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電子發(fā)燒友網(wǎng)>MEMS/傳感技術(shù)>如何測(cè)量RF、 MEMS封裝中漏氣情況

如何測(cè)量RF、 MEMS封裝中漏氣情況

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低壓驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

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2013-10-09 11:41:11933

基于MEMS技術(shù)的RF開(kāi)關(guān)在電路中的設(shè)計(jì)

RF開(kāi)關(guān)用于從多個(gè)可用信號(hào)源中選擇所需信號(hào),或?qū)⑿盘?hào)路由到所需信道,如分集天線系統(tǒng),雷達(dá)以及測(cè)試和測(cè)量設(shè)置等應(yīng)用。開(kāi)關(guān)(有時(shí)稱為繼電器)可以使用類似于非RF開(kāi)關(guān)的機(jī)電(EM)設(shè)計(jì)構(gòu)建,但現(xiàn)在已經(jīng)被開(kāi)關(guān)IC取代,除了在IC不足的高功率應(yīng)用中,以及一些非常特殊情況或開(kāi)關(guān)需要多極(觸點(diǎn))。
2019-03-20 08:22:003638

5G射頻前端 | RF MEMSRF SOI 兩種工藝誰(shuí)才是主流?

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MEMS元器件的組成部分

、智能化和可靠性水平。MEMS器件的封裝形式是把基于MEMS的系統(tǒng)方案推向市場(chǎng)的關(guān)鍵因素。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)今基于MEMS的典型產(chǎn)品封裝成本幾乎占去了所有物料和組裝成本的20%~40%。由于生產(chǎn)因素
2018-09-07 15:24:09

MEMS加速度計(jì)安徽提供大時(shí)代低功耗振動(dòng)測(cè)量怎么樣

,提供高分辨率振動(dòng)測(cè)量,可在狀態(tài)監(jiān)控應(yīng)用盡早檢測(cè)出機(jī)器故障。ADXL356和ADXL357不僅性能出色,功耗也極低,因而是無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)的理想之選。此外,這兩款加速度計(jì)還可在高沖擊和高振動(dòng)的環(huán)境下
2017-08-24 09:54:56

MEMS和FOG的精確導(dǎo)航之爭(zhēng)

發(fā)生。這些程序校準(zhǔn)磁力計(jì)、雙天線安裝對(duì)準(zhǔn)誤差、IMU安裝對(duì)準(zhǔn)誤差,還校準(zhǔn)車輛振動(dòng)水平以便進(jìn)行靜態(tài)期檢測(cè)。該系統(tǒng)可在兩種硬件配置工作。第一種配置包括兩個(gè)FOG(檢測(cè)航向和俯仰角)、一個(gè)MEMS陀螺儀
2018-10-18 10:55:34

MEMS器件的封裝級(jí)設(shè)計(jì)

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2010-12-29 15:44:12

MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)基本原理

MEMS開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是它在一個(gè)非常小的表貼封裝實(shí)現(xiàn)了0 Hz/dc精密性能、寬帶RF性能以及比繼電器優(yōu)越得多的可靠性。任何開(kāi)關(guān)技術(shù)最重要的品質(zhì)因數(shù)之一是單個(gè)開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻與關(guān)斷電容的乘積。它通常
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MEMS技術(shù)及其應(yīng)用詳解

。  MEMS封裝過(guò)程可能是與CMOS設(shè)計(jì)分歧最大的地方。 MEMS封裝主要是指保護(hù)設(shè)備免受環(huán)境損害,同時(shí)還提供一個(gè)對(duì)外接口以及減輕不必要的外部壓力。 MEMS傳感器通常須要進(jìn)行應(yīng)力測(cè)量,過(guò)大的應(yīng)力可能因器件
2018-11-07 11:00:01

MEMS振動(dòng)監(jiān)控

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MEMS狀態(tài)監(jiān)控是什么

的尺寸。在印刷電路板(PCB)上安裝更小尺寸的三軸器件,并插入封閉外殼,適合在機(jī)器上安裝和布線,有助于實(shí)現(xiàn)更小的整體封裝,能夠在平臺(tái)上靈活放置安裝更多的器件。此外,如今的MEMS設(shè)備可包括大量集成、單
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2019-06-24 06:27:01

MEMS組裝技術(shù)淺談

MEMS器件普遍采用的一種封裝形式,改為塑料封裝后可能會(huì)增加應(yīng)力和靈敏度。制造商在封裝過(guò)程中對(duì)器件進(jìn)行校準(zhǔn),將之作為測(cè)試的一部分,但如果在以后的裝配過(guò)程遇到意想不到的變化,像線路板翹曲和扭曲等,這些
2014-08-19 15:50:19

