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關(guān)于電子束光刻工藝技術(shù)解讀
- 電子束(12988)
- 光刻工藝(1764)
相關(guān)推薦
EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節(jié)點(diǎn)
推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:42
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3424半導(dǎo)體器件制造中的蝕刻工藝技術(shù)概述
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522869
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光刻工藝的基本步驟
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995
13995淺談半導(dǎo)體制造中的光刻工藝
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427
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半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241338
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光刻技術(shù)原理及應(yīng)用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
光刻膠在集成電路制造中的應(yīng)用
時(shí))。EUV光刻和X光光刻則可以達(dá)到更高的分辨率。然而, 它們存在的掩膜制造困難，且掩膜易被強(qiáng)光損傷等缺陷限制了它們的工業(yè)化生產(chǎn)。而電子束光刻膠極有可能在集成電路線寬降至納米級時(shí)大顯身手，目前國外電子束膠
2018-08-23 11:56:31
光刻機(jī)工藝的原理及設(shè)備
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
關(guān)于MEMS的技術(shù)簡介
`MEMS全稱Micro Electromechanical System（微機(jī)電系統(tǒng)），是一種通常在硅晶圓上以IC工藝制備的微機(jī)電系統(tǒng)，微機(jī)械結(jié)構(gòu)的制備工藝包括光刻、離子束刻蝕、化學(xué)腐蝕、晶片鍵合
2020-05-12 17:27:14
電子束沿多層膜表面運(yùn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的電磁輻射
都按指數(shù)規(guī)律變化,實(shí)際電子束自發(fā)輻射的總輻射功率與金屬-介質(zhì)多層膜的空間周期成反比。【關(guān)鍵詞】：激光技術(shù);;史密斯-帕塞爾效應(yīng);;金屬-介質(zhì)多層膜;;光柵【DOI】：CNKI:SUN
2010-04-26 16:15:43
CHA2066-QAG低噪聲放大器UMS
，橫穿基板的通孔，空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)。CHA2066-QAG以無鉛SMD封裝形式提供。主要特征寬帶性能10-16GHZ2.5db相位噪聲，10-16GHZ（BD）16db增益值，1.5db增益值
2024-02-05 09:13:49
CHA3688aQDG低噪聲放大器UMS
UMS的CHA3688aQDG是款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
CHA3688aQDG選用 pHEMT 工藝技術(shù)、0.25μm 柵極尺寸、橫穿基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻工藝生產(chǎn)
2024-03-06 15:46:20
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機(jī)臺(tái)能在使用離子束切割樣品的同時(shí)，用電子束對樣品斷面(剖面)進(jìn)行觀察，亦可進(jìn)行EDX的成份分析。iST宜特檢測具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒有金屬時(shí)的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時(shí)，金屬層會(huì)下降到半導(dǎo)體中。4 本報(bào)告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
【AWorks280試用申請】電子束高壓逆變電源控制系統(tǒng)研究
申請理由：我們是北京航空航天大學(xué)新型電源研究實(shí)驗(yàn)室，我們的電子束焊接項(xiàng)目欲用arm架構(gòu)的開發(fā)板進(jìn)行試驗(yàn)，故申請致遠(yuǎn)電子AWorks開發(fā)板免費(fèi)試用機(jī)會(huì)項(xiàng)目描述：我們是北京航空航天大學(xué)新型電源研究實(shí)驗(yàn)室
2015-10-23 10:09:58
光芯片前端工藝工程師
1、 電子、物理、通信、材料等專業(yè)，本科以上學(xué)歷，3年以上的PECVD\LPCVD沉積工作經(jīng)驗(yàn)； 2、 了解半導(dǎo)體工藝、精通PECVD或LPCVD材料生長技術(shù)； 3、 精通PECVD或LPCVD設(shè)備
2012-12-19 22:42:16
剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動(dòng)性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢是什么？
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
國科大《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程分享之二：浸沒式光刻工藝缺陷種類、特征及自識(shí)別方法
