PI354x-00-BGIZ 是 48V Cool-Power ZVS 降壓穩壓器產品系列的最新產品，為現有 PI354x-00-LGIZ LGA 系列提供了新的 BGA 封裝選項。
2018-08-22 16:59:28
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PI358x 系列是 Vicor 48V ZVS 降壓穩壓器產品系列的最新成員，可為現有 LGA 和 BGA 系統級封裝 （SiP） 產品提供一個全新低成本的 GQFN 封裝選項。
2019-03-07 13:18:045798 UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態斷路器等高功率應用。
2019-12-10 13:45:241799 &符號在C語言中有兩種含義：①取地址；②按位與；問題就來了。本人近期有一段程序其中有一條：if(addr&3 != 0)adh_block[addr>>2]2]2]
2015-05-25 14:30:42
在 PowerShell 中輸入 python dmeo.py，就可以執行這個 python 腳本啦。以上介紹了兩種最原始的 Python 程序的執行方式。3. 重要提示在后面學習 Python
2022-02-16 18:31:16
系列中低壓NMOS管場效應管封裝制造、研發、生產、銷售主營SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封裝因為專注，所以專業惠海半導體團隊，為您提供周到完善
2020-09-23 15:08:14
220uf/10v和220uf/16有什么區別，能不能在單片機里面用。
2013-10-06 13:02:54
表示處理器或處理器子系統。
FAST型號有兩種交付方式：
·作為ARM?IP的型號和工具組合，讓您可以為您的精確系統構建自定義模型。
·作為完整ARM?平臺的獨立模型，開箱即用，讓您可以在通用
2023-08-09 06:25:02
平臺來表示處理器或處理器子系統。
FAST型號有兩種交付方式：
·作為ARM?IP的型號和工具組合，讓您可以為您的精確系統構建自定義模型。
·作為完整ARM?平臺的獨立模型，開箱即用，讓您可以在通用系統
2023-08-25 06:34:13
，BGA封裝技術的很多方面，諸如安裝條件，還沒有弄清楚。近年來，工程師們測試了兩種規格的BGA封裝(BGA—P225個管腳和BGA—T426個管腳)，并確定哪一種安裝策略提高了封裝效率和封裝可靠性。在
2018-08-23 17:26:53
小的波動，但是信號已經非常接近直流了。 下面來介紹兩種常用的電源濾波電路 1，電容濾波 電容濾波是一種最簡單的電源濾波形式，如圖所示，在整流全橋之后加上了一個濾波電容C，從整流全橋輸出的單向
2021-01-11 15:48:50
使用 Altium Desinger繪制的PCB封裝默認情況下為平面，也就是將其切換到 3D 視圖時，只能看到的是封裝的形狀，并不是元件的外觀，這里給大家介紹兩種建立元件3D圖形的方法，一種是通過 Altium Designer軟件直接建立，另一種是借助 3D 圖形繪制軟件生成的模型文件建立電子元件的外觀
2019-07-12 07:37:24
重新編譯內核，但是rv板子里/usr/src里的版本和板子原裝的版本不一樣，這個可以直接替換嗎因為需要在內核中新增內核模塊，需要修改.config然后進行重新編譯。
2021-12-28 06:38:44
在PADS中怎么放置兩種不同孔徑的過孔啊？
2023-04-28 16:45:06
，包括通過軟件調整控制單元，以免修改硬件。AD5761R及該系列產品提供兩種小型封裝——3 mm × 3 mm引腳框架芯片級封裝(LFCSP)和16引腳超薄緊縮封裝(TSSOP)，并且支持–55°C至
2018-10-16 09:52:03
ADE7878，通過三相標準源給進220V基波信號，設置功率因素為0.5L，調試過程中發現總有功電能在正常累計模式下可正常累積，線路周期累計模式下寄存器的值為0；總無功電能，視在電能在兩種累計模式下均無法累積，寄存器值接近于0；基波無功可正常累積，請教這是什么問題
2019-01-11 14:26:39
AGM Micro發布了兼容STM32的MCU產品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產品系列。AGM32產品系列對32位MCU的廣大客戶群提供國產替代和新智能應用市場的開拓。
此次AGM
2023-12-29 11:18:08
AGM32系列產品都提供從flash零等待指令執行功能。
芯片內置了豐富的外設資源，包含3個12位ADC、2個DAC，2個基本定時器，5個高級定時器，以及一系列接口：2個CAN2.0、5個UART、2個I2C，支持SDIO、Ethernet MAC、USB、FS+OTG等。
2023-12-29 10:52:29
破壞的可能性也很小。 以上就是關于ASEMI快恢復二極管型號大全之TO220和TO-3P封裝的詳細介紹。ASEMI品牌在整流橋和二極管領域已有12年的專業經驗，供應全系列高品質，高性能的整流橋和二極管產品。`
2021-07-24 13:51:33
產品詳情CMD196C3是通用寬帶RF /微波高隔離非反射MMIC SPDT開關，采用3x3 mm無鉛表面貼裝（SMT）封裝。 CMD196C3覆蓋DC至18 GHz，在8 GHz時具有1.5 dB
2020-02-19 15:05:40