MEMS陀螺儀主要噪聲源的預(yù)測(cè)和管理

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RF-MEMS系統(tǒng)元件封裝問(wèn)題

的應(yīng)用前景[1]。在目前的通信系統(tǒng)中使用大量射頻片外分立單元,如諧振器、濾波器、耦合器等,使系統(tǒng)的空間尺寸較大。利用MEMS技術(shù)可以同標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容,制作的無(wú)源元件有利于系統(tǒng)集成度和電學(xué)性能的提高,并且成本更低。但隨之而來(lái)的是對(duì)這類RF-MEMS系統(tǒng)元件和封裝問(wèn)題的研究,這些也成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。
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早在1979年,微電子機(jī)械開(kāi)關(guān)就被用于轉(zhuǎn)換低頻電信號(hào)。從那時(shí)開(kāi)始,開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)就采用懸臂、旋轉(zhuǎn)和隔膜的布局來(lái)實(shí)現(xiàn)RF和微波頻率下的良好性能。RF MEMS表現(xiàn)出低損耗、低功耗和沒(méi)有互調(diào)失真。對(duì)于有微秒開(kāi)關(guān)速度就足夠的應(yīng)用來(lái)說(shuō),這些器件用于取代傳統(tǒng)FET或p-i-n二極管開(kāi)關(guān)極有吸引力。
2019-10-21 07:38:31

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RF MEMS振蕩器介紹Vibrating RF MEMS for Timing and Frequency ReferencesThis paper presents recent
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RF測(cè)量技巧怎么提高

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2019-07-23 07:53:43

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一種應(yīng)用于X波段的RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)

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2009-11-14 09:38:3820

基于ARM與MEMS器件的微慣性測(cè)量裝置設(shè)計(jì)

開(kāi)發(fā)一種生物運(yùn)動(dòng)微慣性測(cè)量裝置,以基于 ARM7 的LPC2129 為核心處理單元,采用MEMS 陀螺和MEMS 加速度計(jì)為測(cè)量傳感器。該裝置實(shí)現(xiàn)了對(duì)SPC-III 機(jī)器魚(yú)尾鰭拍動(dòng)參數(shù)的精確測(cè)量,為
2009-11-26 11:49:3017

射頻MEMS封裝技術(shù)

MEMS 在射頻(RF)應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出的低功耗、低損耗和高數(shù)據(jù)率的優(yōu)越特性為RF 無(wú)線通信系統(tǒng)及其微小型化提供新的技術(shù)手段。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)的初期階段,RFMEMS 封裝的設(shè)計(jì)考慮是降低成本、
2009-11-26 15:39:5040

RF-MEMS器件及其關(guān)鍵工藝技術(shù)

RF-MEMS 不僅在體積上小于傳統(tǒng)射頻器件,易于單片集成,且其性能也優(yōu)于傳統(tǒng)射頻器件,此外,RF-MEMS 還可以實(shí)現(xiàn)器件多功能配置,如可重構(gòu)天線。因此,RF-MEMS近年來(lái)已成為全世
2009-11-26 15:59:3921

MEMS封裝技術(shù)

介紹了微機(jī)電(MEMS)封裝技術(shù),包括晶片級(jí)封裝、單芯片封裝和多芯片封裝、模塊式封裝與倒裝焊3種很有前景的封裝技術(shù)。指出了MEMS封裝的幾個(gè)可靠性問(wèn)題,最后,對(duì)MEMS封裝的發(fā)展趨勢(shì)
2009-12-29 23:58:1642

RF MEMS壓控振蕩器及相位噪聲特性的研究

RF MEMS壓控振蕩器及相位噪聲特性的研究 利用RF MEMS 可變電容作為頻率調(diào)節(jié)元件,制備了中心頻率為2 GHz 的MEMS VCO 器件. RF MEMS 可變電容采用凹型結(jié)構(gòu),其控制極板與
2010-02-26 17:11:4019

智能手機(jī)天線救星--RF MEMS應(yīng)用指南

 對(duì)正在為iPhone 4可能斷話而感到沮喪的使用者來(lái)說(shuō),射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)也許可以提供解決之道 ── RF MEMS 半導(dǎo)體的性能將可用于改良手機(jī)天線性能。
2010-09-09 10:33:5727

高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)