中國科學(xué)院大學(xué)（以下簡稱國科大）微電子學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院，國科大微電子學(xué)院開設(shè)的《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程是國內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程，而開設(shè)課程
2021-10-14 09:58:07
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺(tái)面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺(tái)階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺(tái)面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
活性電子束探測技術(shù)對現(xiàn)有失效分析過程的補(bǔ)充
失效分析實(shí)驗(yàn)室中，我們檢查了電阻對比成像(RCI)和電子束感應(yīng)電流(EBIC)，并成功將其用作失效點(diǎn)隔離技術(shù)。從這些技術(shù)獲得的結(jié)果得到了其它失效分析方法的支持，例如光學(xué)顯微鏡和曲線軌跡分析等。最后
2018-10-22 16:44:07
濕法蝕刻工藝
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
現(xiàn)代焊接技術(shù)中的電子束焊接技術(shù)
過程中焊接深度以及焊接寬度之間的比值較高，第四是電子束焊接技術(shù)在應(yīng)用的過程中不僅僅局限在導(dǎo)電材料的焊接工藝中，第五是電子束焊接技術(shù)受到磁場的影響較小，再次是電子束焊接在應(yīng)用的過程中不會(huì)出現(xiàn) X 射線
2018-03-15 11:18:40
芯片制作工藝流程 二
:193nm)為曝光光源。為了 解決上述所提到的缺點(diǎn)，用比光的波長更短的X線(l=1-10nm)作為曝光光源，技術(shù)上有很大的進(jìn)展，利用X線和電子束進(jìn)行光刻時(shí)，其焦深較深，對表面平坦度沒有苛刻的要求。 接近式
2019-08-16 11:11:34
鍺化硅工藝在高速通信領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個(gè)很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術(shù)還在哪些高速通信領(lǐng)域應(yīng)用呢？
2019-07-30 07:56:50
使用電子顯微鏡進(jìn)行電子束光刻
IC設(shè)計(jì)芯片測試儀器儀表晶圓制造行業(yè)芯事工具使用芯片驗(yàn)證板
San Zeloof發(fā)布于 2021-08-24 11:05:20
電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam
價(jià)格貨期電議電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam Evaporation System電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)對比, 能夠在非常高的溫度下熔化材料, 如鎢, 石墨 ... 等等. 結(jié)合石英震蕩片的反饋信號(hào), 可
2022-11-04 11:01:13
#半導(dǎo)體制造工藝 電子束光刻：電子光學(xué)和光束偏轉(zhuǎn)
光學(xué)制造工藝半導(dǎo)體制造集成電路工藝
電子技術(shù)那些事兒發(fā)布于 2022-10-15 15:04:41
#半導(dǎo)體制造工藝 補(bǔ)充電子束光刻：設(shè)計(jì)準(zhǔn)備和分裂
制造工藝半導(dǎo)體制造集成電路工藝
電子技術(shù)那些事兒發(fā)布于 2022-10-15 15:09:16
#硬聲創(chuàng)作季 【動(dòng)畫科普：電子束光刻如何工作？】電子束光刻是什么？與光刻又有和區(qū)別？
經(jīng)驗(yàn)分享
Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 10:26:07
英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米
英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者
2010-02-25 10:17:55966
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Intel 22nm光刻工藝背后的故事
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085
1085超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181
1181光刻膠與光刻工藝技術(shù)
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
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0納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù)
隨著 納米加工 技術(shù)的發(fā)展,納米結(jié)構(gòu)器件必將成為將來的集成電路的基礎(chǔ). 本文介紹了幾種用電子束光刻、反應(yīng)離子刻蝕方法制備硅量子線、量子點(diǎn)和用電子束光刻、電子束蒸發(fā)以及剝
2011-06-20 16:16:0935
35MIT實(shí)現(xiàn)9納米工藝電子束光刻技術(shù)
麻省理工學(xué)院 (MIT)的研究人員表示，已經(jīng)開發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在芯片上寫入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)小于原先所預(yù)期的尺寸
2011-07-12 09:01:371498
1498看懂光刻機(jī):光刻工藝流程詳解
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273
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PCB蝕刻工藝原理_pcb蝕刻工藝流程詳解
