧！我要報名
2018-07-27 17:20:31
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性？低阻抗功率半導體開關有哪些應用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅動，隔離非隔離驅動杰華特宇力：MCU3PAK :運放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅動還有TI的一些物料 等等需要的各位領導歡迎前來采購、v15375195257（同電話）。
2021-09-06 09:18:29
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅動，隔離非隔離驅動杰華特宇力：MCU3PAK :運放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅動還有TI的一些物料 等等詳情請聯(lián)系***（同wx）
2021-09-06 09:21:21
了厚實的研發(fā)設計能力，同時還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
了厚實的研發(fā)設計能力，同時還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:46:29
測試對測 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時利
2019-10-08 15:41:37
、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等。半導體分立器件制造，指單個的半導體晶體管構成的一個電子元件的制造。制造是設計及封裝測試的中游環(huán)節(jié)，在半導體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會對半導體分立器件
2023-03-10 17:34:31
技術的發(fā)展，同時也使得大功率半導體激光器驅動技術成為大功率半導體激光器在眾多應用領域的核心技術。 本文針對大功率光纖激光器中作為泵浦源的半導體激光器對驅動電源的要求，綜合運用模擬電子技術、數(shù)字控制
2018-08-13 15:39:59
的高性價比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導通電
2020-07-07 11:42:42
供應商正在減少對標準產(chǎn)品的關注，但安森美半導體繼續(xù)投資于汽車級標準分立器件的基本構件模塊，同時擴大針對汽車功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標準的和高性能的分立器件陣容中，最新的擴展包括低正向電壓整流器
2018-10-25 08:53:48
，以支持在整個低、中和高功率范圍的多樣化應用。從用于車載媒體應用到空調的器件，到用于內燃機(ICE)、混合動力和純電動動力系統(tǒng)的高功率方案，安森美半導體正在不斷開發(fā)新產(chǎn)品，以幫助支持和加速汽車技術
2018-10-30 09:06:50
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見表 3.1 所示。2.日本常用半導體器件的型號命名標準 3.美國常用半導體器件的型號命名標準 4.常用的整流二極管型號及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
發(fā)展起來的可處理電能集成的器件或模塊。PEBB 并不是一種特定的半導體器件，它是依照最優(yōu)的電路結構和系統(tǒng)結構設計的不同器件和技術的集成。典型的PEBB 上圖所示。雖然它看起來很像功率半導體模塊，但PEBB
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
反饋模式，無需次級反饋電路，也無需補償電路，加之精準穩(wěn)定的自適應技術，使得系統(tǒng)外圍結構十分簡單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬松的條件下實現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在
2022-02-17 15:42:55
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
`泰科天潤招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責：1.半導體器件設計；2.半導體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進展，包括研究文獻、新設計、新技術、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
如果請您還在為芯片缺貨而擔心如果您還在為買到假貨而擔心如果您還在為原料的缺失而擔心都可以來找我哦本人公司，從事半導體芯片的銷售我們公司主要代理國產(chǎn)品牌一些半導體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明
2021-09-06 09:33:04
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 安森美半導體（ON Semiconductor）是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 吉時利8010型大功率器件測試夾具與2651A以及2657A型大功率系統(tǒng)數(shù)字源表一起完善了功率半導體器件測試解決方案。圖1給出源測量單元（SMU）儀器與8010型夾具的連接圖。在8010型互連參考指南（IRG）中給出詳細的器件測試配置實例。
2020-08-21 13:49:312285 
功率半導體的研發(fā)生產(chǎn) 電裝至今為止為了將SiC功率半導體（二極管、晶體管）應用在車載用途中，一直在進行SiC技術“REVOSIC＊2”的研發(fā)。SiC是一種半導體材料，與以往的Si（硅）相比，在高溫、高電波、高電壓環(huán)境下具備更優(yōu)秀的性能，對減少系統(tǒng)的電力消耗、小
2020-12-21 16:20:263191 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應用場合下極為理想的半導體材料。文章結合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 功率器件如場效應晶體管（MOSFET）和絕緣雙極晶體管［IGBT） ，這些功率器件提供了快速開關速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應用于電源轉換產(chǎn)品的設計。尤其最新第三代半導體SiC和GaN
2021-04-30 11:50:052490 
功率器件動態(tài)參數(shù)測試 功率器件如場效應晶體管和絕緣門雙極晶體管，這些器件提供了快速開關速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應用于電源轉換產(chǎn)品的設計。尤其第三代半導體Sic和GaN的快速發(fā)展
2021-12-07 11:37:24679 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應用和學術研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行。
2023-02-10 14:25:11271 功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達
4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)
2023-02-15 16:11:141 EN-6500A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產(chǎn)的半導體分立器件動態(tài)參數(shù)測試的專用設備，通過使用更換不同的測試工裝可
以對不同封裝的半導體器件進行非破壞性瞬態(tài)測試
2023-02-16 15:38:103 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移
2023-02-16 15:28:254 ME300D-SE是Firstack總結12年IGBT/SiC MOSFET測試經(jīng)驗，并經(jīng)歷了ME100D，ME200D，ME300D三代產(chǎn)品迭代，最新研制推出的功率半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，致力于
2023-06-13 16:39:281522 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 
調查結果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24365 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
半導體動態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對器件進行測試，是確保半導體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動態(tài)測試參數(shù)主要有開關時間、開關損耗、反向恢復電流、開關電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
sic功率半導體上市公司 sic功率半導體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達半導、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:30586 12月14日，第三代半導體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)”稱號。
2023-12-15 10:57:45466
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