高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān) 0 引 言 RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì),從而獲
2009-12-12 11:35:40834

市場(chǎng)分析:MEMS封裝朝向晶圓級(jí)發(fā)展

市場(chǎng)分析:MEMS封裝朝向晶圓級(jí)發(fā)展 傳統(tǒng)的MEMS長(zhǎng)期依賴陶瓷封裝,雖然行之有效,但MEMS產(chǎn)業(yè)已經(jīng)醞釀向晶圓級(jí)封裝(WLP)技術(shù)轉(zhuǎn)變,而這一轉(zhuǎn)變的部分驅(qū)動(dòng)力則來(lái)自于
2009-12-28 10:27:25775

MEMS器件的封裝級(jí)設(shè)計(jì)考慮

  MEMS器件的封裝形式是把基于MEMS的系統(tǒng)方案推向市場(chǎng)的關(guān)鍵因素。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)今基于MEMS的典型產(chǎn)品中,封裝成本幾
2010-11-29 09:23:131596

MEMS封裝技術(shù)及相關(guān)公司

MEMS封裝屬于后道工藝,成本往往占到整個(gè)MEMS元件的70~80%。與生產(chǎn)環(huán)節(jié)相比,封裝環(huán)節(jié)水平更能決定 MEMS 產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。原因是:1)MEMS元件包含驅(qū)動(dòng)部分,不能直接采用IC元件的樹(shù)脂工
2011-11-01 12:02:411510

基于RFMEMS開(kāi)關(guān)的移相器設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問(wèn)題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)來(lái)設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS 開(kāi)關(guān)來(lái)
2011-12-26 18:41:0262

RF_MEMS技術(shù)對(duì)小型化雷達(dá)的作用

RF_MEMS技術(shù)對(duì)小型化雷達(dá)的作用
2017-01-11 12:54:2111

MEMS無(wú)線數(shù)顯角度測(cè)量儀設(shè)計(jì)_何榮華

MEMS無(wú)線數(shù)顯角度測(cè)量儀設(shè)計(jì)_何榮華
2017-03-19 11:41:511

RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng)的解析

該文采用至上而下的方式,介紹了應(yīng)用RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng),將雷達(dá)子系統(tǒng)與RF MEMS 技術(shù)聯(lián)系起來(lái),具體分析了應(yīng)用于雷達(dá)的RF MEMS 開(kāi)關(guān)、移相器、濾波器和諧振器。同時(shí),文中以開(kāi)關(guān)
2017-11-07 10:32:3714

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與模擬--用于MEMS開(kāi)關(guān)缺陷的改進(jìn)

近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。在通信領(lǐng)域上亦憑借超低
2017-11-25 12:28:56365

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。在通信領(lǐng)域上亦憑借超低
2017-12-02 15:27:26256

用來(lái)檢測(cè)電子血壓計(jì)漏氣狀況的傳感器

在電子血壓計(jì)測(cè)量過(guò)程中,氣袖被綁在人體的手臂上由增壓泵進(jìn)行充氣,并通過(guò)輸氣管以插拔的方式連接主機(jī)的電子測(cè)量部分。為了避免因輸氣管插入不到位,而造成漏氣情況的發(fā)生,該公司利用霍爾傳感器的位置檢測(cè)功能
2018-07-04 08:07:003576

低壓驅(qū)動(dòng)的RF MEMS開(kāi)關(guān)模擬設(shè)計(jì)

近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。在 通信領(lǐng)域上亦憑借超低
2017-12-06 12:44:13277

RF MEMS大舉進(jìn)駐高階LTE手機(jī)

射頻微機(jī)電(RF MEMS)今年將大舉進(jìn)駐高階LTE手機(jī)。多頻多模4G手機(jī)現(xiàn)階段最多須支援十五個(gè)以上頻段,引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過(guò)大問(wèn)題;為此,一線手機(jī)廠已計(jì)劃擴(kuò)大導(dǎo)入RF MEMS元件,透過(guò)
2018-05-05 10:37:00857

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與改進(jìn)

近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注,特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線,是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù),在軍事上有重要意義。在通信領(lǐng)域上亦憑借超低
2017-12-07 04:55:02668

RF MEMS國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的各類射頻RF( Radio Frequency)無(wú)源器件及微小型單片集成系統(tǒng)的概念與內(nèi)涵及其應(yīng)用市場(chǎng)
2018-03-07 11:22:3634534

