針對(duì)“臺(tái)積電再度將 3 納米芯片量產(chǎn)延期三個(gè)月”的消息，臺(tái)積電近日回應(yīng)稱(chēng)，3 納米制程的發(fā)展符合預(yù)期，良率高，將在第四季度晚些時(shí)候量產(chǎn)。 ?

同時(shí)，臺(tái)積電總裁魏哲家也在近日法說(shuō)會(huì)上提到，3 納米進(jìn)度符合預(yù)期，具備良好良率并將在第四季度量產(chǎn)，在高速運(yùn)算和智能手機(jī)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，客戶對(duì)3納米需求超過(guò)產(chǎn)能。 ? 盡管臺(tái)積電對(duì)3納米芯片量產(chǎn)持樂(lè)觀態(tài)度，但其在3納米芯片仍然堅(jiān)持FinFet工藝，是否就是其被傳延期的根本原因呢?其工藝路線是否太激進(jìn)? ? ?

第四季度量產(chǎn)“初代版本”3納米芯片?

? 據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)道，蘋(píng)果將在2023年成為第一家使用臺(tái)積電最新3nm制程工藝的公司，即N3E(3nm Enhanced)制程工藝。據(jù)悉，N3E工藝芯片將用在蘋(píng)果2023年的新款iPhone和Mac電腦上。 ? 知情人士透露，蘋(píng)果目前研發(fā)的A17處理器將使用臺(tái)積電的N3E(3nm Enhanced)制程工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2023下半年上市。知情人士還稱(chēng)，A17處理器將用在2023年發(fā)布的iPhone 15 Pro系列上，而基本款的iPhone 15將仍然采用A16處理器。此外，用于新款Mac電腦的M3處理器也將采用N3E制程工藝。 ? 據(jù)悉，臺(tái)積電員工在臺(tái)灣新竹市的技術(shù)研討會(huì)上透露，N3E工藝將比N3工藝提供更好的性能和能源效率。另外也有消息透露，與5nm工藝(N5)相比，在同等性能和密度的條件下，N3E的功耗降低34%、性能提升18%，晶體管密度提升60%。 ?

此前，有消息人士透露，臺(tái)積電內(nèi)部決定放棄N3工藝，轉(zhuǎn)攻2023下半年量產(chǎn)成本更優(yōu)的N3E工藝。業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，導(dǎo)致該結(jié)果的主要原因是蘋(píng)果對(duì)臺(tái)積電第一代3nm芯片的效果不滿意。由于采用第一代3nm工藝的客戶較少，蘋(píng)果又是臺(tái)積電的主要大客戶，所以臺(tái)積電或?qū)⒎艞?nm工藝，轉(zhuǎn)而投入表現(xiàn)更好的N3E工藝。 ? 綜合以上信息，臺(tái)積電今年第四季度量產(chǎn)的3納米芯片是否會(huì)是“初代版本”呢? 而初代版本的3納米工藝很可能因?yàn)椴怀墒欤淞计仿孰y以達(dá)到客戶預(yù)期。

? ? 技術(shù)工藝路線太激進(jìn)? ? ?

今年上半年，三星采用GAA工藝率先量產(chǎn)3納米芯片，但很多性能指標(biāo)上遠(yuǎn)不及臺(tái)積電的N3工藝，比如晶體管密度。相對(duì)而言，臺(tái)積電N3工藝路線是非常“保守”的，仍然采用FinFet工藝，這是否就是其3納米芯片延期，甚至落后三星的根本原因呢? ? 實(shí)際上，在工藝路線選擇上，臺(tái)積電N3工藝跟英特爾10nm芯片工藝選擇有些類(lèi)似。Intel一直在10nm之前的工藝節(jié)點(diǎn)上“一騎絕塵”，但在10nm芯片上則直接翻車(chē)。有人總結(jié)其根本原因在于：Intel的10nm工藝芯是在“刀尖跳舞”，自信變成了自負(fù)。

? 當(dāng)時(shí)，英特爾規(guī)劃10nm工藝芯片時(shí)，由于EUV還無(wú)法商用化，就必須在不依賴(lài)EUV的情況下去生產(chǎn)10nm芯片。而英特爾可選的路子就只有兩條：一是把10nm的技術(shù)規(guī)格控制在當(dāng)時(shí)DUV光刻可接受的程度;二是在多重曝光技術(shù)SAQP上下賭注，若成功順帶解決7nm工藝芯片的問(wèn)題。 ?

