已經完成,現在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外(EUV)的工藝產品中添加另一個尖端節點,三星再次證明了其在先進晶圓代工市場的領導地位。 與7nm相比,三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,從而使其能夠擁有更多創
2019-04-18 15:48:476010 國內半導體制造商中芯國際(SMIC)于8月8日宣布,已開始使用FinFET工藝生產半導體芯片,并計劃在2019年底前將其市場化。 這是該公司2019年第二季度財務報告中公布的內容,其聯合首席執行官
2019-08-20 09:25:016602 作為業界少數幾家加入FinFET俱樂部的公司,中芯國際已經開始使用其14 nm FinFET制造技術批量生產芯片。該公司設法開發了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點遺憾的是,中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 在Synopsys 的協助下,臺灣聯電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm 制程FinFET產品的制造,而這
2013-06-28 09:57:581023 在國際電子電路研討會大會(ISSCC)上,三星展示了采用10納米FinFET工藝技術制造的300mm晶圓,這表明三星10納米FinFET工藝技術最終基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 與臺積電較勁,將10 奈米 FinFET 正式納入開發藍圖 、聯電攜 ARM,完成 14 奈米 FinFET 工藝測試。到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢?
2015-09-19 16:48:004522 據外媒報道,三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管(FinFET)制程工藝相關的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國科學技術院(KAIST)計劃對三星提起訴訟,指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱,他們開發了10納米FinFET工藝,但是三星竊取了這項技術,并將其用于生產高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 日前,中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬
2017-01-13 09:27:373046 FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 現在,隨著FinFET存儲器的出現,需要克服更多的挑戰。這份白皮書涵蓋:FinFET存儲器帶來的新的設計復雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰;怎樣綜合測試算法以檢測和診斷FinFET存儲器具體缺陷;如何通過內建自測試(BIST)基礎架構與高效測試和維修能力的結合來幫助保證FinFET存儲器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 5月14日, Cadence宣布基于中芯國際14nm工藝的10Gbps多協議PHY研發成功,這是行業首個SMIC FinFET工藝上有成功測試芯片的多協議SerDes PHY IP。
2020-05-15 09:32:165309 近日,深圳中軟國際有限公司(以下簡稱“中軟國際”)推出的電子哨兵終端順利通過OpenAtom OpenHarmony(以下簡稱“OpenHarmony”)3.1 Release版本兼容性測評,獲頒
2023-01-11 11:05:27
在高溫及壓力的作用下形成共晶合金,實現連接及固定的方法。樹脂粘接:芯片背面及載體之間,通過含有大量Ag顆粒的環氧樹脂作為粘著劑,而達到固定的作用方法。膠帶粘接:芯片表面與載體之間通過膠帶的粘接,達到固定的作業方法。芯片封裝測試工藝教程教材資料[hide][/hide]
2012-01-13 14:46:21
正在從二維走向三維世界——芯片設計、芯片封裝等環節都在向3D結構靠攏。晶體管架構發生了改變當先進工藝從28nm向22nm發展的過程中,晶體管的結構發生了變化——傳統的平面型晶體管技術(包括體硅技術
2020-03-19 14:04:57
