引言 ? 光刻膠又稱(chēng)“光致抗蝕劑”或“光阻劑”,被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線(xiàn)路的加工制作,是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材,其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:229350 推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎?這也不太可能,7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻工藝,研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來(lái)15年,部分客戶(hù)已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線(xiàn)圖了。
2017-01-22 11:45:423424 盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論,但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線(xiàn)(圖 1-3)是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉(zhuǎn)速度的平方根上變化,大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:541021 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的,普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺(見(jiàn)下表)。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐,可以滿(mǎn)足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 在之前的文章里,我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史?,F(xiàn)在,讓我們繼續(xù)了解光刻工藝,通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢?
2023-06-28 10:07:472427 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線(xiàn)路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用
2023-12-04 09:17:241338 有人知道 為什么光刻完事 剝離那么容易脫落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 編輯
先分享光刻的參考資料。============================2014-10-17========光刻分類(lèi)
2014-09-26 10:35:02
介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上?!、诳涛g工藝:利用化學(xué)或物理方法,將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去,從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的,因而光刻工藝
2012-01-12 10:51:59
芯片制造流程其實(shí)是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形,經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后,在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域,最后形成數(shù)十億個(gè)晶體管并被組合成電子元件。那光刻,整個(gè)流程中的一個(gè)重要步驟,其實(shí)并沒(méi)有
2020-09-02 17:38:07
用去離子水清洗并用氮?dú)獯蹈伞3酥膺€可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。SU-8光刻膠的光刻工藝將 SU- 8光刻膠組分旋涂在基材上,旋涂厚度幾至幾百微米。涂覆晶片經(jīng)過(guò)前烘并冷卻至室溫。在烘干
2018-07-12 11:57:08
的耐蝕刻薄膜材料,經(jīng)曝光和顯影而使溶解度增加的是正性光刻膠,反之為負(fù)性光刻膠。光刻膠的分類(lèi)及其特點(diǎn)見(jiàn)表1。 隨著IC特征尺寸亞微米、深亞微米方向快速發(fā)展,現(xiàn)有的光刻機(jī)和光刻膠已無(wú)法適應(yīng)新的光刻工藝要求
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱(chēng)為光致抗蝕劑,是一種光敏材料,它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后,受到光照的部分變得容易溶解,經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分,然后生成了圖案是這樣的: 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留,間距大的地方?jīng)]有殘留;工藝參數(shù):s9920光刻膠, evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆,前烘:100攝氏度,90s
2016-11-29 14:59:18
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類(lèi)型:正性光刻和負(fù)性光刻,區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理,大家可以想象一下膠片照片的沖洗,掩膜版就相當(dāng)于膠片,而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái),它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上,然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫(huà)”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志:NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠,適用于lift-off工藝;具有高效粘附性,高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠,適用于lift-off工藝,耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
對(duì)基材進(jìn)行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡,隨后用去離子水清洗并用氮?dú)獯蹈?。除此之外還可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。SU 8光刻膠光刻工藝:將 SU- 8 光刻膠組分
2018-07-04 14:42:34
的歷史蝕刻工藝進(jìn)行了兩個(gè)主要的工藝更改,這使得這項(xiàng)工作成為必要。首先,我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
版與硅片之間的距離較遠(yuǎn),可以完全避免對(duì)掩膜版的損傷.為了提高分辨率,在投影式暴光中,每次只暴光硅片的一小部分,然后利用掃描和分步重復(fù)的方法完成整個(gè)硅片的暴光.在現(xiàn)代集成電路工藝中,使用最多的光刻系統(tǒng)