后來(lái)，Intel選了后面這條路線，把線寬拖到必須采用SAQP才能解決的寬度(目前DUV密度最高的工藝)。果不其然，Intel在10nm工藝芯片上遭遇失敗。因此，Intel的10nm工藝芯片是不太符合當(dāng)時(shí)的技術(shù)背景，規(guī)格高于技術(shù)棧的能力。 ? 那么，臺(tái)積電的3nm芯片選擇FinFet工藝是否也有共同之處?根據(jù)目前的資料，臺(tái)積電N3的預(yù)計(jì)密度是300，并且依舊是FinFet工藝。 ? 相對(duì)而言，GAA肯定比FinFet更難造，但隨著晶體管尺度向5nm甚至3nm邁進(jìn)，F(xiàn)inFET本身的尺寸已經(jīng)縮小至極限后，無(wú)論是鰭片距離、短溝道效應(yīng)、還是漏電和材料極限也使得晶體管制造變得岌岌可危，甚至物理結(jié)構(gòu)都無(wú)法完成。因此，很多資深專(zhuān)業(yè)人士都認(rèn)為，當(dāng)工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)階到3nm時(shí)，F(xiàn)inFET已不可行，將轉(zhuǎn)向GAA。 ? 然而，臺(tái)積電3納米芯片仍然選擇FinFET，是不是跟英特爾當(dāng)年10納米芯片一樣，在技術(shù)極限挑戰(zhàn)。那么，臺(tái)積電3納米芯片延期也在情理之中。

? ? 3納米訂單數(shù)量不如預(yù)期

? 盡管3納米技術(shù)是業(yè)界非常期待的技術(shù)，但由于其應(yīng)用成本過(guò)高，且在絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景下都屬性能過(guò)剩，導(dǎo)致其必然成為小眾的芯片工藝技術(shù)。不過(guò)，正如上文所述，預(yù)計(jì)N3工藝不會(huì)被采用，畢竟初代版本技術(shù)成本太高、良率太低，而N3E工藝作為增強(qiáng)版將進(jìn)一步提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍，成為蘋(píng)果的首選技術(shù)工藝。 ? 在第三季度財(cái)報(bào)會(huì)議上，臺(tái)積電透露了3nm工藝的最新進(jìn)展，由于訂單數(shù)量不如預(yù)期，項(xiàng)目的實(shí)際落地時(shí)間或?qū)⑼七t至今年底。據(jù)悉，英特爾、AMD和英偉達(dá)都不再支持臺(tái)積電首批3nm工藝，而蘋(píng)果則按原計(jì)劃生產(chǎn)A17仿生芯片與M3芯片。 ?

毫無(wú)疑問(wèn)，在芯片技術(shù)選擇上，蘋(píng)果才有財(cái)力和意愿支持臺(tái)積電N3E工藝，進(jìn)而保證其產(chǎn)品陣營(yíng)的領(lǐng)先性。然而，英特爾、AMD和英偉達(dá)暫時(shí)不選擇N3E工藝更多的是考量PC市場(chǎng)需求不旺，沒(méi)有必要冒著良率不足的風(fēng)險(xiǎn)搶奪首批3nm工藝。 ? 不過(guò)，毫無(wú)疑問(wèn)，臺(tái)積電3納米工藝仍然是受歡迎的。據(jù)悉，臺(tái)積電N3E工藝中256Mb SRAM的平均良率將達(dá)到80%，移動(dòng)設(shè)備以及HPC芯片良率也為80%左右。受限于市場(chǎng)因素，英特爾、AMD和英偉達(dá)才擱置采用臺(tái)積電N3E工藝芯片的計(jì)劃。

? 為iPhone制造零部件的公司Murata Manufacturing(村田制作所)認(rèn)為，智能手機(jī)銷(xiāo)量的下降將持續(xù)到2023年。該公司估計(jì)，2021年，全球智能手機(jī)市場(chǎng)出貨量為13.6億部，而2022年的總銷(xiāo)量可能低于12億部，這主要由中國(guó)市場(chǎng)的需求下降導(dǎo)致。 ? Canalys預(yù)計(jì)，2022年第三季度，全球個(gè)人電腦市場(chǎng)面臨需求大幅下降的趨勢(shì)。臺(tái)式電腦和筆記本電腦總發(fā)貨量下降18%，至6,940萬(wàn)臺(tái)。不利的宏觀經(jīng)濟(jì)和行業(yè)因素削弱了個(gè)人電腦市場(chǎng)的勢(shì)頭，包括高通脹、利率上升和庫(kù)存膨脹，這一趨勢(shì)可能持續(xù)到2023年。 ? 由此可見(jiàn)，臺(tái)積電要指望N3E工藝贏得更多訂單，可能需要再等一年，而N3E工藝對(duì)其經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)能帶來(lái)多大助力還有待觀察。 ?

編輯：黃飛

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