。 首先：GDDR3和DDR3是兩種不同的規格，請看下圖下載 (126.26 KB)2009-5-31 09:29 通過上面的圖我們清楚的看見在ATI 的4670系列中低端產品線中明顯的說明了顯存
2011-02-23 15:27:51
2.0V5.5V，工作溫度范圍包含-40?C+85?C常規型。且具有多種省電工作模式保證低功耗應用的要求。并提供LQFP48、LQFP32和QFN32共3種封裝形式。該產品系列可用于完全替代
2021-08-10 06:26:32
MediaTek MT2523產品系列(MT2523D/MT2523G)基于一個高度集成的封裝系統(SIP)，其中包括一個微控制器單元、低功耗GNSS(MT2523G)、雙模式藍牙和電源管理單元
2021-07-22 06:40:42
，獲得的縱向電場分布幾乎是恒定的，而給定擊穿電壓所需的漂移區長度大幅降低。與此同時，漂移區的雜質濃度提高。這兩種技術都可導致通態電阻的大幅降低。擴展器件系列，實現更高阻斷能力占板空間更小的全新高效邊緣終端
2018-12-07 10:21:41
ADI HMC系列該系列支持SPI接口，有兩種通信MODE，SPI_OPEN_MODE和SPI_HMC_MODE。這兩種模式由軟件控制，根據上電時SCK和SEN誰先出現rise edge來選擇，如果
2021-11-05 07:03:31
SQL語言的兩種使用方式在終端交互方式下使用，稱為交互式SQL嵌入在高級語言的程序中使用，稱為嵌入式SQL―高級語言如C、Java等，稱為宿主語言嵌入式SQL的實現方式源程序(用主語言和嵌入式SQL
2021-12-20 06:51:26
STC15系列新增主流封裝 LQFP48/9mmx9mm，取代LQFP44/12mmx12mm 管腳圖
2022-10-26 07:15:21
STM32 L1系列，基于 Cortex-M3 內核，工作頻率為 32 MHz，在性能、特性、存儲器容量和封裝引腳數量方面擴展了超低功耗產品系列。 The STM32 L1 系列融合了高性能和超低
2022-07-11 14:09:05
??ST擴展了STM32L4產品系列及其性能。最新的STM32L4+系列單片機在繼承了原有L4優越的超低功耗特性的同時，還提供了更加優越的性能（最高頻率可達120 MHz）、更大容量的內置存儲器
2021-08-03 08:15:22
STM32 F 103 C 6 T 7 xxx 1 2345 6 78 第1部分：產品系列名，固定為STM32 第2部分：產品類型；F表示這是Flash產品，目前沒有其它選項 第3部分
2014-10-09 19:03:28
YX133 SOP-16QFN3*3-16 兩種封裝可選8位16Pin單片機?6路PWM輸出?14個IO引腳?10個中斷來源?高精準度8（6+2）通道12位模數轉換器YX150C SOP-8
2021-12-10 07:47:26
能仿真調試；2 在使用C6455或者C6713時只能選則coff格式輸出，反之也不能仿真調試；想問一下兩種格式的區別，和由此帶來的使用上的影響？其次，TI不同型號的產品在選取這兩個選項的時候是否存在一定依據？
2020-05-21 14:09:09
℃，寬工作電壓1.65V5.5V，支持Sleep和DeepSleep兩種低功耗工作模式，在最低功耗模式下工作電流僅為450nA，從DeepSleep模式下喚醒時間僅為4us。03CW32L031系列選型
2022-09-16 10:30:15
能等級的衍生應用時有卓越的設計效率。STM32F3系列混合信號微控制器包括：STM32F301、STM32F302、STM32F303通用產品線范圍包括了基本型產品、包含高性價比外設組合的產品，以及
2022-12-01 14:56:06
流向結論，當輸入為220V時，手動斷開開關后，電路就是一個常見的橋式整流，C1+C2電壓≈300VDC所以開關Ｋ置于不同位置時１１０Ｖ和２２０Ｖ對電源的作用是一樣的，即實現了對１１０Ｖ／２２０Ｖ兩種不同電壓的選擇，輕輕波動開關即可。
2021-06-24 06:00:00
` 誰知道雙絞線分為哪兩種？`
2019-12-31 15:53:14
S－l、S－4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國產管S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國產管S一6封裝外形基本相同。 采用TO系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2SD869
2008-06-17 14:42:50
Kinetis L系列概述Kinetis L系列MCU將新型ARM? Cortex?-M0+處理器的卓越能效和易用性與Kinetis 32位MCU組合的性能、豐富的外設集、支持功能和可擴展性
2016-07-14 17:05:07
現在市面上常見的ARM架構分為兩種一種是M系列另外一種是A系列，這兩種有什么區別啊，用的時候他們一般分別用在什么地方啊。
2023-10-26 07:00:09
) 無鉛封裝的新組件。 LIS2L02AL和LIS2L06AL是兩個特別緊湊的雙軸加速計，增強了ST現有的深受市場歡迎的“低重力加速度”的加速計產品系列，同時還縮小了偏移量公差，提高了溫度漂移性能，而且
2018-10-26 16:27:33
嗨，如果有Spartan 3系列的路線圖或產品生命周期文檔，有人可以告訴我嗎？我們目前在現有產品中使用Spartan 3A器件（XC3S50A-4VQG100C）。我現在處于新設計的早期階段，改進