2012-01-12 10:56:23
,小米9pro,oppo Reno3以及vivo X30)分別采用了什么芯片? 3協(xié)同通信的方式有哪些? 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無(wú)線(xiàn)電(名詞解釋?zhuān)?4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟: 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù): 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)國(guó)科大)微電子學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院,國(guó)科大微電子學(xué)院開(kāi)設(shè)的《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程是國(guó)內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程,而開(kāi)設(shè)課程
2021-10-14 09:58:07
本人是菜鳥(niǎo) 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請(qǐng)哪位高人指點(diǎn)一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過(guò)了
2010-12-02 20:40:41
電感的基本原理電感的工藝結(jié)構(gòu)電感的應(yīng)用及選型
2021-03-16 11:28:08
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造,光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備,對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響,被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”,根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào),目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上,Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓,并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 本文提到MEMS技術(shù)中所應(yīng)有的光刻技術(shù),幫助讀者了解光刻技術(shù)的原理,應(yīng)用。
2016-04-28 11:35:320 光刻的本質(zhì)是把制作在掩膜版上的圖形復(fù)制到以 后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的晶圓上。其原理與照相 相似,不同的是半導(dǎo)體晶圓與光刻膠代替了照相底 片與感光涂層。
2016-06-08 14:55:420 本文以光刻機(jī)為中心,主要介紹了光刻機(jī)的分類(lèi)、光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)組成、光刻機(jī)的性能指標(biāo)、光刻機(jī)的工藝流程及工作原理。
2017-12-19 13:33:01161176 刻的基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱(chēng)光刻膠)感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn),將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
2018-01-09 13:37:2316784 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn), 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273 光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
2018-04-10 09:49:17131483 一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。最初的工序是用光來(lái)制作一個(gè)掩模版,然后在硅片表面均勻涂抹光刻膠,將掩模版上的圖形或者電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移復(fù)制到硅片上,然后通過(guò)光學(xué)刻蝕的方法在硅片上刻蝕出已經(jīng)“復(fù)制”到硅片上的內(nèi)容。
2018-05-03 15:06:1319445 今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝,第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝,二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝,預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 隨著技術(shù)的發(fā)展,今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝,下一代將在2020年進(jìn)入5nm工藝,2022年進(jìn)入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝,預(yù)計(jì)到5nm工藝將會(huì)上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491149 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn),2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了,這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn),目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:403376 光刻技術(shù)是包含光刻機(jī)、掩模、光刻材料等一系列技術(shù),涉及光、機(jī)、電、物理、化學(xué)、材料等多個(gè)研究方向。目前科學(xué)家正在探索更短波長(zhǎng)的F2激光(波長(zhǎng)為157納米)光刻技術(shù)。由于大量的光吸收,獲得用于光刻系統(tǒng)
2019-01-02 16:32:2323711 光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備,也被譽(yù)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。集成電路里的晶體管是通過(guò)光刻工藝在晶圓上做出來(lái)的,光刻工藝決定了半導(dǎo)體線(xiàn)路的線(xiàn)寬,同時(shí)也決定了芯片的性能和功耗。
2019-01-23 09:18:0222456 光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。
2019-03-02 09:41:2911136 作為制造芯片的核心裝備,光刻機(jī)一直是中國(guó)的技術(shù)弱項(xiàng),其技術(shù)水平嚴(yán)重制約著中國(guó)芯片技術(shù)的發(fā)展。荷蘭ASML公司的光刻機(jī)設(shè)備處于世界先進(jìn)水平,日本光刻設(shè)備大廠都逐漸被邊緣化,國(guó)內(nèi)更是還有很大的差距。那么中國(guó)光刻工藝與國(guó)外頂尖公司究竟相差多少代技術(shù)呢?