MEMS封裝的四大條件 關(guān)于MEMS后端封裝問(wèn)題

國(guó)內(nèi)MEMS產(chǎn)業(yè)鏈后端封裝較為完善,其原因在于國(guó)內(nèi)的封裝技術(shù)起步較早,而MEMS器件的封裝則可以參考或借鑒IC封裝。他說(shuō):“其實(shí)很多企業(yè),尤其是MEMS麥克風(fēng)企業(yè),早期的商業(yè)模式就是購(gòu)買(mǎi)國(guó)外裸片(前端工藝完成后的產(chǎn)品),自己做后端封裝和測(cè)試。”
2018-05-28 16:32:2111089

MEMS產(chǎn)品的封裝選擇和設(shè)計(jì)

MEMS器件的封裝形式是把基于MEMS的系統(tǒng)方案推向市場(chǎng)的關(guān)鍵因素。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)今基于MEMS的典型產(chǎn)品中,封裝成本幾乎占去了所有物料和組裝成本的20%~40%。由于生產(chǎn)因素的影響,使得封裝之后的測(cè)試成本比器件級(jí)的測(cè)試成本更高,這就使MEMS產(chǎn)品的封裝選擇和設(shè)計(jì)更加重要。
2018-06-12 14:33:005752

國(guó)內(nèi)外RF MEMS廠商大盤(pán)點(diǎn) 5G對(duì)我國(guó)的RF MEMS廠商來(lái)說(shuō)是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)

射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一,也是二十世紀(jì)九十年代以來(lái)MEMS領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。RF MEMS用于射頻和微波頻率電路中的信號(hào)處理,是一項(xiàng)將能對(duì)現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。
2019-02-04 16:54:004331

全自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)膠閥漏氣怎么辦?

CCD影像和清洗測(cè)高,可根據(jù)產(chǎn)品需要選擇單頭或多頭閥。定位精度達(dá)0.005mm。主要用于LED封裝行業(yè)。可以實(shí)現(xiàn)涂覆、封裝、點(diǎn)膠等功能。遇到全自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)膠閥漏氣問(wèn)題更換配件的方法進(jìn)行解決。 全自動(dòng)
2019-04-01 09:10:491662

MEMS傾角測(cè)量的應(yīng)用案例分析

MEMS 應(yīng)用舉例– 傾角測(cè)量
2019-07-05 06:07:001209

高通MEMS封裝技術(shù)解析

隨著傳感器、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的大規(guī)模落地,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)在近些年應(yīng)用越來(lái)越廣泛,MEMS的存在可以減小電子器件的大小。同時(shí),與之相對(duì)應(yīng)的MEMS封裝也開(kāi)始備受關(guān)注。
2020-05-11 17:27:55988

Qorvo收購(gòu)Cavendish Kinetics以推動(dòng)RF MEMS技術(shù)的應(yīng)用

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防應(yīng)用中核心技術(shù)與RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布收購(gòu)世界領(lǐng)先的高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics, Inc.。
2020-05-17 10:38:421745

RF抑制能力測(cè)量技術(shù)RF電波暗室測(cè)量裝置的詳細(xì)資料說(shuō)明

GSM手機(jī)的隨處可見(jiàn)正導(dǎo)致不需要的RF信號(hào)的持續(xù)增加,如果電子電路沒(méi)有足夠的RF抑制能力,這些RF信號(hào)會(huì)導(dǎo)致電路產(chǎn)生的結(jié)果失真。為了確保電子電路可靠工作,對(duì)于電子電路RF抑制能力的測(cè)量已經(jīng)成為
2020-08-05 18:53:001

MEMS封裝的新趨勢(shì)

在整個(gè)MEMS生態(tài)系統(tǒng)中,MEMS封裝發(fā)展迅速,晶圓級(jí)和3D集成越來(lái)越重要。
2020-07-21 11:09:221426

Sofant將RF MEMS用于其取得專利的高效MEMS天線平臺(tái)

Sofant將RF MEMS(射頻微機(jī)電系統(tǒng))用于其取得專利的高效MEMS天線平臺(tái),可解決無(wú)線通信系統(tǒng)面臨的若干挑戰(zhàn)。其最初目標(biāo)是用于衛(wèi)星通信和5G,利用MEMS天線技術(shù)降低電子掃描天線陣列70%以上的功耗。
2020-08-31 14:50:561539