2019-04-12 14:45:27
，范圍從0.1UF----680UF ③ 表示容量誤差，鉭電容的容量誤差有兩種：一是±10%（K）和±20%（M） ④ 表示電容的耐壓，指在85℃時額定直流電壓，鉭電容的耐壓范圍從4V---50V
2015-04-01 10:14:54
輸入至輸出電壓差可能很大，會引起極大的功耗。有兩種主要的封裝類型：表面貼裝式封裝和通孔式封裝。 通孔式封裝選項（如圖1所示的T0-220）具有被焊接到印刷電路板（PCB）鉆孔中的引線。另一方面，表面貼
2018-09-05 15:37:21
在調試6670時，發現L2的地址有0x0080 0000，每個核也有自己的L2地址，像核0 有0x1080 0000。難道每個核有自己的L2，另外有一個L2？如果是這樣的話，這兩種L2有什么關系嗎？ 謝謝啊
2019-01-04 11:30:22
請問C語言中兩種引用頭文件方式的區別是什么？
2021-10-15 07:36:30
電流都是3mA，是不是有點大？3、我想用這兩種芯片產生1.3V的電壓給TMS320C6748的內核供電，可不可行？
2019-07-16 11:21:55
品佳公司現正推廣英飛凌(Infineon)第三代高集成度功率集成電路——CoolSET F3系列產品。該產品在單一封裝中，組合了英飛凌CoolMOS功率MOSFET與新型脈寬調制(PWM)控制
2018-08-27 16:14:04
問一下哪個產品或者產品系列的可以實現mesh network,多對多，全網絡拓撲，可以跳頻？
2018-11-13 15:39:07
問一下哪個產品或者產品系列的可以實現mesh network,多對多，全網絡拓撲，可以跳頻？？
2018-11-13 15:41:45
LDO。而這需要具備多種多樣的輸入輸出規格和封裝，因而打造了43種機型的產品陣容。－簡單地說，就是類似“此次的設計中使用3個LDO，全部在這個系列中”這樣嗎？是啊！這樣最好。－這樣對客戶有好處嗎？當然有
2018-12-04 10:34:07
庫里還有0402,0603，0805，1210，1815，等貼片電容封裝。100uf貼片電容封裝為C7343，封裝庫對應的電容值有10uF,0.1uF,22uF,220uF貼片電容。
2008-07-14 09:37:12
409 此封裝庫有0402,0603,0805,1210,1815等貼片電容封裝。封裝庫對應的電容值有10uF,0.1uF,22uF,220uF,100uF的貼片電容。為pads封裝庫，從軟件導入就可以使用。
2008-07-14 09:50:0513 Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝，以生產當今
2023-05-11 14:17:51
Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:21:51
Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝，以生產當今市場上唯一
2023-05-11 14:27:22
Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝，以生產當今市場上唯一的標準
2023-05-11 14:29:32
Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:32:56
Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:37:31
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:52:46
UF3C065030B3產品簡介Qorvo 的 UF3C065030B3 650 V、27 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同
2023-05-11 18:01:04
UF3C065030K3S產品簡介Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 18:13:21
UF3C065030T3S產品簡介Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化 MOSFET
2023-05-11 18:30:12
UF3C065040B3 產品簡介Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優化
2023-05-11 18:42:02
UF3C065040K3S 產品簡介Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-11 19:01:57
UF3C065040K4S產品簡介Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET
2023-05-11 20:00:05
UF3C065040T3S產品簡介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 20:11:52
UF3C065080B3產品簡介Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-11 20:28:32
