高速H橋上管驅動電路

上例方案的速度瓶頸為光耦，如果不采用光耦那么控制信號的頻率可以提高很多。通過試驗，我們開發了如下的高速型H橋上管驅動電路。方案如圖9所示。

圖中上管控制信號高電平為+l2 V，低電平為0 V。控制信號通過電阻電容和二極管電路加到Q1的基極，Q1的集電極輸出作為

圖9 高速H橋上管驅動電路
Fig．9 High Speed H-bddge Highside Driving
Q2，Q3組成的差動驅動電路控制信號，差動電路的輸出作為Ml的驅動信號。Q2，Q3組成的差動驅動電路上端Q2接 +l2 V電源，下端Q3接到Ml的s極。當上管控制信號為低電平時，Q2導通，Q3截止，Ml的G極約為 D+l2 V，使Ml可順利導通。Ml導通后，其D極和s極之間為通路，幾乎沒有壓降，此時s極也為l，DD，則Ml的G和s之間的壓差為l2 V，滿足MOS管的導通條件，Ml可維持導通狀態。當上管控制信號變為高電平時，Q2截止，Q3導通，使Ml的G和s極之間壓差很小，不能滿足MOS管的導通條件，則Ml截止。需要指出的是，當Q2導通M1尚未導通的瞬間，Ml的G和s間壓差為l，DD+l2 V，但由于MOS管的開啟時間極短(幾十US)，Q2導通時，Ml幾乎同時開啟，使MJ的G和s之問的壓差保證為12V(如圖10)。

高速H橋上管驅動信號畸變
Fig．10 Signal Transmogrification of High Speed H-bddge

圖9所示的上管驅動電路有很強的驅動能力，并具有很高的極限頻率，使用這個驅動電路來驅動MOS管，能使MOS管的控制信號在較高的頻率(20 k以上)下不失真。