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后摩爾時代,洞見第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試的趨勢和未來!

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盤點第三代半導(dǎo)體性能及應(yīng)用

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近幾年,國內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線,種種跡象表明,第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個產(chǎn)業(yè)帶來哪些影響?國內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問題?需要采取什么措施?
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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城 將建設(shè)第三代半導(dǎo)體科研平臺和產(chǎn)業(yè)化平臺

“萬畝千億”平臺添新引擎。3月20日上午,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城,為順利推進氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目,促進第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
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在新基建的激勵之下,功率半導(dǎo)體器件將呈何種發(fā)展趨勢?

從技術(shù)發(fā)展來看,隨著硅基器件的趨近成本效益臨界點,近年來主流功率半導(dǎo)體器件廠商紛紛圍繞碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料進行探索。第三代半導(dǎo)體材料具備寬禁帶、低功率損耗等特性,迅速在高壓高頻率等新場景下發(fā)展壯大,成為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域未來的重要發(fā)展趨勢之一。
2020-07-06 12:52:102471

第三代半導(dǎo)體在新基建中廣泛應(yīng)用

摩爾定律”為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新機遇。第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。與Si材料相比,第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點,特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件,是未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級,全球進入第三代半導(dǎo)體時代

碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場等優(yōu)勢,是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351469

第三代半導(dǎo)體寫入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析

第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。 第三代材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料,是未來5G時代的標(biāo)配
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長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工

7月20日,長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料,在新能源汽車
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什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299

為什么說第三代半導(dǎo)體是中國大陸半導(dǎo)體的希望?

從上面的數(shù)據(jù)可以看出,在第一代半導(dǎo)體面前,第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因為生意有多么的大,是因為國防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時,這是一個增量市場,也是企業(yè)可以尋求的增長空間。
2020-09-29 14:16:004865

第三代半導(dǎo)體市場前景良好,將催生上萬億元潛在市場

在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會專家紛紛表示,近年來我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程較快,基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時,我國在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357

為什么說第三代半導(dǎo)體有望成為國產(chǎn)替代希望?

目前,國家2030計劃和十四五國家研發(fā)計劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日,國星光電舉辦了2020第一屆國星之光論壇,而論壇的主角之一,就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體
2020-10-29 18:26:404897

第三代半導(dǎo)體的發(fā)展研究

。 什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別? 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料,發(fā)
2020-11-04 15:12:374305

瑞能半導(dǎo)體關(guān)于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展思量

近年來,隨著半導(dǎo)體市場的飛速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體材料也成為人們關(guān)注的重點。第三代半導(dǎo)體材料指的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052755

什么是第三代半導(dǎo)體?一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別?

在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287782

國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體器件滲透率日漸提升

2020年,第三代半導(dǎo)體站在了產(chǎn)業(yè)風(fēng)口。國產(chǎn)化替代、新基建的熱潮,無疑又給其添上一把火。
2020-12-07 09:53:352344

什么是第三代半導(dǎo)體?哪些行業(yè)“渴望”第三代半導(dǎo)體?

招商引資名單中。 問題來了:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進入春天還是虛火上升?又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢?相對于IGBT、MOSFET和超級結(jié)MOSFET,GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來哪些技術(shù)變革? 為了回答這些問題,小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548

第三代半導(dǎo)體將駛?cè)氤砷L快車道

最近,“我國將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體?發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443296

第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)?

,什么材料會再領(lǐng)風(fēng)騷?記者采訪了專家。? 禁帶寬度,是用來區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427

第三代半導(dǎo)體性價比優(yōu)勢日益凸顯,規(guī)模商用尚需時日

近期,阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢,“第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出,第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市場。未來5年,基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景。
2021-01-13 10:16:082362

第三代半導(dǎo)體性價比優(yōu)勢日益凸顯 但規(guī)模商用尚需時日

? 近期,阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢,“第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出,第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應(yīng)用市場。未來5年,基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件
2021-01-15 14:24:561919

好消息!2021年第三代半導(dǎo)體成長迅速回春 GaN功率器件年增高達90.6%

2021年因受到車用、工業(yè)與通訊需求助力,第三代半導(dǎo)體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的成長力道最為
2021-03-15 17:08:072161