`請問這顆5腳芯片 絲印AN1N是什么芯片`
2019-08-02 15:57:07
`7納米芯片一直被視為芯片業“皇冠上的珍珠”,令全球芯片企業趨之若鶩。在大家熱火朝天地競相布局7納米工藝時,全球第二大的芯片大廠GlobalFoundries(格羅方德,格芯,以下簡稱GF)突然宣布
2018-09-05 14:38:53
`產品和應用要在全球發布,需考慮全球化流程,即“國際化”和“本地化”。國際化簡稱「i18n」,是一種趨同的設計方式,通過一種方案去滿足不同國家的需求。本地化簡稱「L10n」, 是針對各個國家的個性化
2020-09-24 17:21:49
MPS美國芯源 MPS公司具有獨特的技術創新系統,同時和客戶保持密切接觸,深度理解客戶和市場的需要,以在應用設計、工藝上的優勢,用體積小、成本低、高性能的芯片為客戶提供最有價值的應用方案。 MPS
2015-08-26 12:16:55
基于軟件的數字安全全球領導者V-Key宣布,V-OS成為首個在Apple iOS和Google Android手機中均獲得通用準則EAL3+認證的虛擬安全元件。由于V-OS是所有V-Key產品
2021-07-26 07:33:33
蘋果晶圓代工龍頭臺積電16納米鰭式場效晶體管升級版(FinFET Plus)將在明年1月全產能量產,搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝(InFO WLP)的系統級封裝(SiP)技術,在x86及ARM架構64位
2014-05-07 15:30:16
了高通的訂單。之后,中芯國際憑借極具競爭力的價格從Globalfoundries手中奪走了訂單,成為高通電源管理芯片的主要合作伙伴。我們知道,在高通的幫助下,中芯國際實現了28nm工藝量產,而且還加快14nm硅片的量產。由于產能、價格及新芯片技術的原因,此次高通將電源管理芯片交給了臺積電生產。
2017-09-27 09:13:24
14nm工藝量產的計劃,中芯國際是在今年下半年量產,華虹是將在2020年量產,但制程工藝確實是要比臺積電等公司落后兩代以上。在芯片制造領域制約我國晶圓代工企業發展的,主要是兩大部件:“刻蝕機”與“光刻機
2019-08-10 14:36:57
輸入,這就要求一種新的鍵盤結構,即用盡量少的I/O口實現盡可能多的鍵盤輸入。 本文將從硬件和軟件兩個方面介紹一種用N+1個I/O口實現N×N矩陣式鍵盤的方法(為了與傳統鍵盤區分,以下簡稱新型鍵盤
2012-02-15 22:02:49
雄芯開發的首款基于Chiplet異構集成的智能處理芯片,該芯片采用12nm工藝生產,HUB Chiplet采用RISC-V CPU核心,可通過靈活搭載多個NPU Side Die提供8~20TOPS
2023-02-21 13:58:08
各類常用工藝庫臺積電,中芯國際,華潤上華
2015-12-17 19:52:34
購買單的總代價為 1201598880 美元。這部分主要為 duv 光刻機。今日,據財聯社,透露,中芯正在努力重新獲得訂單,是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注:finfet 工藝是指鰭
2021-07-19 15:09:42
工藝技術的演進遵循摩爾定律,這是這些產品得以上市的主要促成因素。對整個行業來說,從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個重要里程碑。這一過渡促使工藝技術經過了幾代的持續演進,并且減小
2019-07-17 06:21:02
利用模擬開關實現T1E1J1的N+1冗余
2019-04-03 10:36:30
給出好或是壞的測試結果(即此結果與被測試芯片實際的好壞無關)。 給出所有芯片的測試結果,問哪些芯片是好芯片。 輸入格式 輸入數據第一行為一個整數n,表示芯片個數。 第二行到第n+1
2021-07-29 07:49:10
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片,一舉彌補了中國TD-SCDMA產業鏈發展的短板。隨后,銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
式播報”,標志著“搜狗分身”技術再次取得突破?! ?018年互聯網大會期間,搜狗與新華社聯合發布的全球首個AI合成主播初次亮相,引起了全球傳媒業和人工智能領域的極大關注?! ∪齻€月來,首批入職新華社的一中
2019-02-25 09:28:26
也將受到美國的“毀滅性打擊”,并且點名要把中芯國際搞到“關門”。眾所周知,美國近兩年對華為采取了一系列的類似行動,切斷了其在全球使用美國技術制造的芯片和其他電子產品的供應。制裁最終也削弱了華為成功的移動和寬帶業務。對此,你有什么看法,對中芯國際是否造成影響?