2019-06-16 11:18:408244 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,最重要的一個(gè)過(guò)程就是光刻工藝,需要用到光刻機(jī),7nm及以下節(jié)點(diǎn)工藝則需要EUV光刻機(jī),目前只有荷蘭ASML公司能生產(chǎn),每臺(tái)售價(jià)超過(guò)1億歐元,可以說(shuō)是半導(dǎo)體行業(yè)的明珠了,是門(mén)檻非常高的先進(jìn)技術(shù)。
2019-07-12 10:38:434279 制造PCB時(shí),會(huì)發(fā)生類(lèi)似的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)。它們是光刻工藝的一部分,用于在PCB構(gòu)建時(shí)鋪設(shè)圖案化層。不要因?yàn)槌霈F(xiàn)彎曲的滑塊而受到影響,當(dāng)然也不要讓PCB設(shè)計(jì)中的元件錯(cuò)位。了解如何正確規(guī)劃光刻工藝,以及了解可能影響光刻工藝的因素并導(dǎo)致缺陷。
2019-07-26 08:35:012579 KLA-Tencor光刻工藝控制解決方案將產(chǎn)量?jī)?yōu)化至0.13微米 SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工藝模塊控制(PMC)解決方案芯片制造商實(shí)施和控制0.13微米及更小
2020-02-14 11:05:231114 光刻是集成電路最重要的加工工藝,他的作用,如同金工車(chē)間中車(chē)床的作用。光刻是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開(kāi)光刻的技術(shù)。
2019-11-23 10:45:54158604 三星宣布,位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝,這也是全球第一座專(zhuān)門(mén)為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052214 光刻機(jī)是集成電路制造中最精密復(fù)雜、難度最高、價(jià)格最昂貴的設(shè)備,用于在芯片制造過(guò)程中的掩膜圖形到硅襯底圖形之間的轉(zhuǎn)移。集成電路在制作過(guò)程中經(jīng)歷材料制備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機(jī)械研磨等多個(gè)工序,其中以光刻工序最為關(guān)鍵,因?yàn)樗钦麄€(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)制造工藝先進(jìn)程度的重要指標(biāo)。
2020-03-18 11:00:4172452 作為芯片制造的核心設(shè)備之一,光刻機(jī)對(duì)芯片生產(chǎn)的工藝有著決定性影響。 據(jù)悉,光刻機(jī)按照用途可分為生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)、封裝芯片的光刻機(jī)以及用于LED制造領(lǐng)域的投影光刻機(jī)。其中,生產(chǎn)芯片的High End
2020-06-15 08:05:54999 作為光刻工藝中最重要設(shè)備之一,光刻機(jī)一次次革命性的突破,使大模集成電路制造技術(shù)飛速向前發(fā)展。了解提高光刻機(jī)性能的關(guān)鍵技術(shù)以及了解下一代光刻技術(shù)的發(fā)展情況是十分重要的。 光刻機(jī) 光刻機(jī)(Mask
2020-08-28 14:39:0411746 重要要點(diǎn) l 什么是光刻? l 光刻工藝的類(lèi)型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設(shè)計(jì)指南。 可以說(shuō),有史以來(lái)研究最多的文物是都靈裹尸布。進(jìn)行廣泛檢查的原因,從來(lái)源的宗教建議
2020-09-16 21:01:161361 光刻機(jī)又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等,是制造芯片的核心裝備。它采用類(lèi)似照片沖印的技術(shù),把掩膜版上的精細(xì)圖形通過(guò)光線(xiàn)的曝光印制到硅片上。光刻機(jī)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最關(guān)鍵設(shè)備,光刻工藝決定了半導(dǎo)體線(xiàn)路的線(xiàn)寬,同時(shí)也決定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:135162 在制造芯片的過(guò)程中,光刻工藝無(wú)疑最關(guān)鍵、最復(fù)雜和占用時(shí)間比最大的步驟。光刻定義了晶體管的尺寸,是芯片生產(chǎn)中最核心的工藝,占晶圓制造耗時(shí)的40%到50%。光刻機(jī)在晶圓制造設(shè)備投資額中約占23
2020-10-09 15:40:112189 臺(tái)積電是第一家將EUV(極紫外)光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè),目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。 光刻技術(shù)的基本原理 光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱(chēng)光刻膠)感
2020-11-11 10:14:2022384 在一顆芯片誕生的過(guò)程中,光刻是最關(guān)鍵又最復(fù)雜的一步。 說(shuō)最關(guān)鍵,是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">光刻的實(shí)質(zhì)將掩膜版上的芯片電路圖轉(zhuǎn)移至硅片,化虛為實(shí)。說(shuō)最復(fù)雜,是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">光刻工藝需要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻
