JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3509 DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00490 
檢測(cè)、各種工程機(jī)械傾角測(cè)量等行業(yè)中的推廣和應(yīng)用，要求傾角傳感器采集到的大量數(shù)據(jù)能夠在各種惡劣的工業(yè)控制環(huán)境和現(xiàn)場(chǎng)中得到有效的、完整的保存。海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的使用解決了我們對(duì)大容量采集數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)；內(nèi)置
2012-11-20 14:00:52
描述此參考設(shè)計(jì)展示了適用于 DDR3 和 DDR4 存儲(chǔ)器的通用電源解決方案。同步降壓轉(zhuǎn)換器為 DDR3L 配置中的 9A 負(fù)載提供 1.35V 輸出電壓。線(xiàn)性穩(wěn)壓器提供為 2A 負(fù)載提供
2018-12-24 15:08:56
DDR31.DDR3概述DDR3內(nèi)存控制器主要用于以JESD79-3C標(biāo)準(zhǔn)做SDRAM設(shè)備的外部存儲(chǔ)接口。支持的內(nèi)存類(lèi)型有DDR1 SDRAM,SDRSDRAM, SBSRAM。DDR3內(nèi)存控制器
2018-01-18 22:04:33
使用LatticeECP3 I/O協(xié)議板來(lái)實(shí)現(xiàn)并通過(guò)全部測(cè)試。圖2展示了一個(gè)存儲(chǔ)器控制器的框圖。圖最上面的配置接口用于設(shè)置設(shè)計(jì)的各個(gè)選項(xiàng)。DDR3 I/O模塊使用I/O 基元來(lái)實(shí)現(xiàn)。指令譯碼模塊根據(jù)每個(gè)bank
2019-05-24 05:00:34
DDR3存儲(chǔ)器接口控制器是什么？有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-04-30 06:57:16
的完整性。 3仿真分析 對(duì)DDR3進(jìn)行仿真分析是以結(jié)合項(xiàng)目進(jìn)行具體說(shuō)明：選用PowerPC 64位雙核CPU模塊，該模塊采用Micron公司的MT41J256M16HA—125IT為存儲(chǔ)器
2014-12-15 14:17:46
轉(zhuǎn)載DDR3內(nèi)存詳解，存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)+時(shí)序+初始化過(guò)程2017-06-17 16:10:33a_chinese_man閱讀數(shù) 23423更多分類(lèi)專(zhuān)欄：硬件開(kāi)發(fā)基礎(chǔ)轉(zhuǎn)自：首先，我們先了解一下內(nèi)存的大體結(jié)構(gòu)工作流程，這樣會(huì)比較容量理解這些參數(shù)在其...
2021-07-27 07:10:34
存儲(chǔ)器包括寄存器，只針對(duì)單片機(jī)而言嗎？對(duì)于別的比如計(jì)算機(jī)就不是了，對(duì)嗎？存儲(chǔ)器是CPU外的，寄存器是CPU的
2019-01-14 16:52:13
藍(lán)橋杯STC基礎(chǔ)代碼上一章-藍(lán)橋杯STC基礎(chǔ)代碼-溫度傳感器EEPROM和數(shù)模轉(zhuǎn)換簡(jiǎn)介EEPROMEEPROM芯片地址EEPROM操作流程EEPROM操作代碼數(shù)模轉(zhuǎn)換簡(jiǎn)介PCF8591操作流程
2022-02-18 07:17:11
自集成電路出現(xiàn)以來(lái)，IC溫度傳感器一直是設(shè)備設(shè)計(jì)的一部分。設(shè)計(jì)人員想盡辦法減少溫度對(duì)芯片系統(tǒng)的影響，集成溫度傳感器已可輕松解決-55至200?C溫度范圍內(nèi)的大部分問(wèn)題，而最新一代的溫度傳感器可以在0.76mm2的封裝內(nèi)達(dá)到±0.4?C的精度。
2020-08-19 07:28:38
什么是溫度傳感器？溫度傳感器工作原理是什么？地面溫度傳感器故障問(wèn)題
2021-03-17 06:14:46
技術(shù)的支持下，本世紀(jì)相繼開(kāi)發(fā)了半導(dǎo)體熱電偶傳感器、PN結(jié)溫度傳感器和集成溫度傳感器。與之相應(yīng)，根據(jù)波與物質(zhì)的相互作用規(guī)律，相繼開(kāi)發(fā)了聲學(xué)溫度傳感器、紅外傳感器和微波傳感器。
2019-10-28 07:10:28
針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2012-12-29 19:12:39
