美國科銳公司（Cree）開發出了直徑為150mm（6英寸）、晶型結構為4H的n型SiC外延晶圓，適用于制造功率半導體、通信部件及照明部件等。
2012-09-05 10:39:28
1677 
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導體器件中的關鍵作用。
2024-01-08 09:35:41630 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
晶體生長和器件加工技術的額外動力。在20世紀80年代后期，世界各地正在進行大量努力，以提高SiC襯底和六方SiC外延的質量 - 垂直SiC功率器件所需 - 從日本的京都大學和AIST等機構到俄羅斯
2023-02-27 13:48:12
可以通過在SiC功率器件上運行HTGB（高溫柵極偏壓）和HTRB（高溫反向偏壓）應力測試來評估性能。Littelfuse在溫度為175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上進行了壓力測試，具有
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別：內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
柵極偏壓）試驗（+22V、150℃）中，在裝置中未發生故障和特性波動，順利通過1000小時測試。閾值穩定性（柵極正偏壓）SiC上形成的柵極氧化膜界面并非完全沒有陷阱，因此當柵極被長時間施加直流的正偏壓
2018-11-30 11:30:41
。SiC-MOSFET應用實例2：脈沖電源脈沖電源是在短時間內瞬時供電的系統，應用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關，但市場需要更高耐壓更高
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-05-06 09:15:52
和Ag-In瞬態液相鍵合技術進行了研究。 實驗 本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏，采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的封裝襯底。DBC襯底使用了一個夾在兩片0.2032mm銅板之間
2018-09-11 16:12:04
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
車型都會配置高壓快充功能。各車廠將在高壓快充全新賽道上一比高下，與之相匹配的SiC(碳化硅)產業鏈有望駛入產業化快車道。然而，碳化硅還有價格和產品結構二個攔路虎，我們看看與會專家的意見分析。今年9月
2022-12-27 15:05:47
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導體材料，GaO的導熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發工作。系統參與者
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
之間通常還有襯底減薄和芯片分離的工藝過程，而在這個過程中，外延片有可能碎裂、局部殘缺碎裂或局部殘缺，使得實際的芯片分布與儲存在分選機里的數據不符，造成分選困難。從根本上解決芯片測試分選瓶頸問題的關鍵是
2018-08-24 09:47:12
LED芯片外延分析，進行耐壓測試、抗靜電能力測試、芯片外觀形貌觀察（是否存在外延層孔洞）等，綜合判斷芯片外延層質量。 LED失效分析 :LED燈具失效分析,LED光源失效分析,LED芯片失效分析
2020-10-22 09:40:09
LED芯片外延分析，進行耐壓測試、抗靜電能力測試、芯片外觀形貌觀察（是否存在外延層孔洞）等，綜合判斷芯片外延層質量。 LED失效分析 :LED燈具失效分析,LED光源失效分析,LED芯片失效分析
2020-10-22 15:06:06
網絡測試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
網絡測試 NetWork 分析儀
2024-03-14 22:30:52
Verilog設計內外延時
2012-08-15 16:31:14
` 首先萬分感謝羅姆及電子發燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
羅姆這回提供的電路非常豐富，按由主及次的評測思路，我們需要對電路結構有所了解才能合理設計電路實驗，特整理了電路分析的內容。整個評估板提供的主要電路如下，圖中電路主要意思是這樣，評估板提供了由兩個
2020-06-07 15:46:23
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學習評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
管的要高很多。現在的測試中輸入電壓只是48V，最大尖峰也才120多V，對于1200V耐壓的SIC來說是絕對的安全，但是當輸入電壓是400V或者800V時，可能就比較危險了。所以在設計時需要注意尖峰的抑制
2020-06-10 11:04:53
控制器進行編程，使用數字方案控制PWM以驅動SIC MOS實現雙向DC-DC變換器功能。4、使用設備儀器測試樣機的關鍵信號點，并分析數據。預計成果1、雙向DC-DC變換器樣機一臺。2、關鍵信號的波形圖、圖片或視頻。3、相關使用報告3篇以上。我將會分享本項目的開展，實施，結果過程，展示項目結果。
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數如下：SCT3040KL，主要參數如下：后續準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
對比仿真結果，測試SiC功率管的實際工作狀態。本次報告主要是開箱拍的一些圖和介紹對于板子的學習情況。 包裝堅固嚴實的紙箱在海綿中保護的測試板和隨板附帶的安全注意事項 測試板的正面圖背面圖，高壓區域劃分
2020-05-19 16:03:51
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
項目名稱：微電網結構與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發與研究已有10年，目前在進行微電網結構與其控制相關項目，我們擁有兩電平和多電平并網逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
項目名稱：SiC mosfet 測試試用計劃：申請理由：公司開發雙脈沖測試儀對接觸到Sic相關的資料。想通過此次試用進一步了解相關性能。試用計劃：1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設備測試Sic器件相關參數。3、編寫測試報告。
2020-04-21 15:54:54
光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。在生長成外延片后，下一步就開始對LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用激光機或鉆石刀切割LED外延片
2015-03-11 17:08:06
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關速度還可能導致電壓過沖。滿足高電壓應用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰。自從16多年前第一款SiC二極管問市以來，這一技術已經日益成熟，質量/可靠性測試和現場測試
2018-10-29 08:51:19
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
。但現實中，大型ASIC和SoC設計常常需要使用很多片SRAM，簡單采用這種MBIST方法會生成很多塊MBIST控制邏輯，從而增大芯片面積，增加芯片功耗，甚至加長芯片測試時間。
2019-10-25 06:28:55
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀，關于測試儀的機構和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