本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn)，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479
40479美光表示：EUV光刻機(jī)在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會(huì)用到它
今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV
2018-06-07 14:49:006059
6059美光認(rèn)為暫時(shí)用不上EUV光刻機(jī)，DRAM工藝還需發(fā)展
隨著技術(shù)的發(fā)展，今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，下一代將在2020年進(jìn)入5nm工藝，2022年進(jìn)入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，預(yù)計(jì)到5nm工藝將會(huì)上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491149
1149EUV光刻工藝終于商業(yè)化 新一代EUV光刻工藝正在籌備
隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個(gè)里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376
3376如何進(jìn)行電子束光刻中的相互鄰近效應(yīng)校正技術(shù)研究與分析
本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級鄰近效應(yīng)校正技術(shù)，在內(nèi)部鄰近效應(yīng)校正的基礎(chǔ)上，在計(jì)算圖形之間產(chǎn)生的相互鄰近效應(yīng)過程中，采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機(jī)制。局部曝光窗口的區(qū)域小，對計(jì)算精度
2018-12-05 11:20:264
4曝光成像與顯影工藝技術(shù)的原理及特點(diǎn)
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336
31336中國與國外相比較光刻工藝差別到底在哪里
作為制造芯片的核心裝備，光刻機(jī)一直是中國的技術(shù)弱項(xiàng),其技術(shù)水平嚴(yán)重制約著中國芯片技術(shù)的發(fā)展。荷蘭ASML公司的光刻機(jī)設(shè)備處于世界先進(jìn)水平，日本光刻設(shè)備大廠都逐漸被邊緣化，國內(nèi)更是還有很大的差距。那么中國光刻工藝與國外頂尖公司究竟相差多少代技術(shù)呢？
2019-06-16 11:18:408244
8244電子束焊原理_電子束焊特點(diǎn)
本文首先闡述了電子束焊原理，其次介紹了電子束焊技術(shù)指標(biāo)，最后介紹了電子束焊特點(diǎn)。
2019-12-10 10:18:2613471
13471電子束焊優(yōu)缺點(diǎn)_電子束焊接工藝
本文首先介紹了電子束焊優(yōu)缺點(diǎn)，其次闡述了電子束焊接工藝。最后闡述了電子束焊的基本工藝流程。
2019-12-10 10:37:3829225
29225提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)及光刻機(jī)的發(fā)展情況
作為光刻工藝中最重要設(shè)備之一，光刻機(jī)一次次革命性的突破，使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。 光刻機(jī) 光刻機(jī)（Mask
2020-08-28 14:39:0411746
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電子束焊是什么意思_電子束焊的應(yīng)用
電子束焊是指利用加速和聚焦的電子束轟擊置于真空或非真空中的焊接面，使被焊工件熔化實(shí)現(xiàn)焊接。真空電子束焊是應(yīng)用最廣的電子束焊。
2020-09-02 16:42:307861
7861電子束焊的焊接參數(shù)有哪些_電子束焊的特點(diǎn)
本文首先介紹了電子束焊的焊接參數(shù)，其次闡述了電子束焊的技術(shù)要求，最后介紹了電子束焊的特點(diǎn)。
2020-09-02 16:50:2210465
10465電子束焊分類_電子束焊的技術(shù)指標(biāo)
本文首先闡述了電子束焊分類，其次介紹了電子束焊主要用途，最后介紹了電子束焊的技術(shù)指標(biāo)。
2020-09-03 16:36:067555
7555PCBA開發(fā)的開發(fā)受到光刻工藝的影響
重要要點(diǎn) l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設(shè)計(jì)指南。 可以說，有史以來研究最多的文物是都靈裹尸布。進(jìn)行廣泛檢查的原因，從來源的宗教建議
2020-09-16 21:01:161361
1361一文看懂電子束與離子束加工工藝
電子束加工和離子束加工是近年來得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們在精密微細(xì)加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來說，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815
15關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識(shí)點(diǎn)集合
最近光博會(huì)上看到一本關(guān)于光刻的小冊子，里面有一點(diǎn)內(nèi)容，分享給大家。 關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。 開篇 光刻的原理 表面處理：一般的晶圓光刻前都需要清潔干凈，特別是有有機(jī)物
2021-10-13 10:59:423893
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關(guān)于非晶半導(dǎo)體中的光刻工藝的研究報(bào)告