PN結(jié)集成溫度傳感器是利用晶體管在不同的溫度下有不同的電流密度差來(lái)工作的。它的輸出形式可分為電壓型和電流型兩種，其中電壓型的靈敏度一般為10mV/℃，電流型的靈敏度為1μA/℃。它還具有絕對(duì)零度
2020-03-06 08:14:55
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
`直播鏈接：http://t.elecfans.com/live/574.html直播內(nèi)容及亮點(diǎn)：詳解DDR高速存儲(chǔ)器模塊的布局布線(xiàn)的設(shè)計(jì)思路，從原理圖分析到PCB布局布線(xiàn)，從一片到兩片、四片DDR
2018-10-10 11:49:20
IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出首款針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤(pán)和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動(dòng)及嵌入式
2018-11-14 15:13:03
的等待時(shí)間。 共享存儲(chǔ)器效率 —— 為進(jìn)一步提高共享存儲(chǔ)器的執(zhí)行效率，在 CorePac 內(nèi)置了擴(kuò)展存儲(chǔ)器控制器 (XMC)。對(duì)共享內(nèi)部存儲(chǔ)器 (SL2/SL3) 和外部存儲(chǔ)器 (DDR3 SRAM
2011-08-13 15:45:42
Maxim推出帶有非易失存儲(chǔ)器(EEPROM)的±0.5°C精度數(shù)字溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時(shí)能夠運(yùn)行用戶(hù)設(shè)定的配置和溫度調(diào)節(jié)門(mén)限。 DS7505
2018-10-30 15:56:34
Micronas公司近日宣布推出HAL 28xy系列霍爾效應(yīng)傳感器，專(zhuān)為對(duì)精度、靈敏度及低成本有要求的汽車(chē)和機(jī)電應(yīng)用而優(yōu)化。HAL 28xy是首款集成了微控制器、溫度傳感器、先進(jìn)的片上補(bǔ)償以及
2018-10-29 15:11:02
供256 字節(jié)的EEPROM。該芯片典型應(yīng)用一般安裝在一個(gè)雙列直插式內(nèi)存模塊（DIMM）上測(cè)量DRAM溫度，符合新的JEDEC（JC-42.4）規(guī)范（手機(jī)平臺(tái)內(nèi)存模塊溫度傳感器的組件規(guī)范），也可以代替串行
2021-05-19 06:06:55
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
＆amp; 14用于DDR3內(nèi)存接口，但由于我使用的是3.3V的fash存儲(chǔ)器IC，我必須使用bank 14進(jìn)行閃存存儲(chǔ)器接口。原因是需要的資源僅在Bank 14中可用.DDR3存儲(chǔ)器連接的bank應(yīng)該工作在
2020-04-17 07:54:29
集成溫度傳感器的產(chǎn)品分類(lèi)及典型產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)1.2.2 其他各種集成化智能傳感器的產(chǎn)品分類(lèi)及典型產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)1.3 集成傳感信號(hào)的調(diào)理器及處理器的性能特點(diǎn)1.3.1 集成傳感器信號(hào)調(diào)理器的特點(diǎn)及典型
2008-07-18 00:16:39
串行EEPROM存儲(chǔ)器及應(yīng)用
2017-02-05 13:47:29
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
的 DDR3/DDR3L 設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的布局不需要 VTT 終端兩個(gè) 4 Gbit DDR3/DDR3L 存儲(chǔ)器高達(dá) 400 MHz 的時(shí)鐘（DDR-800 數(shù)據(jù)速率）完整的子系統(tǒng)參考，具有原理圖、BOM、設(shè)計(jì)文件和硬件用戶(hù)指南，在專(zhuān)為測(cè)試和驗(yàn)證而開(kāi)發(fā)的完全組裝的板上實(shí)施。`
2015-04-03 17:14:40
