全球領(lǐng)先的EEPROM存儲(chǔ)器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體率先發(fā)布針對(duì)密集型數(shù)據(jù)寫應(yīng)用的2-Mbit串口EEPROM芯片.
2011-06-21 09:00:35
1310 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲(chǔ)器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:371037 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 
16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。 ? 這個(gè)創(chuàng)新架構(gòu)讓設(shè)計(jì)人員能夠在同一存儲(chǔ)器上管理固件和靈活存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這種組合在以前是沒有的
2022-07-01 11:17:26697 ，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40399 
嗨，
我有 8Mbit 的 esp-03 的 corect 固件問題
當(dāng)我將新的 lua 固件下載到 4Mb 時(shí)，一切都是 corect，
當(dāng)我嘗試對(duì) 8Mb 做同樣的事情時(shí)，我也必須
2023-04-26 08:48:33
F-RAM存儲(chǔ)技術(shù)是怎樣進(jìn)入汽車核心應(yīng)用領(lǐng)域的？
2021-05-13 06:29:08
你好！關(guān)于FRAM存儲(chǔ)器的可靠性和需要考慮什么樣的軟件，我有一些問題。在寫操作期間電源故障的影響是什么？這會(huì)影響被更新的字節(jié)，使其處于未知和潛在的易失狀態(tài)嗎？這會(huì)影響整排嗎？讀/寫干擾F RAM
2018-11-02 14:27:34
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱鐵電存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類為非易失性存儲(chǔ)器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲(chǔ)器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
存儲(chǔ)器ram的特點(diǎn)
2021-01-05 06:57:06
失是指存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)的內(nèi)容是否會(huì)丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲(chǔ)器的速度要快于非易失性存儲(chǔ)器。1.1 易失性存儲(chǔ)器 按照RAM的物理存儲(chǔ)機(jī)制，可以...
2021-07-16 07:55:26
： 這種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲(chǔ)器，從功能上看，它們又可以隨時(shí)改寫信息，作用又相當(dāng)于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義。 1、快擦寫存儲(chǔ)器（FLASH
2017-10-24 14:31:49
： 這種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲(chǔ)器，從功能上看，它們又可以隨時(shí)改寫信息，作用又相當(dāng)于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義。 1、快擦寫存儲(chǔ)器（FLASH
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-22 09:30:32
一塊DDR2的說明寫的是512Mbit (32Mbit * 16) ，這個(gè)是什么意思？
2015-02-10 15:15:26
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-02 09:43:10
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-08-16 09:22:13
該板上檢測(cè)到NLP。我嘗試在重置線上電后重置PHY，但這沒有用。顯然，我的PHY配置有問題，但由于Ido沒有PHY的數(shù)據(jù)表，我不知道如何重新配置??它甚至測(cè)試其當(dāng)前配置。 PHY是否將配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中？寄存器中有一點(diǎn)需要改變嗎？部件是否完全壞了？
2019-08-27 07:45:17
Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲(chǔ)器Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速
2008-10-08 09:23:16
SRAM接口。所有這些實(shí)現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級(jí)別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時(shí)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的容量。該存儲(chǔ)器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
/stm32f427vg.pdf)，STM32F429有一個(gè)“具有高達(dá) 32 位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲(chǔ)器控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR
2023-01-04 06:10:10
世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
)64Kbit-512Kbit.3.PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM(虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM
2013-08-27 09:34:11
)4Mbit-64Mbit.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
我們?cè)赑SoC? Creator 中有一個(gè) PSoC6 項(xiàng)目，并希望將 QSPI F-RAM?存儲(chǔ)器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很難找到如何在F-RAM? PSoC
2024-03-01 12:14:13
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類易失性存儲(chǔ)器： 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器：掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
1.芯片簡(jiǎn)介鐵電存儲(chǔ)器F-RAM，2Mbit（256K * 8） SPI（Upto 40MHz）項(xiàng)目有用到，做個(gè)mark，有錯(cuò)誤請(qǐng)指正。2.接線引腳較少，具體可參考datasheet中引腳定義和接線
2022-03-02 06:55:36
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
題目：某計(jì)算機(jī)字長(zhǎng)16位，主存容量128KW，請(qǐng)用16K 8 的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)芯片和32K 16的ROM芯片，為該機(jī)設(shè)計(jì)一個(gè)主存儲(chǔ)器。要求18000H1FFFFH為ROM區(qū)，其余為RAM區(qū)。畫出存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其與CPU連接的框圖。答案：...