UF3C065080K3S產品簡介Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-11 20:45:39
UF3C065080K4S 產品簡介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優化
2023-05-11 20:53:23
UF3C065080T3S產品簡介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 09:35:19
UF3C120040K3S 產品簡介Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-12 09:42:48
UF3C120040K4S產品簡介Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產品，將其高性能第 3 代 SiC 快速
2023-05-12 09:51:56
UF3C120080K3S 產品簡介Qorvo 的 UF3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 12:26:54
UF3C120080K4S產品簡介Qorvo 的 UF3C120080K4S 1200 V、80 mohm FET 產品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優化 MOSFET
2023-05-12 12:35:06
UF3C120150K4S產品簡介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優化
2023-05-12 12:52:17
UF3C120400K3S 產品簡介Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:11:46
UF3C170400K3S產品簡介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:20:38
**詳細參數說明：**- **型號:** IPD220N06L3G-VB- **絲印:** VBE1638- **品牌:** VBsemi- **參數:** - 封裝類型
2024-02-03 14:23:15
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開JFETUnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC
2024-02-26 23:19:55
電腦鎖產品系列/產品組成 產品系列 &n
2009-12-28 14:43:01722 超緊湊薄型封裝的MicroFET MOSFET產品系列
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿足便攜產品設計人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的
2010-05-11 17:55:27738 2014年4月24日，TDK株式會社（社長：上釜健宏）新增了積層陶瓷電容器的樹脂電極產品系列，該系列著重了在基板封裝后，由于分割基板等的壓力造成的“翹曲裂紋”對策，并將從2014年7月起開始量產。
2014-04-29 14:29:541755 中國，北京 - 2017年6月15日 - Silicon Labs（亦稱“芯科科技”，NASDAQ：SLAB）發布了新型的支持全面Bluetooth?5連接和更多存儲容量選項的多頻段SoC，進一步擴展了其Wireless Gecko片上系統（SoC）產品系列。
2021-11-02 11:36:441726 藍牙5.0在低功耗標準中新增了兩種模式。第一種模式的符碼率(symbol rate)是現有的1Msps低功耗標準的兩倍，稱為LE 2M PHY(以前的標準現在稱為LE 1M PHY)。LE 1M和LE 2M PHY都屬于所謂的低公耗未編碼物理層標準，因為它們內部都沒有糾錯編碼階段。
2018-05-16 09:48:5819644 
高頻寬帶產品系列
2018-06-07 13:46:003492 
C2000產品系列簡介
2018-08-20 02:08:004844 PI354x-00-BGIZ 是 48V Cool-Power ZVS 降壓穩壓器產品系列的最新產品，為現有 PI354x-00-LGIZ LGA 系列提供了新的 BGA 封裝選項。 Pi354x
2018-09-15 14:33:002929 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布，已經為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:021767 UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。
2022-06-06 09:33:573458 
中微愛芯MCU產品系列介紹PIN,GD.SMT等多個型號
2022-08-19 15:26:5911 意法半導體5V產品系列新增一款高性能雙路運算放大器。新產品TSV782的增益帶寬（GBW）為30MHz ，輸入失調電壓（典型值） 為50μV，可實現高速、高準確度的信號調理。
2022-10-13 14:11:072255
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