2020-11-26 16:19:192472 更多訣竅,領(lǐng)先對(duì)手1到2年。 據(jù)悉,三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV,第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本,并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV,但層數(shù)過(guò)少對(duì)
2020-12-04 18:26:542201 光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:152440 光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:542095 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經(jīng)過(guò)光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個(gè)階段,接下來(lái)詳細(xì)為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個(gè)階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段,內(nèi)層穿過(guò)化學(xué)制劑生產(chǎn)線(xiàn)。銅表面會(huì)出現(xiàn)粗糙度,這對(duì)于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162160 的、顆粒的、會(huì)影響光刻膠的厚度。 涂膠:根據(jù)工藝要求,目前常用的兩種涂膠工藝,一個(gè)就是旋轉(zhuǎn)涂覆、一個(gè)就是噴涂。根據(jù)工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。 前烘:就比較講究了,因?yàn)檫@東西肉眼看不見(jiàn)變化。只有最后
2021-10-13 10:59:423893 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料,換句話(huà)說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線(xiàn)將集成電路映射到硅片的表面,如果想要硅片的表面不留下痕跡,就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 光刻機(jī)又被稱(chēng)為掩膜對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī),在芯片生產(chǎn)中用于光刻工藝,而光刻工藝又是生產(chǎn)流程中最關(guān)鍵的一步,所以光刻機(jī)又是芯片生產(chǎn)中不可缺少的設(shè)備,總得來(lái)說(shuō)光刻機(jī)是用來(lái)制造芯片的。
2022-02-06 07:25:0029436 。后一種工藝是集成電路微制造技術(shù)的基礎(chǔ)。微電子工業(yè)不斷增長(zhǎng)的需求需要光刻材料(光刻劑),具有亞微米分辨率、高靈敏度、對(duì)微電子中常用的基質(zhì)的良好粘附,以及對(duì)廣泛的等離子體和濕化學(xué)蝕刻劑的高抗性。 非晶態(tài)半導(dǎo)體材料
2022-01-19 16:08:46375 待加工基片上。其被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線(xiàn)路的加工制作,是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 一言以蔽之,光刻膠是光刻工藝最重要的耗材,其性能決定了加工成品的精密程度和良品率,而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法,以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中,石頭是硅片,而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果,從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:531940 什么是光刻?光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗;阻擋層的形成;光刻膠應(yīng)用;軟烤;掩模對(duì)準(zhǔn);曝光和顯影;和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2022-06-21 09:30:0916641 新的方法,通過(guò)光刻和刻蝕工藝順序來(lái)提高跨晶片柵極CD的均勻性。我們?nèi)A林科納所提出的方法是通過(guò)優(yōu)化整個(gè)晶片曝光后烘烤(PEB)溫度曲線(xiàn)來(lái)補(bǔ)償光刻工藝順序中的上游和下游系統(tǒng)CD變化成分。更準(zhǔn)確地說(shuō),我們首先構(gòu)建了一個(gè)溫度-偏移模型,該模型將
2022-06-22 14:58:341301 眾所周知,光刻機(jī)一直處于壟斷地位,在光刻機(jī)領(lǐng)域,最有名的就是ASML公司了。
2022-07-04 11:21:15288331 光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:077000 目前,光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線(xiàn),EUV是非常深的紫外線(xiàn)。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù),EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 根據(jù)所使用的輻射,有不同類(lèi)型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、電子束光刻、x射線(xiàn)光刻、光刻和離子束光刻。在光學(xué)光刻技術(shù)中,有部分不透明和部分不透明的圖案掩模(光片)半透明區(qū)域被使用。紫外線(xiàn)輻射或氣體激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例減少。
2022-07-27 16:54:533169 摩爾定律
Intel創(chuàng)始人之一摩爾1964年提出,大約每隔12個(gè)月:
1)。芯片能力增加一倍、芯片價(jià)格降低- -倍;
2)。廣大用戶(hù)的福音、行業(yè)人員的噩夢(mèng)。
芯片集成密度不斷提升、光刻分辨率的不斷提升!