“碳中和”第三代半導(dǎo)體未來可期

半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個關(guān)鍵領(lǐng)域,整個行業(yè)漸入佳境,未來可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢,相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展熱潮

,以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。在應(yīng)用升級和政策驅(qū)動的雙重帶動下,我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展熱潮。 ? 01產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境日趨良好 過去幾十年,“摩爾定律”一直引領(lǐng)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。但隨著半導(dǎo)體工藝演進到今天,每前進一代,
2021-06-17 09:11:0410310

中圖科技等第三代半導(dǎo)體企業(yè)加速資本化進程 后摩爾時代行業(yè)未來可期

5月14日,中國國務(wù)院副總理劉鶴即主持召開國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第十八次會議,討論了面向后摩爾時代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。近期的市場表現(xiàn)也讓材料創(chuàng)新的第三代半導(dǎo)體呼聲漸高。2020
2021-06-21 13:31:151916

2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)向標(biāo)-《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇》

第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍,在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料。
2021-10-11 14:35:321551

第三代半導(dǎo)體器件測試應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點,越來越廣泛應(yīng)用在消費電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別。可以看到,傳統(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046

光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測試的應(yīng)用

日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對應(yīng)的分立器件性能測試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測試帶了不少困難。泰克的TIVP系列光隔離探頭,以其優(yōu)越的160dB
2022-05-12 14:54:171309

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點

、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢,第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟
2022-08-02 15:12:291442

第三代半導(dǎo)體中的明星元器件產(chǎn)品

近年來,「第三代半導(dǎo)體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導(dǎo)體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長,使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501263

第三代半導(dǎo)體測試的突破 — Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-31 10:28:21627

第三代半導(dǎo)體材料有哪些

第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看,第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點

、射頻應(yīng)用中的顯著 性能優(yōu)勢,第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α? 所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542

解讀第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體

作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體,它們通常都具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912

什么是第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體

第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場景是有差異的。以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場景十分廣泛, 從尖端的CPU、GPU、存儲芯片,再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點

、射頻應(yīng)用中的顯著 性能優(yōu)勢,第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α? 所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點

又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導(dǎo)率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下,依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018

摩爾時代,洞見第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試趨勢未來!

成長期。而國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè),國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過驗證,技術(shù)穩(wěn)步提升,產(chǎn)能不斷釋放,國產(chǎn)碳化硅(SiC)器件及模塊開始“上機”,生態(tài)體系逐漸完善,自主可控能力不斷增強,整體競爭實力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534

第三代半導(dǎo)體“藍?!笔袌?,對我們是挑戰(zhàn)還是機遇?

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展,對半導(dǎo)體器件的需求日益增長,對相關(guān)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛,于是第三代半導(dǎo)體市場應(yīng)運而生。近年國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,同時對高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43697

第三代功率器件材料,氧化鎵

第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231522

干貨 | 第三代半導(dǎo)體器件可靠性檢測知多少?

第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用,已成為戰(zhàn)略物資,被美國列入301管制清單。檢測是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障,廣電計量作為國有檢測機構(gòu),在我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展過程中,秉承國企擔(dān)當(dāng),為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:031866

第三代半導(dǎo)體測試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-03-13 17:42:58495

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場面臨三大痛點,威邁斯IPO上市加速突圍

當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件,在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面,顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此,碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢,威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357

鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項目落戶日照

據(jù)藍色空港消息,先進半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元,分三期建設(shè),一期投資2億元,計劃建設(shè)6條clip先進包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602

何以在第三代半導(dǎo)體技術(shù)中遙遙領(lǐng)先?

能與成本?未來有何發(fā)展目標(biāo)?...... 前言: 憑借功率密度高、開關(guān)速度快、抗輻照性強等優(yōu)點,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無線通信等領(lǐng)域,以提高設(shè)備性能和效率,并成為當(dāng)前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02365

長電科技第三代半導(dǎo)體器件的高密度模組解決方案獲得顯著增長

? 新能源汽車和光伏、儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?

近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694

5G、快充、UVC,第三代半導(dǎo)體潮起.zip

5G、快充、UVC,第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003

第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架.zip

第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117

是德科技第三代半導(dǎo)體靜態(tài)測試方案亮相IFWS

2023年11月29日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”成功召開,是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS),并重磅展出第三代半導(dǎo)體靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:03244

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