結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）電壓表

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-09-28 17:10:46

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一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 09:31:04

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NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-07-07 18:41:52

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 14:57:19

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。

2023-05-17 15:15:37

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。

2023-05-16 15:20:04

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫(xiě)為FET。

2023-05-16 15:02:23

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NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-03-17 19:50:16

場(chǎng)效應(yīng)管的分類

材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)

2009-04-25 15:38:10

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開(kāi)關(guān)電路的各種電子電路中。

2023-02-09 15:11:30

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路，場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點(diǎn)分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。

2022-11-30 09:30:00

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8.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.1夾斷電壓8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS

2022-02-16 09:43:48

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2022-01-23 10:53:16

N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管LT10N02SI資料說(shuō)明

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2022-01-23 10:25:44

AOD4185/A014185P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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2021-09-29 18:06:10

60V互補(bǔ)增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管AO4612數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2021-08-23 17:03:14

淺談結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 的特性

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道由 N 型半導(dǎo)體或 P 型半導(dǎo)體材料組成，柵極由相反的半導(dǎo)體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質(zhì)，其中通過(guò)溝道的電流以電子的形式為負(fù)。P 溝道摻雜受主雜質(zhì)，其中電流以空穴的形式流動(dòng)

2021-06-14 03:42:00

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用的PDF電子書(shū)免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用的PDF電子書(shū)免費(fèi)下載。

2021-03-24 14:20:12

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用。

2021-03-19 16:11:17

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類說(shuō)明

場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導(dǎo)體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2020-09-18 14:08:44

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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n結(jié)柵極（G）與源極（S）和漏極（D）構(gòu)成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過(guò)電壓改變溝道的導(dǎo)電性來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的控制。

2020-08-07 17:15:33

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NE3512S02異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

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2020-07-22 08:00:00

如何進(jìn)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類和使用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

2020-07-02 17:19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)單介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)

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2019-10-11 10:51:09

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)_功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的參數(shù)

MOSFET的類型很多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。

2019-10-11 10:33:29

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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作特性

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2019-10-11 10:26:31

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