的 DDR3/DDR3L 設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的布局不需要 VTT 終端兩個(gè) 4 Gbit DDR3/DDR3L 存儲(chǔ)器高達(dá) 400 MHz 的時(shí)鐘（DDR-800 數(shù)據(jù)速率）完整的子系統(tǒng)參考，具有原理圖、BOM、設(shè)計(jì)文件和硬件用戶(hù)指南，在專(zhuān)為測(cè)試和驗(yàn)證而開(kāi)發(fā)的完全組裝的板上實(shí)施。
2018-09-26 08:53:27
關(guān)于DDR3的時(shí)序（Altera的外部存儲(chǔ)器接口手冊(cè)）?1. 關(guān)于突發(fā)地址的對(duì)齊（Burst-Aligned Address），是指突發(fā)時(shí)加載的地址，與突發(fā)長(zhǎng)度之間，正好符合對(duì)齊關(guān)系。即當(dāng)前地址
2018-03-16 10:46:27
DS1612 DS1612是美國(guó)達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的CMOS 數(shù)字式溫度傳感器。內(nèi)含兩個(gè)不揮發(fā)性存儲(chǔ)器，可以在存儲(chǔ)器中任意的設(shè)定上限和下限溫度值進(jìn)行恒溫器的溫度控制，由于這些存儲(chǔ)器具有不揮發(fā)性
2018-11-15 16:56:42
在某些傳感器模塊中，采集的數(shù)據(jù)是以什么形式存儲(chǔ)在傳感器當(dāng)中的？
2023-10-23 08:14:37
收購(gòu)公司.東莞樟木頭存儲(chǔ)器IC收購(gòu)公司.煙臺(tái)三極管收購(gòu)公司.蕪湖字庫(kù)收購(gòu)公司.深圳龍崗集成電路收購(gòu)公司.回收東莞高埗電子元件.回收珠海內(nèi)存.回收金華內(nèi)存芯片回收恩智浦芯片.收購(gòu)光敏傳感器.羅姆芯片回收
2020-09-14 09:42:18
使用LatticeECP3 I/O協(xié)議板來(lái)實(shí)現(xiàn)并通過(guò)全部測(cè)試。圖2展示了一個(gè)存儲(chǔ)器控制器的框圖。圖最上面的配置接口用于設(shè)置設(shè)計(jì)的各個(gè)選項(xiàng)。DDR3 I/O模塊使用I/O 基元來(lái)實(shí)現(xiàn)。指令譯碼模塊根據(jù)每個(gè)bank
2019-05-27 05:00:02
描述用 Arduino 設(shè)計(jì)我自己的 EEPROM 外部存儲(chǔ)器 PROGRAMMER / RECORDER | 24LC256讀/寫(xiě)
2022-07-26 06:59:44
［２－４］。DDR SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，其采用雙倍速率存取，數(shù)據(jù)在工作時(shí)鐘的上升沿和下降沿采樣，有效提升了存儲(chǔ)速率。DDR SDRAM系列存儲(chǔ)設(shè)備經(jīng)歷了DDR、DDR2和DDR3幾個(gè)階段
2018-08-02 09:34:58
優(yōu)仲裁模塊、讀寫(xiě)邏輯控制模塊和DDR3存儲(chǔ)器控制模塊。DDR3存儲(chǔ)控制器模塊采用Xilinx公司的MIG核，用戶(hù)只需要通過(guò)IP核的GUI選擇內(nèi)存芯片并進(jìn)行相關(guān)參數(shù)設(shè)置，即可完成DDR3的配置工作[6
2018-08-02 09:32:45
作者：吳連慧，周建江，夏偉杰摘要：為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個(gè)端口訪(fǎng)問(wèn)DDR3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)沖突，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲(chǔ)管理系統(tǒng)。DDR3存儲(chǔ)器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器
2018-08-02 11:23:24
Xilinx Virtex-6系列FPGA中使用MIG3.7 IP核實(shí)現(xiàn)高速率DDR3芯片控制的設(shè)計(jì)思想和設(shè)計(jì)方案。針對(duì)高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理中大容量采樣數(shù)據(jù)通過(guò)DDR3存儲(chǔ)和讀取的應(yīng)用背景，設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了
2018-08-30 09:59:01