的局部功耗分布，最終會導致局部溫度增高。金鑒顯微紅外熱點定位測試系統利用熱點鎖定技術，可準確而高效地確定這些關注區域的位置。在SiC Mos等功率器件分析中，可用來確定線路短路、ESD擊穿、氧化傷害等。該測試技術是在自然周圍環境下執行的，無需液氮制冷和遮光箱。金鑒顯微紅外熱點定位測試系統
2018-11-02 16:25:31
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。其溝槽星結構的優勢如下（圖片來源網絡）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結構可最大限度地發揮SiC的特性。相比GAN, 它的應用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
了。 固有優勢加上最新進展 碳化硅的固有優勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優良的導通電阻/片芯面積和開關損耗、快速開關等。最近，UnitedSiC采用常關型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經
2023-02-27 14:28:47
專案執行分為三個主要階段：規范和用例定義，技術開發，原型展示研發。WINSIC4AP項目中的SIC技術制造SiC元件需要使用專用生產線，系因半導體的物理特性（摻雜劑的極低擴散性和晶格的復雜性），以及
2019-06-27 04:20:26
各位大神，目前國內賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
NPN 硅外延三極管型號
2009-11-12 14:28:41
21 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技
2010-12-21 16:39:290 硅單晶外延層的質量檢測與分析
表征外延層片質量的主要參數是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數載流子壽命
2009-03-09 13:55:402682 
外延型二極管 用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度
2009-11-07 08:43:34686 LED外延片代工廠走勢分析
延續2009年第2季半導體產業景氣自谷底彈升，包括臺積電、聯電、特許半導體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計營收達43。3
2009-11-27 11:02:14720 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266539 外延片的生產制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張 外延片 隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。 半導體制造
2011-09-22 16:38:321188 本內容介紹了LED外延片基礎知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 為精確估算高頻工作狀態下SiC MOSFET的開關損耗及分析寄生參數對其開關特性的影響，提出了一種基于SiC MOSFET的精準分析模型。該模型考慮了寄生電感、SiC MOSFET非線性結電容
2018-03-13 15:58:3813 雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現多片4H－SiC襯底的同質外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉的大型基座上，這導致基座的直徑隨著數量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關重要，它直接決定了后續器件的比導通電阻，阻斷電壓等重要的電學參數。
2022-04-11 13:44:444805 在提高 SiC 功率器件性能方面發揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時往往表現出更好的性能;為了獲得更高的性能，該器件需要在低電阻率的 p 型襯底上外延生長。
2022-10-27 09:35:004070 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5210250 國產之光希科半導體： 引領SiC外延片量產新時代 希科半導體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發布 暨投產啟動儀式圓滿成功 中國蘇州，2022年11月23日——希科半導體科技（蘇州）有限公司
2022-11-29 18:06:051769 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:353012 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產業、高壓輸配線和智能電站
2023-02-16 10:50:096936 上周收到了羅姆的評估板，初步分析看了下需要做的技術準備工作較多，同時也需要自己設計方案，需要的時間較多。所以先寫一個測試計劃。
2023-02-27 10:27:01505 
驅動芯片，需要考慮如下幾個方面： 驅動電平與驅動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關場合，其面對的由于寄生參數所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:0479 希科半導體的外延片產品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）電力電子器件。公司創始核心團隊擁有15年以上的規模量產經驗，憑借業內最先進的高品質量產工藝和最先進的測試設備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導電型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:00638 
外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092827 
SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優點，是生長用于制造器件的SiC 外延膜的最常用的方法。
2023-06-19 09:35:52644 
電路基礎知識。芯片測試涉及到電子電路的測量和分析，因此需要具備扎實的電路基礎知識，包括電子元器件、電路分析方法等。
2023-07-23 10:02:34506 碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341002 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進入 晶圓制造環節生產半導體器件，也 可以經過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:394 SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現。
2023-12-15 09:45:53607 
4H-SiC概述（生長、特性、應用）、Bulk及外延層缺陷、光致發光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03486 
近日，華大半導體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導體外延十強企業”稱號，其生產的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產品獎”。這一榮譽充分體現了中電化合物在第三代半導體外延領域的卓越實力和領先地位。
2024-01-04 15:02:23523 。以下是設計SiC逆變器的一般流程： 需求分析：首先需要明確SiC逆變器的應用需求，包括輸入電壓范圍、輸出電壓頻率、功率等級、工作溫度范圍等。這些需求將決定SiC逆變器的基本參數和性能指標。 拓撲結構設計：根據需求分析，選擇合適的
2024-01-10 14:42:56190
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