2022-03-11 10:34:37
結合實時熱點、助力解決行業痛點難點,賦能產業融合發展,由全球電子技術領域知名媒體集團AspenCore主辦的2023國際集成電路展覽會暨研討會 (IIC Shanghai)將3月29日-30日在上海國際
2023-02-28 16:11:42
億元人民幣,只能說明是英特爾高瞻遠矚,提前布局,搶占先機。4、中芯國際深圳廠投產、28nm試量產芯片制造進步快速中芯國際集成電路有限公司12月17日宣布其在深圳的8英寸晶圓廠正式投產。根據計劃,中芯
2015-01-13 15:48:21
2023年1月13日,知名物理IP提供商 銳成芯微(Actt) 宣布在22nm工藝上推出雙模藍牙射頻IP。近年來,隨著藍牙芯片各類應用對功耗、靈敏度、計算性能、協議支持、成本的要求越來越高,22nm
2023-02-15 17:09:56
實現,比如電源管理芯片、電機驅動芯片、照明驅動芯片、快充/無線充芯片、BMS電池管理系統中的模擬前端芯片等。BCD(Bipolar-CMOS-DEMOS)工藝通過集成高驅動能力的Bipolar器件、高
2023-03-03 16:42:42
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造,光刻機作為集成電路制造中最關鍵的設備,對芯片制作工藝有著決定性的影響,被譽為“超精密制造技術皇冠上的明珠”,根據之前中芯國際的公報,目...
2021-07-29 09:36:46
知名芯片設計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協議,根據該協議,雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產品方面進行合作。
2012-07-24 13:52:57911 該14納米產品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節點上開發系統級芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術以14納米標準設計的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 新思科技公司日前宣布:該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵性的里程碑,即采用三星的14LPE工藝成功實現了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 三星于2015年第一季度發布了半導體芯片行業首款采用14nmLPE (Low-Power Early) 工藝量產的Exynos 7 Octa處理器,成為FinFET邏輯制程上的行業引領者。
2016-01-15 17:12:47927 2016年5月19日,北京訊——ARM今日發布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示,相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術,此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。
2016-05-19 16:41:50662 中芯國際是全球芯片代工行業中的四大廠商之一。然而,目前,中芯國際投入量產的最先進的制程工藝是28納米PolySiON工藝。并且,中芯國際仍需對高端的28納米HKMG工藝繼續深入探究。 中芯國際是全球
2017-04-26 10:05:11712 本文介紹設計人員如何采用針對FinFET工藝的IP而克服數據轉換器設計的挑戰。
2017-09-18 18:55:3317 賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布一項合作,將共同構建首款基于臺積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性(CCIX)的加速器測試芯片,并計劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布計劃在 2018 年交付 7 納米 FinFET 工藝芯片。這一測試芯片旨在從硅芯片層面證明 CCIX 能夠支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器實現一致性互聯。
2017-09-25 11:20:206826 Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統也通過了認證,可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術。
2017-10-11 11:13:422372 在2011年初,英特爾公司推出了商業化的FinFET,使用在其22納米節點的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 英特爾采用7nm FinFET工藝制成的EyeQ4無人駕駛芯片將會在明年上市,EyeQx芯片來自Mobileye,單顆芯片的TDP是5W。NVIDIA Xaiver會是她最強勁的對手。
2017-12-15 12:43:212862 中芯國際聯席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝,并藉此進入AI芯片領域。
2018-05-14 14:52:005009 。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協助雙方共同客戶更快地為高增長市場提供芯片創新。 TSMC 設計基礎架構營銷部資深總監 Suk Lee 表示:“Mentor 通過提供更多功能和解決方案來支持我們最先進的工藝,持續為TSMC 生態系統帶來了了更高的價值。