選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無(wú)法滿(mǎn)足存儲(chǔ)需求，因此需要配置外部存儲(chǔ)器。與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿(mǎn)足
2019-06-24 06:07:53
基于NTC的環(huán)境溫度監(jiān)測(cè) （另外提供NTC溫度傳感器）基本要求：1）段式LCD顯示 或 12864液晶顯示；2）保存 溫度值到信息存儲(chǔ)器發(fā)揮部分：1）保存當(dāng)前時(shí)刻的溫度值到信息存儲(chǔ)器；3）按鍵查尋 保存在信息存儲(chǔ)器 的溫度值；求問(wèn)該怎么做？求代碼，6638是不是沒(méi)有ntc溫度傳感器
2016-05-30 15:16:34
DDR3存儲(chǔ)器控制器面臨的挑戰(zhàn)有哪些？如何用一個(gè)特定的FPGA系列LatticeECP3實(shí)現(xiàn)DDR3存儲(chǔ)器控制器。
2021-04-30 07:26:55
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
的工作時(shí)鐘頻率。然而，設(shè)計(jì)至DDR3的接口也變得更具挑戰(zhàn)性。在FPGA中實(shí)現(xiàn)高速、高效率的DDR3控制器是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。直到最近，只有少數(shù)高端（昂貴）的FPGA有支持與高速的DDR3存儲(chǔ)器可靠接口的塊
2019-08-09 07:42:01
IAM即將完成PSOC3（我的第一個(gè)主要項(xiàng)目）的創(chuàng)建者項(xiàng)目，并希望在發(fā)布之前使用一些閃存保護(hù)。在TRM或某個(gè)地方，閃存保護(hù)不能用于保存SPC數(shù)據(jù)（如EEPROM存儲(chǔ)器）的字節(jié)。我的問(wèn)題是：如何識(shí)別
2019-06-18 09:14:56
影響存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
。 與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品和JEDEC JC42.4標(biāo)準(zhǔn)相比，STTS424傳感器將工作電流降低了50%。 集成式產(chǎn)品STTS424E02可以替代現(xiàn)有內(nèi)存模塊的2Kbit SPD EEPROM存儲(chǔ)器，而且增加了
2018-11-26 16:15:50
數(shù)字溫度傳感器采用了數(shù)字信號(hào)輸出的技術(shù)，這種溫度傳感器采用3芯帶屏蔽導(dǎo)線(xiàn)，使得溫度信號(hào)更加不易***擾，解決了溫度測(cè)量的導(dǎo)線(xiàn)延長(zhǎng)和抗干擾問(wèn)題。
2019-10-23 09:10:09
作者：Robert Taylor1德州儀器雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱(chēng)；它通?？s寫(xiě)為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖
2018-09-18 14:11:40
目前有一個(gè)項(xiàng)目需要使用DDR3作為顯示緩存，VGA作為顯示器，F(xiàn)PGA作為主控器，來(lái)刷圖片到VGA上。VGA部分已經(jīng)完成，唯獨(dú)這個(gè)DDR3以前沒(méi)有使用過(guò)，時(shí)序又比較復(fù)雜，所以短時(shí)間內(nèi)難以完成，希望做過(guò)DDR3控制器的大神指點(diǎn)一二。急求！?。?！
2015-11-16 09:18:59
請(qǐng)問(wèn)AD9361正常工作需要DDR3嗎，需要外部存儲(chǔ)器嗎？
2018-10-26 09:29:50
大家好， 我正在使用通過(guò)I2C總線(xiàn)連接到飛思卡爾M0微控制器的M24SR存儲(chǔ)器。 鑒于固件的可用空間非常小，我在集成ST庫(kù)以讀取和寫(xiě)入對(duì)NDEF文件的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)遇到了問(wèn)題。 所以，我想知道是否可以在
2019-08-02 14:41:04
請(qǐng)問(wèn)一下與EEPROM存儲(chǔ)器相關(guān)的寄存器有哪些？分別有什么作用？
2021-07-08 06:55:19
ATtiny2313 EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器是什么
2020-11-11 06:20:22
我想問(wèn)一下，單片機(jī)中為什么一般要集成flash和eeprom兩種存儲(chǔ)器啊，光用其中一種不可以嗎？請(qǐng)大家指教!