2021-07-28 06:33:04
大俠幫忙簡(jiǎn)述一下英飛凌XC878的存儲(chǔ)器擴(kuò)展機(jī)制{:10:}
2018-12-18 09:43:54
stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意義么，看原子戰(zhàn)艦也才8M，是不是有點(diǎn)浪費(fèi)，F1性能能消耗這么大內(nèi)存么？
2019-05-07 02:35:35
查看了Microchip 的EEPROM資料，好像都是只有到1Mbit， 這樣折算下來，也才有128KByte的數(shù)據(jù)量可以存儲(chǔ)。請(qǐng)問各位見多識(shí)廣的大神，有沒有1MByte的數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)的EEPROM推薦，有的話型號(hào)是什么？
2019-01-21 08:12:36
.7.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit-512Mbit9.DDR2/DDR3 SDRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2013-08-30 10:31:33
~64Mbit.5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit~1Gbit7.MCP 512Mbit+256Mbit
2013-07-17 09:52:33
論述2,4-Mbit
2009-05-23 15:17:40
16 FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F-RAM Memory
The FM22LD16 is a 256Kx16 nonvolatile memorythat reads
2010-03-03 15:05:3111 FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit Bytewide F-RAM Memory
The FM28V100 is a 128K x 8 nonvolatile
2010-03-03 15:07:3928 FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件
世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)
2009-08-18 11:58:321555 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28636 32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應(yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測(cè)試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事
2010-06-22 10:15:46883 本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 宣布，
2010-12-20 09:02:481087 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速 (QDR) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM
2011-01-10 09:48:43532 Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器，W系列器件帶有串口I2C、SPI接口和并行接口，能夠提供從2.7V 到 5.5V的更寬電壓范圍
2011-03-12 10:47:551740 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一款容量高達(dá) 72 Mbit 的先進(jìn)先出 (FIFO) 存儲(chǔ)器。該款全新的高容量 (HD) FIFO 是視頻及成像應(yīng)用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求
2011-06-17 09:42:022396 Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲(chǔ)器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國(guó)晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲(chǔ)器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲
2011-10-27 09:34:131244 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551190 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 （nvSRAM） 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25654 世界領(lǐng)先隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron宣布，現(xiàn)已提供可與飛思卡爾半導(dǎo)體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺(tái)共用的全新F-RAM存儲(chǔ)器模塊。
2012-10-08 14:31:23930 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：什么是F-RAM？F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。 相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分
2012-10-19 11:25:353151 
什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:334704 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-11 14:09:563 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-12 15:33:1110 A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes similar to a RAM.
2017-09-14 11:26:2518 The FM28V202A is a 128 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:29:227 The FM28V102A is a 64 K × 16 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile,
2017-09-14 11:32:150 The FM16W08 is a 8 K × 8 nonvolatile memory that reads and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile
2017-09-14 11:43:0513 The IS66WVC2M16ALL is an integrated memory device containing 32Mbit Pseudo Static Random Access
2017-09-20 11:37:326 提供卓越性能和高可靠性。Excelon鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F-RAM）系列具有高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在惡劣的汽車和工業(yè)環(huán)境中，以及處于極端溫度的情況下均可防止數(shù)據(jù)的丟失。
2018-03-17 09:40:004456 先進(jìn)嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）近日宣布推出新型串行非易失性存儲(chǔ)器系列，為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon?鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F-RAM
2018-03-19 10:12:586838 關(guān)鍵詞：賽普拉斯 , 16-Mbit , 存儲(chǔ)器 , nvSRAM 賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列，其中
2018-09-30 00:22:02539 非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:0010224 ramtron international corporation宣布推出新型f-ram系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。
2019-01-01 15:48:002405 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:4117003 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:008357 RS組件公司正在發(fā)布一個(gè)易于使用且價(jià)格低廉的開發(fā)工具包，使工程師能夠估計(jì)賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Cypress Semiconductor）的高性能Excelon Ultra QSPI F-RAM內(nèi)存技術(shù)。
2019-11-11 11:21:09910 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 
Ramtron International公司近日宣布推出采用精簡(jiǎn)的FBGA封裝的4M F-RAM存儲(chǔ)器FM22LD16。FM22LD16是一個(gè)容量為4M，3V工作電壓，并行非易失性RAM，48
2020-08-30 10:09:01677 世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成
2021-03-29 18:13:201569 賽普拉斯型號(hào)CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643 
FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 （如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:314123 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實(shí)現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個(gè) I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:44445 Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442024 汽車事件數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)（EDR）市場(chǎng)的不斷發(fā)展正在推動(dòng)專用數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)設(shè)備的需求，這些設(shè)備能夠即時(shí)捕獲關(guān)鍵數(shù)據(jù)并可靠地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)長(zhǎng)達(dá)數(shù)十年。
2023-10-13 16:34:32451 是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15522
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