2022-08-29 14:20:2710022 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門(mén)的關(guān)鍵詞,也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么,讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053180 計(jì)算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)來(lái)增強(qiáng)光刻工藝中圖形轉(zhuǎn)移保真度的一種方法,它是分辦率增強(qiáng)技術(shù)(ResolutionEnhancement
2022-10-26 15:46:222274 光刻機(jī)譽(yù)為“現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)皇冠上的明珠”,是一種高度復(fù)雜的設(shè)備。光刻機(jī)是通過(guò)紫外光作為“畫(huà)筆”,把預(yù)先設(shè)計(jì)好的芯片電路路線(xiàn)書(shū)寫(xiě)在硅晶圓旋涂的光刻膠上,光刻工藝直接決定了芯片中晶體管的尺寸和性能,是芯片生產(chǎn)中最為關(guān)鍵的過(guò)程。
2022-10-27 09:39:024118 來(lái)源:云天半導(dǎo)體 廈門(mén)云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級(jí)封裝與無(wú)源器件生產(chǎn)線(xiàn)”正式通線(xiàn)后,經(jīng)過(guò)團(tuán)隊(duì)的不懈努力, 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開(kāi)發(fā)終破2/2um L/S大關(guān); 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854 光刻膠經(jīng)曝光后,其化學(xué)性質(zhì)會(huì)發(fā)生改變。更準(zhǔn)確地說(shuō),經(jīng)曝光后,光刻膠在顯影液中的溶解度發(fā)生了變化:曝光后溶解度上升的物質(zhì)稱(chēng)作正性(Positive)光刻膠,反之則為負(fù)性(Negative)光刻膠。
2023-01-31 15:59:491222 光掩??梢员徽J(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后,光掩模可以吸收或散射光子,或允許它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù),并試圖靠它再次逆襲,日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱(chēng),對(duì)比EUV光刻工藝,使用納米壓印光刻工藝制造芯片,能夠降低將近四成制造成本和九成電量,鎧俠 (KIOXIA)、佳能和大日本印刷等公司則規(guī)劃在2025年將該技術(shù)實(shí)用化。
2023-03-22 10:20:391837 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā),必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 通常,光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的,其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征,以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像,并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25421 光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝,也可以用在后道工藝,前道光刻機(jī)用于芯片的制造,曝光工藝極其復(fù)雜,后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試,實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝,技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205860 外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告,實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-14 10:16:38226 光刻機(jī)是集成電路生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備之一,在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中占據(jù)重要的地位。高精度的工作臺(tái)作為光刻機(jī)核心部件之一,其運(yùn)動(dòng)性能和定位精度決定了光刻工藝所能實(shí)現(xiàn)的線(xiàn)寬和產(chǎn)率。光刻機(jī)的工作臺(tái)是一個(gè)六自由度的運(yùn)動(dòng)
2022-03-08 09:07:46859 外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告,實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-26 17:00:19766 外,學(xué)生還就感興趣的課題做深入調(diào)研。師生共同討論調(diào)研報(bào)告,實(shí)現(xiàn)教學(xué)互動(dòng)。調(diào)研的內(nèi)容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術(shù)。
2023-06-29 10:02:17329 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 光刻蝕(Photolithography)是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù),用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用,通過(guò)光罩的設(shè)計(jì)和控制,將光影投射到光敏材料上,形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422273 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度,ASML認(rèn)為其物理極限在0.25,k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過(guò)約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級(jí)或更高。
2024-03-20 12:36:0061 光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展,每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒(méi)步進(jìn)式投影光刻機(jī)和極紫外式光刻機(jī)。
2024-03-21 11:31:4143
評(píng)論
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