。后一種工藝是集成電路微制造技術(shù)的基礎(chǔ)。微電子工業(yè)不斷增長的需求需要光刻材料（光刻劑)，具有亞微米分辨率、高靈敏度、對微電子中常用的基質(zhì)的良好粘附，以及對廣泛的等離子體和濕化學(xué)蝕刻劑的高抗性。 非晶態(tài)半導(dǎo)體材料
2022-01-19 16:08:46375
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關(guān)于濕法蝕刻工藝對銅及其合金蝕刻劑的評述
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241862
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半導(dǎo)體等精密電子器件制造的核心流程：光刻工藝
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2022-06-21 09:30:0916641
16641光刻工藝中使用的曝光技術(shù)
根據(jù)所使用的輻射，有不同類型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中，有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169
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美國公司Zyvex使用電子束光刻制造出0.7nm芯片
氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式，它通過非常簡單的儀器實(shí)現(xiàn)原子分辨率，并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學(xué)有效地聚焦低能電子和振動(dòng)加熱方法，以產(chǎn)生高度非線性（多電子）的曝光機(jī)制。
2022-09-27 10:39:542524
2524深度解析EUV光刻工藝技術(shù)
光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053180
3180計(jì)算光刻技術(shù)的發(fā)展
計(jì)算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)來增強(qiáng)光刻工藝中圖形轉(zhuǎn)移保真度的一種方法，它是分辦率增強(qiáng)技術(shù)(ResolutionEnhancement
2022-10-26 15:46:222274
2274廈門云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S
來源：云天半導(dǎo)體 廈門云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854
854EUV光刻工藝制造技術(shù)主要有哪些難題？
光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129
1129芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205860
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什么是光刻工藝？光刻的基本原理
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589
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氦質(zhì)譜檢漏儀電子束***檢漏
上海伯東客戶某光刻機(jī)生產(chǎn)商, 生產(chǎn)的電子束光刻機(jī) Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和 6英寸的掩模版, 適合納米壓印, 光子器件
2023-06-02 15:49:40492
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低能量電子束曝光技術(shù)
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292
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基于JSM-35CF SEM的納米電子束光刻系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用
在電子和電氣制造業(yè)中，光刻技術(shù)是制造無源/有源器件的重要步驟。
2023-11-20 09:30:05407
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光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326
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德累斯頓工廠的電子束光刻系統(tǒng)
和光通信領(lǐng)域的客戶制造高精度微型光學(xué)元件。制造商是位于德國耶拿的電子束技術(shù)專家Vistec Electron Beam GmbH。該系統(tǒng)將于2025年初交付。 以最高精度創(chuàng)建最小的結(jié)構(gòu) 這種類型的電子束光刻系統(tǒng)可以在直徑達(dá)300毫米的襯底上以10納米范圍（約為頭發(fā)絲的1/2,000）精度
2024-01-15 17:33:16177
177基于SEM的電子束光刻技術(shù)開發(fā)及研究
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計(jì)圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28207
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電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見問題介紹
本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。
2024-03-17 14:33:52174
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工商網(wǎng)監(jiān)
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