2018-05-17 15:19:003391 Synopsys設計平臺用于高性能、高密度芯片設計 重點: Synopsys設計平臺獲得TSMC工藝認證,支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術,已成功用于客戶的多個設計項目。 針對
2018-05-17 06:59:004461 替換高清大圖 請點擊此處輸入圖片描述 中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝,并借此進入...... 晶圓制造是目前芯片設計環節
2018-05-17 09:37:354975 在領先、變革、開放、合作的掌聲中,全球首個7nm量產芯片發布會落下帷幕。
2018-08-13 16:53:0818352 梁孟松是臺積電前研發處長,是臺積電FinFET工藝的技術負責人,而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進的關鍵,2014年臺積電研發出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310 根據中芯國際之前的爆料,其14nm工藝良率已達95%,進展符合預期,已經進入了客戶導入階段,正在進行驗證及IP設計。另外,中芯國際聯席CEO梁孟松宣布計劃在2019年上半年風險試產14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212 和KylinCloud銀河麒麟云平臺上的SPEC Cloud IaaS 2018測試結果。這是全球首個在ARM64平臺上通過SPEC測試并正式發布的結果。
2019-12-26 14:04:222720 據中國臺灣消息報道,中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經從競爭對手臺積電手中,奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677 關注半導體產業的臺灣《電子時報》(DigiTimes)1 月 13 日報道稱,中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電,奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094 今年 2 月份 2019 年 Q4 財季的財報會議上, 聯席 CEO 梁孟松博士公開了中芯國際 N+1、N+2 代工藝的情況,N+1 工藝相當于臺積電的第一代 7nm 工藝,N+2 相當于臺積電的 7nm+ 工藝。
2020-03-12 09:14:332804 去年,中芯國際表示將在四季度開啟基于 14nm FinFET 制程的量產芯片。同時,該公司也在努力開發下一代主要節點(N+1),宣稱具有可媲美 7nm 工藝的部分特性。
2020-03-24 13:45:342567 業界普遍認為,中芯國際N+1工藝相當于臺積電第一代7nm工藝,N+2則相當于臺積電7nm+,重點在提升性能,年底即可量產。
2020-03-24 17:09:1824612 國內最大的晶圓代工廠中芯國際昨晚發布了2019年報,營收31.16億美元,公司擁有人應占利潤為2.347億美元,同比增長75%。
2020-04-01 16:29:4822296 5月14日, Cadence宣布基于中芯國際14nm工藝的10Gbps多協議PHY研發成功,這是行業首個SMIC FinFET工藝上有成功測試芯片的多協議SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:442619 稱,該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產,第二代FinFET N+1工藝已經進入客戶導入階段,可望于2020年底小批量試產。 按照這樣的時間表推測,中芯國際N+1代工藝確實會在2021年規模量產。 N+1是中芯國際對其第二代先進工藝的代號,但從未明確
2020-09-26 10:11:392092 第一代FinFET 14納米已于2019年四季度量產;第二代FinFET N+1已進入客戶導入階段,可望于2020年底小批量試產。 據集微網2月報道,在中芯國際2019第四季度財報會議上,梁孟松博士透露了中芯國際下一代N+1工藝的詳細數據。 梁孟松博士透露,中芯國際的下一代
2020-09-30 10:49:592771 710A 芯片等進行代工。 對此,中芯國際回應稱,公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產,第二代FinFET N+1工藝已經進入客戶導入階段,有望于2020年底小批量試產。在沒有使用EUV光刻機的情況下,中芯國際實現了14nm以下的先進制造工藝,不能不說
2020-09-30 14:24:188395 9月21日消息,上周有投資者向中芯國際求證中芯關于下一代芯片量產消息,中芯國際回答表示,中芯國際第二代 FinFET N+1 已進入客戶導入階段,可望于 2020 年底進行小批量試產。
2020-10-12 09:42:551413 據珠海特區報近日報道稱,中國領先的一站式IP和定制芯片領軍企業——芯動科技發布消息稱,該公司已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過,為國產半導體生態鏈再立新功。
2020-10-12 09:46:186133 根據中芯國際聯席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示,N+1工藝和現有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數據來看,與7nm工藝相近。
2020-10-12 10:03:044881 自2019年始,芯動在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下,團隊全程攻堅克難,投入數千萬元設計優化,率先完成NTO流片?;?b class="flag-6" style="color: red">N+1制程的首款芯片經過數月多輪測試迭代,助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。