關(guān)于MEMS封裝中所面臨的一些問(wèn)題

為了適應(yīng)MEMS技術(shù)的發(fā)展,人們開(kāi)發(fā)了許多新的MEMS封裝技術(shù)和工藝,如陽(yáng)極鍵合,硅熔融鍵合、共晶鍵合等,已基本建立起自己的封裝體系。現(xiàn)在人們通常將MEMS封裝分為四個(gè)層次:即裸片級(jí)封裝(Die
2020-09-28 16:34:032211

常用的MEMS封裝形式有哪些

Module)已經(jīng)逐漸成為MEMS封裝中的主流。BGA封裝的主要優(yōu)點(diǎn)是它采用了面陣列端子封裝、使它與QFP(四邊扁平封裝)相比,在相同端子情況下,增加了端子間距(1.00mm,1.27mm,1.50mm),大大改善了組裝性能,才使它得以發(fā)展和推廣應(yīng)用。21世紀(jì)BGA將成為電路組件的主流基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。
2020-09-28 16:41:534446

iSensor MEMS慣性測(cè)量單元(IMU)手冊(cè)

iSensor MEMS慣性測(cè)量單元(IMU)手冊(cè)
2021-05-24 09:37:1121

CN0377 使用RF MEMS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的DC至2.5 GHz可切換RF衰減器

圖1所示的電路使用RF MEMS開(kāi)關(guān)在兩臺(tái)表貼RF衰減器和兩條直通路徑之間路由RF信號(hào)。 圖1. 射頻開(kāi)關(guān)衰減器的簡(jiǎn)化電路圖?衰減RF信號(hào)通常在RF測(cè)試儀器儀表和接收器前端完成,以保護(hù)
2021-05-29 11:50:552

跟大家聊聊RF MEMS

在 2019 年,Qorvo 宣布收購(gòu)高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics, Inc.(簡(jiǎn)稱:CK)。 在 Qorvo 看來(lái),Cavendish
2021-08-23 11:09:502682

RF MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)分析

從驅(qū)動(dòng)方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開(kāi)關(guān)類型,分析了各類MEMS開(kāi)關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn),分析了MEMS開(kāi)關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問(wèn)題等關(guān)鍵技術(shù)和問(wèn)題,介紹了MEMS開(kāi)關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的應(yīng)用,以及對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:05517

RF MEMS 開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開(kāi)關(guān)體積小,功耗低,且插入損耗、隔離度等微波性能均遠(yuǎn)優(yōu)于
2023-05-23 14:35:50610

RF MEMS開(kāi)關(guān)的運(yùn)作、優(yōu)勢(shì)

RF MEMS開(kāi)關(guān)是一種小型微機(jī)械開(kāi)關(guān),具有低功耗,可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開(kāi)關(guān),通過(guò)打開(kāi)或關(guān)閉接觸點(diǎn)來(lái)傳導(dǎo)信號(hào)。 在RF MEMS設(shè)備的情況下,開(kāi)關(guān)的機(jī)械部件僅有幾微米大小。與普通開(kāi)關(guān)不同的是,RF MEMS開(kāi)關(guān)傳導(dǎo)的信號(hào)處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:51862

一文讀懂RF MEMS 開(kāi)關(guān)

所謂,RF MEMS 開(kāi)關(guān),是一種是小型的微機(jī)械開(kāi)關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開(kāi)關(guān),其中觸點(diǎn)打開(kāi)或關(guān)閉以通過(guò)開(kāi)關(guān)傳導(dǎo)信號(hào)。在 RF MEMS 器件的情況下,開(kāi)關(guān)的機(jī)械組件只有微米級(jí)尺寸。與電燈開(kāi)關(guān)不同,在 RF MEMS 開(kāi)關(guān)中傳導(dǎo)的信號(hào)在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18776

一窺微觀世界:MEMS封裝材料的全方位解析

微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)是集成電路(IC)技術(shù)的一種重要分支,其特殊性在于它將微型機(jī)械元件和電子元件集成在同一塊硅片上,以實(shí)現(xiàn)物理量的測(cè)量和控制。隨著MEMS技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用,MEMS封裝材料的需求也日益增加。本文將主要介紹幾種主流的MEMS封裝材料。
2023-06-26 09:40:04982

MEMS封裝中的封帽工藝技術(shù)

共讀好書(shū) 孫瑞花鄭宏宇吝海峰 (河北半導(dǎo)體研究所) 摘要: MEMS封裝技術(shù)大多是從集成電路封裝技術(shù)繼承和發(fā)展而來(lái),但MEMS器件自身有其特殊性,對(duì)封裝技術(shù)也提出了更高的要求,如低濕,高真空,高氣
2024-02-25 08:39:28171

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