2019-10-11 08:42:57
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
完整的 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲(chǔ)器電源解決方案、用于嵌入式計(jì)算的同步降壓控制器 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR
2022-12-20 15:03:49
SE97是一款支持I2C-bus/SMBus總線(xiàn)內(nèi)部集成EEPROM的溫度傳感器，典型用于內(nèi)存模塊溫度檢測(cè)
2010-03-09 16:21:37
14 不只計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)一直需要更大、更快、功率更低、物理尺寸更小的存儲(chǔ)器，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用也有類(lèi)似的要求。本應(yīng)用指南介紹了邏輯分析儀在檢驗(yàn)DDR, DDR2 和DDR3 SDRAM 命令和
2010-08-06 08:29:4979 MAX6604 精密的溫度監(jiān)測(cè)器，用于DDR存儲(chǔ)器模塊
MAX6604 概述
高精度溫度監(jiān)視器MAX6604設(shè)計(jì)為監(jiān)視DDR存儲(chǔ)器模塊的溫度。
2008-12-08 15:33:30982 
MAX6604 精密的溫度監(jiān)測(cè)器，用于DDR存儲(chǔ)器模塊
MAX6604 概述
高精度溫度監(jiān)視器MAX6604設(shè)計(jì)為監(jiān)視DDR存儲(chǔ)器模塊的溫度。
2008-12-08 15:33:311053 
IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT公司推出首款針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤(pán)和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:32646 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
新器件可提高企業(yè)、移動(dòng)及嵌入式計(jì)算系統(tǒng)的可靠性、性能和電源效率
IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出首款
2010-01-27 08:34:25801 用中檔FPGA實(shí)現(xiàn)高速DDR3存儲(chǔ)器控制器
引言
由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加，因此針對(duì)更高的速度和性能，設(shè)計(jì)人員對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率（D
2010-01-27 11:25:19879 
DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過(guò)去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，使用一
2010-07-16 10:46:051721 
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可
2010-11-25 09:26:24682 
IDT公司推出針對(duì)DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 和電腦主板的低功耗、高精度溫度傳感器產(chǎn)品系列。
2011-05-12 08:30:101165 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2016-02-23 11:37:230 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)，要認(rèn)證看
2016-12-16 21:23:410 串行EEPROM存儲(chǔ)器及應(yīng)用
2016-12-11 23:41:100 雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱(chēng)；它通常縮寫(xiě)為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個(gè) DDR 芯片上畫(huà)
2017-04-18 15:44:11865 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個(gè)端口訪(fǎng)問(wèn)DDR3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)沖突，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲(chǔ)管理系統(tǒng)。DDR3存儲(chǔ)器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器，只需通過(guò)用戶(hù)接口信號(hào)就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:256412 
Microchip Technology Inc. 的 MCP9805 數(shù)字溫度傳感
器可以將-40°C到+125°C范圍內(nèi)的溫度轉(zhuǎn)換為數(shù)字字。
該傳感器的設(shè)計(jì)滿(mǎn)足移動(dòng)平臺(tái)存儲(chǔ)器模塊溫度傳感器
2018-06-29 09:21:006
JEDEC 規(guī)范 JC42.4-TSE3000B3 和存儲(chǔ)器模塊溫度傳
感器模塊 JC42.4-TSE2002B3。在 +75°C 至 +95°C 溫
度范圍內(nèi)精度達(dá)到 ±0.2
2018-06-28 14:22:004 Microchip 的 MCP98244 數(shù)字溫度傳感器可以將 -40°C
至 +125°C 范圍內(nèi)的溫度轉(zhuǎn)換為數(shù)字字。該傳感器符合
有關(guān)存儲(chǔ)器模塊溫度傳感器元件的 JEDEC 規(guī)范
2018-06-27 15:23:001 DR3 在高頻時(shí)數(shù)據(jù)出現(xiàn)了交錯(cuò)，因此，高速DDR3存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)有一定的難度。如果FPGA I/O 結(jié)構(gòu)中沒(méi)有直接內(nèi)置調(diào)平功能，那么連接DDR3 SDRAM DIMM的成本會(huì)非常高，而且耗時(shí)，并且需要
2018-06-22 02:04:003475 大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯(cuò)
2018-06-22 05:00:008250 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)（時(shí)鐘）不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-09-18 14:27:031304 
15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2 或 DDR3 存儲(chǔ)器供電
2021-03-20 15:29:106 一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱(chēng)double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915
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