2020-10-12 11:11:566384 我國一站式IP定制芯片企業芯動科技(INNOSILICON)近日宣布:已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過。 芯動科技擁有自主
2020-10-13 17:33:192964 據消息,IP和定制芯片企業芯動科技已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次性通過。 在半導體領域,芯片流片也就等同于試生產,即設計完電路
2020-10-16 10:26:1112497 作為中國大陸技術最先進、規模最大的晶圓代工企業,中芯國際的制程工藝發展一直備受關注。歷經20年,其制程工藝從0.18微米技術節點發展至如今的N+1工藝。
2020-10-20 16:50:105947 近日,國際測試委員會(BenchCouncil)在2020青島創新節期間舉辦的的智能計算機大會和芯片大會聯合主論壇上發布了國際首個智能超級計算機榜單HPC AI500。日本富士通公司奪得榜首,騰訊公司位列第四,中日美三國公司包攬榜單前九。
2020-11-03 14:41:541838 ,可望于2020年底小批量試產。 此外,中芯國際方面還重申,目前公司營運和采購如常。 其實去年11月就曾有消息稱,中芯國際已經啟動了14nm FinFET工藝芯片的量產,且計劃2019年年底前進行12nm FinFET的風險試產。 按照中芯國際當時在2019年Q3季度財報公布的情況,公司第一代FinFET已
2020-12-04 18:08:151858 據科創板日報報道稱,中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產。
2020-12-05 09:13:361519 2019 年四季度進入量產,第二代 FinFET 已進入小量試產。 IT之家了解到,中芯國際于 2019 年實現了國內最先進的 14nm 工藝制程量產,并已為華為麒麟 710A 芯片等進行代工。 今年9月份,投資者向中芯國際求證中芯關于下一代芯片量產消息,中芯國際回答表示:中芯國際第二代
2020-12-07 11:23:372570 據最新消息,我國芯片生產巨頭中芯國際在互動平臺公開表示,該司即將在2020年底小批量試產第二代FinFET N+1芯片,目前這一芯片已經進入客戶導入階段。去年年底,中芯國際率先完成任務,完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產工作。
2020-12-08 15:41:092788 從中芯國際官網的介紹來看,該公司提到的最先進工藝還是14nm,接下來的是N+1、N+2工藝,但沒有指明具體的工藝節點。
2021-05-14 09:46:013193 )認證,亦是全球首個榮獲國際暗天協會認證的顯示技術。E Ink電子紙的反射式顯示特性使其可通過環境光源顯示屏幕畫面,不自發光。在夜間觀看時,通過小型LED燈條即能照亮整個顯示屏幕,減少過度消耗可能干擾所處社區或環境的雜散光。 電子紙成為全球首個榮獲“國際黑暗天空協會”認證的顯示技術 隨著智慧城
2022-02-17 14:14:381416 作為全球頂級科研巨頭的IBM在這一領域有了新的突破,通過與AMD、三星等多家公司合作,推出了2nm的測試芯片,這可是全球首顆2nm芯片。
2022-06-24 09:33:491041 全球首個2nm芯片是哪個國家的?全球首個研發出2nm芯片的國家亦不是臺積電,也不是三星,更不是聯發科,而是來自美國的IBM。
2022-06-29 16:34:144184 全球首個2nm芯片是中國的嗎?全球首個2nm芯片并不是中國制造的,而是由來自美國的IBM公司制造的,全球首顆2nm芯片位于美國紐約州奧爾巴尼半導體研究機構設計和生產。
2022-06-29 17:09:084040 2021年5月,IBM發布全球首個2納米芯片制造技術,首顆2nm工藝芯片用EUV光刻機進行刻蝕在指甲大小的芯片上,集成了500億顆晶圓體,IBM通過與AMD、三星率先推出測試芯片,處于全球領先地位。
2022-07-04 09:21:412104 IBM宣布已開發出全球首個2nm工藝的半導體芯片,采用三層GAA環繞柵極晶體管技術,首次使用底介電隔離通道,其潛在性能和電池續航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 ASIC設計服務暨IP研發銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE: 3035)今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設計服務(design implementation service),由客戶指定制程(8納米、7納米、5納米及更先進工藝)及生產的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數,例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實現更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱,優化至關重要。
2023-01-04 15:54:511488 當做到FinFET工藝時才了解到這個名詞,在平面工藝時都沒有接觸SHE(self-heating effect)這個概念。為什么到FinFET下開始需要注意SHE的影響了呢?下面參考一些材料總結一下分享,如有不準確的地方請幫指正。
2023-12-07 09:25:09677 且值此具有歷史意義的時刻,位于法國格勒諾布爾的行業領軍企業Dolphin Design,已于近期成功流片首款內置先進音頻IP的12 nm FinFET測試芯片,這無疑是公司發展路上一座新的里程碑。
2024-02-22 15:53:11173
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